東微半導（688261.SZ）近日發布2024年年報，期內實現營業收入10.03億元，同比增長3.12%；歸母凈利潤4023.5萬元，同比下滑71.27%；扣非后歸母凈利潤231.93萬元，同比減少98.06%。

2024年，功率半導體市場競爭白熱化，東微半導試圖以價換量，盡管營收實現微弱增長，但毛利率跌至近7年低點，盈利在低基數上再降7成，現金流承壓、庫存高企問題凸顯。

與此同時，作為“充電樁芯片第一股”，曾為其帶來業績高光的光伏逆變器、充電樁業務在周期波動中同時失速，第三代半導體業務尚未挑起大梁，公司優勢產品正面臨來自碳化硅廠商激烈的份額爭奪。在這種行業變局中，東微半導迎來前所未有的挑戰和考驗。

以價換量毛利“貼地”

東微半導是一家功率半導體廠商，主要產品包括高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET產品、TGBT產品，以及SiC MOSFET等，應用于新能源、工業、消費領域。其中，高壓超級結MOSFET技術難度較高，定位國產替代高端市場，是營收主力。

近一年，“缺芯潮”催生的產能集中釋放，疊加下游需求增長不足，功率半導體領域內卷加劇，其典型信號是，掀起價格戰的英飛凌、安森美、意法半導體等國際巨頭陸續傳出裁員計劃。

2024年，通過產品降價，東微半導核心產品高壓超級結MOSFET收入基本維持穩定，達7.83億元，占總營收比重78%，公司毛利率下探至近7年低點14.29%，說明產品價格已是“貼地飛行”。

來源：東微半導年報

在回復投資者提問時，對于此輪降價，雖然東微半導明確意在“增加市場份額”，但顯然，中低端產品銷售強勢拉升，低壓屏蔽柵MOSFET營收增長40%，而在國際廠商高度壟斷的中高端市場，其作用更傾向于守份額。

分產品來看，公司高端產品線高壓超級結MOSFET、超級硅MOSFET、SiC器件產品、Tri-gate IGBT產品營收分別為7.8億元（下滑2.8%）、238.5萬元（下滑72.28%）、63.65萬元（下滑9.65%）、3714.8萬元，僅Tri-gate IGBT同比增長24.3%。

以價換量的銷售策略未能有效緩解公司的庫存壓力，截至2024年末，東微半導存貨金額處于3.87億元的高位，存貨周轉天數從123.41天延長至146.74天，計提存貨跌價損失仍在走高，當期2209.57萬元，成為侵蝕利潤的一大因素。

現金流上進一步承壓，2024年，公司經營活動產生的現金流量凈額-8831萬元，同比下滑225%。公司表示，主要是受全球經濟增速下行以及競爭格局加劇等多重因素的影響，收到客戶的銷售回款有所減少。

發布年報當日，公司同時公告使用部分超募資金3億元用于永久補充流動資金。

充電樁、光伏齊失速，高端市場承壓

一定程度上，東微半導此前的業績高光緣于同時吃上光伏逆變器和新能源汽車直流充電樁這兩大高景氣賽道的紅利，2022年上市時，東微半導曾被稱為“充電樁芯片第一股”。眼下，受困于周期波動，這兩大市場屬性正在褪色。

2024年，公司來自光伏逆變器領域的收入進一步下滑，以至于公司近年首次未將其列入主要細分領域收入范圍，2022-2023年，光伏逆變器領域營收比重一度分別達到20%、13%。

新能源汽車直流充電樁領域收入占營收比重從2023年的17%下滑至6%，收入下滑幅度高達63%。

筆者從東微半導相關人士處了解到，新能源汽車直流充電樁領域收入的大幅下滑緣于公司管理層主動調整銷售策略，其表示，在資源有限的情況下，2024年公司將精力轉移至毛利率較高的工業照明電源領域。

2024年，大功率照明電源營收首次出現在前四大細分領域收入之列，占主營業務營收比重8%，同比增長30%，工業和通信電源領域收入大增78%，營收比重從18%飆升至31%，對沖了光伏逆變器和充電樁領域收入的顯著下滑。

在國內功率半導體市場，東微半導的定位是做“難做的產品”，目前，第三代半導體領域是公司發力的重點，代表性產品之一是碳化硅（SiC）功率器件，被視為公司新成長曲線。

由于具備高頻、高壓、低損耗的優勢，碳化硅（SiC）在新能源汽車、光伏等領域更具優勢。但因為成本相對較高等因素，功率半導體市場仍以硅基MOSFET等產品為主。

這一境況在2024年發生轉變，去年，碳化硅SiC襯底廠商6英寸襯底產能大爆發，價格戰激化，單片價格一度低于成本價，推動碳化硅（SiC）MOSFET芯片價格下降，加速對硅基IGBT和超級結MOSFET的替代。

頭部廠商正在分羹紅利，2024年財年，英飛凌在碳化硅市場實現6.5億歐元營收，同比增長30%，并表示有信心在2025財年實現碳化硅超10億歐元的目標。此外，由于看好碳化硅市場，繼英飛凌2024年8月啟動其在馬來西亞的全球最大碳化硅功率半導體晶圓廠后，富士電機也在2024年末重啟6英寸碳化硅（SiC）功率半導體的量產，該計劃此前一度擱置。

龍頭加碼碳化硅市場，東微半導的銷售策略卻偏于被動，公司第三代功率半導體碳化硅（SiC） MOSFET產品已實現量產，但在碳化硅市場加速替代的2024年，該部分產品營收規模僅63.65萬元，同比減少9.65%。筆者以投資者身份了解到，碳化硅產品銷量未見起色，主要原因在于公司對產品毛利率更多考量。

需要注意的是，高壓場景例如新能源汽車800V高壓平臺和光伏逆變器領域是加速替代硅基器件的主要領域，也是東微半導優勢產品高壓超級結MOSFET主攻的市場方向，碳化硅廠商在高端市場進一步的份額爭奪，或許是東微半導充電樁、光伏逆變器領域收入在2024年快速下跌的另一重背景。

值得一提的是，2024年，華為旗下哈勃科技創業投資有限公司（以下簡稱“哈勃創投”）繼續減持，截至2024年末，其對東微半導的持股比例降低至1.95%，去年同期持股比例為4.94%。（本文首發于鈦媒體APP，作者｜張孫明爍）