浙江
在臺積電的北美技術(shù)研討會上，SK海力士展示了其HBM4“AI內(nèi)存”，并發(fā)布了幾款即將討論的新產(chǎn)品。首先，SK 海力士向公眾預(yù)告了其 HBM4 工藝，并簡要介紹了其規(guī)格。
HBM4容量可達(dá) 48 GB，帶寬為 2.0 TB/s，I/O 速度為 8.0 Gbps。SK 海力士宣布，他們計劃在 2025 年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中，這令人驚喜。這家韓國巨頭也是唯一一家向公眾展示 HBM4 的公司。
除了 HBM4，我們還看到了 SK 海力士推出的 16 層 HBM3E，這也是同類產(chǎn)品中的首款，帶寬達(dá) 1.2 TB/s，性能遠(yuǎn)超 HBM3E。據(jù)稱，該標(biāo)準(zhǔn)將與 NVIDIA 的 GB300 “Blackwell Ultra” AI 集群集成，NVIDIA 計劃在項目代號 Vera Rubin 的合作上過渡到 HBM4。
除了HBM之外，SK海力士還展示了其服務(wù)器內(nèi)存模塊系列，尤其是RDIMM和MRDIMM產(chǎn)品。目前，高性能服務(wù)器模塊正基于較新的1c DRAM標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建。其中包括速度為12.8Gbps、容量為64GB、96GB和256GB的MRDIMM系列；速度為8Gbps、容量為64GB和96GB的RDIMM模塊；以及256GB的3DS RDIMM。
SK 海力士目前在 HBM 和 DRAM 市場上占據(jù)優(yōu)勢，主要通過推動創(chuàng)新和與 NVIDIA 等公司建立合作伙伴關(guān)系來擊敗三星等老牌企業(yè)。
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