廣東
【太平洋科技快訊】近日，英特爾新任 CEO 陳立武在 Intel Foundry Direct Connect 2025 活動中表示，18A 工藝節點已進入風險生產階段，預計將在 2025 年晚些時候開始量產。同時，18A 工藝的性能增強版——18A-P，也已在晶圓廠中運行，并產出了早期晶圓。 英特爾還透露，其 18A-PT 版本將采用類似 AMD 3D V-Cache 的 3D 堆疊技術，名為 Foveros Direct，實現垂直晶圓堆疊，并在關鍵互連密度方面與臺積電的產品相媲美。
英特爾還宣布了 14A 工藝節點的最新進展。作為 18A 的后續工藝節點，14A(1.4nm 等效)預計將于 2027 年推出，并成為業內首個采用 High-NA EUV 光刻技術的節點。相比 18A，14A 預計能效將提升 15%-20%，芯片密度將增加約 30%，功耗也將進一步降低。
為了滿足先進封裝的需求，英特爾代工服務將提供系統級集成服務，利用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程節點，通過 Foveros Direct(3D 堆疊)和 EMIB(2.5D 橋接)技術實現連接。此外，英特爾還將推出新的先進封裝技術，包括面向未來高帶寬內存需求的 EMIB-T，以及在 Foveros 3D 方面的 Foveros-R 和 Foveros-B，為客戶提供更多高效靈活的選擇。
根據英特爾的官方路線圖，18A-P 將在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年。14A 將在 2027 年到來，還會有 14A-E 工藝。在行業競爭方面，臺積電的 2nm(N2)工藝預計 2025 年下半年量產，性能提升 10%-15%，功耗降低 25%-30%。英特爾的 14A 節點預計領先臺積電一年推出，且將首次采用 High-NA EUV 技術。
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