新 聞1： 美光開(kāi)始減少DDR4產(chǎn)量，已通知客戶不再供應(yīng)服務(wù)器DDR4內(nèi)存模塊

近日有報(bào)道稱(chēng)，三星已告知客戶多款1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4即將停產(chǎn)，包括8/16GB的DDR4 SODIMM/UDIMM產(chǎn)品，另外還有1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將逐步停產(chǎn)，進(jìn)入EOL階段。由于受到了來(lái)自國(guó)內(nèi)DRAM廠商巨大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，三星、SK海力士和美光都可能會(huì)逐步停產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存，并把產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5和HBM產(chǎn)品。

據(jù)TrendForce報(bào)道，美光已經(jīng)開(kāi)始減少DDR4的產(chǎn)量，通知客戶不再供應(yīng)服務(wù)器DDR4內(nèi)存模塊，這種轉(zhuǎn)變反映了更廣泛的行業(yè)趨勢(shì)。傳聞SK海力士也有類(lèi)似的打算，減少DDR4產(chǎn)能輸出，將其生產(chǎn)份額降至20%。

近期美光宣布對(duì)業(yè)務(wù)部門(mén)進(jìn)行重組，以利用人工智能（AI）推動(dòng)從數(shù)據(jù)中心到邊緣設(shè)備的變革性增長(zhǎng)。美光將立即開(kāi)始過(guò)渡到這種新的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，整個(gè)業(yè)務(wù)部門(mén)重組行動(dòng)將在公司本財(cái)年第四財(cái)季（該財(cái)季從2025年5月30日開(kāi)始）初完成。這反映了美光打算將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到高利潤(rùn)的高端產(chǎn)品上，并引入新的工藝技術(shù)，同時(shí)可能會(huì)減少傳統(tǒng)類(lèi)型產(chǎn)品的產(chǎn)能，甚至選擇淘汰。

有報(bào)告指出，現(xiàn)階段內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅前囤積和嚴(yán)格供應(yīng)控制的支撐，不過(guò)整體市場(chǎng)不確定性仍然很高，長(zhǎng)期前景仍不明朗。

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現(xiàn)在DDR4內(nèi)存的價(jià)格真的已經(jīng)很便宜了，在高附加值的領(lǐng)域上，DDR4的存量也越來(lái)越少，所以廠商們選擇減產(chǎn)甚至曲線DDR4倒也正常。不過(guò)，美光這么快的速度真的很驚人了。服務(wù)器領(lǐng)域作為真正的高附加值市場(chǎng)，按理說(shuō)就算要淘汰DDR4，也應(yīng)該是保有時(shí)間最長(zhǎng)的產(chǎn)品才對(duì)，看來(lái)DDR4真的快成為歷史的眼淚了……

新 聞 2： 三星打算逐步淘汰HBM2E，將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

近年來(lái)，人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和PC一直在推動(dòng)高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場(chǎng)對(duì)HBM類(lèi)DRAM的需求也在迅速增長(zhǎng)。雖然三星是全球最大的存儲(chǔ)器制造商，但在HBM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售上卻落后于SK海力士。隨著來(lái)自國(guó)內(nèi)DRAM廠商的競(jìng)爭(zhēng)壓力越來(lái)越大，最近傳出三星將停產(chǎn)多款DDR4/LPDDR4產(chǎn)品，下定決心將產(chǎn)能盡快轉(zhuǎn)移到利潤(rùn)更高的DDR5和HBM產(chǎn)品上。

據(jù)TrendForce報(bào)道，三星的HBM2E已經(jīng)進(jìn)入最后采購(gòu)階段，預(yù)計(jì)很快就會(huì)停產(chǎn)，接下來(lái)會(huì)將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4。由于HBM市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)了45%，三星停產(chǎn)舊規(guī)格產(chǎn)品，有助于加快技術(shù)迭代，將資源集中在新一代產(chǎn)品上，更好地與SK海力士和美光競(jìng)爭(zhēng)。

據(jù)了解，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已經(jīng)量產(chǎn)16nm DDR5 DRAM，性能甚至比SK海力士的12nm產(chǎn)品更好，而且計(jì)劃2025年將產(chǎn)能提高到每月18萬(wàn)片晶圓，目標(biāo)2026年切入LPDDR5和車(chē)用DRAM市場(chǎng)，為未來(lái)進(jìn)軍HBM鋪路。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開(kāi)發(fā)自己的HBM技術(shù)似乎只是時(shí)間問(wèn)題，也迫使三星加速新一代HBM技術(shù)的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張。

有消息稱(chēng)，美光已經(jīng)開(kāi)始減少DDR4的產(chǎn)量，通知客戶不再供應(yīng)服務(wù)器DDR4內(nèi)存模塊，這種轉(zhuǎn)變反映了更廣泛的行業(yè)趨勢(shì)。最近美光宣布對(duì)業(yè)務(wù)部門(mén)進(jìn)行重組，以利用人工智能（AI）推動(dòng)從數(shù)據(jù)中心到邊緣設(shè)備的變革性增長(zhǎng)，其中HBM產(chǎn)品組合也是重點(diǎn)。

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更令人沒(méi)想到的則是HBM2E，作為內(nèi)存領(lǐng)域最高技術(shù)的結(jié)晶，即便是上一代的HBM2和HBM2E，也依舊在AI芯片市場(chǎng)是搶手貨。三星在自家HBM3E系列產(chǎn)品還前途未卜的情況下，果斷的選擇斷掉HBM2E，這是不是太極端了些……

新 聞3： 消息稱(chēng)三星 HBM3E 認(rèn)證遇阻，谷歌 AI 芯片已通知撤換供應(yīng)商

Digitimes 今日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子在 HBM 領(lǐng)域遭遇技術(shù)驗(yàn)證瓶頸，因未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證被移出臺(tái)積電 CoWoS 封裝產(chǎn)線。為保險(xiǎn)起見(jiàn)，原計(jì)劃配套三星 HBM3E 的谷歌自研 AI 服務(wù)器芯片也將改用美光產(chǎn)品替代。

三星對(duì)此回應(yīng) Digitimes 稱(chēng) "無(wú)法評(píng)論客戶相關(guān)事宜，相關(guān)開(kāi)發(fā)計(jì)劃仍按進(jìn)度執(zhí)行"。截至IT之家發(fā)稿，谷歌方面仍未發(fā)表回應(yīng)。

供應(yīng)鏈消息人士稱(chēng)，三星 HBM3E 原定 2025 年 Q1 向英偉達(dá)批量出貨，但英偉達(dá)至今仍未公布最終認(rèn)證結(jié)果。此次谷歌更換供應(yīng)商被視為認(rèn)證受阻的重要信號(hào)。

目前 SK 海力士在 12 層 HBM3E 領(lǐng)域的進(jìn)展最快，近期有傳聞稱(chēng)英偉達(dá) GB300 改換設(shè)計(jì)將影響其出貨，但由于高端 HBM 依然供不應(yīng)求，雙方需要提前一年進(jìn)行協(xié)商。

SK 海力士 12 層 HBM3E 良率保持領(lǐng)先，預(yù)計(jì)銷(xiāo)售數(shù)據(jù)將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2025 年第二季度的銷(xiāo)量將占整個(gè) HBM3E 比重的一半以上。

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/848922.htm

而三星雖然是壯士斷腕的割掉了HBM2E，但自家的HBM3E系列的產(chǎn)品似乎并不能扛起重任……三星的HBM3E未能通過(guò)谷歌認(rèn)證，其AI芯片將更換供應(yīng)商，而在此之前，三星HBM3E通過(guò)NVIDIA認(rèn)證時(shí)也是非常困難的，難道真的有什么嚴(yán)重問(wèn)題？那已經(jīng)采用了三星HBM3E的中國(guó)特供GPU？NVIDIA真的做了惡劣的事情嗎？？

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