上一期介紹了芯片封裝的一些背景知識：

今天這期，小棗君重點來聊聊封裝的具體工藝流程。

之前介紹了，封裝有很多種形式，包括傳統封裝和先進封裝。

不同的封裝，流程和工藝不一樣。我整個寫完之后，發現字數太多（1萬多字）。為了降低閱讀難度，我決定拆成兩篇（傳統封裝篇、先進封裝篇）來發。

今天先發的，是傳統封裝篇。

█傳統封裝的工藝流程

傳統封裝，大致流程是這樣的：

我們一個個來看。

· 減薄

傳統封裝的第一步，是對晶圓進行減薄（）——通過研磨晶圓背面的方式，減少晶圓的厚度（從 原始的 600–800μm減薄到幾十至一百 μm，甚至更薄）。

減薄的目的主要有三個：

一是減小芯片的尺寸，滿足封裝的要求。

二是獲得更好的散熱效果。

三是提升電學性能，降低寄生效應（ 芯片過厚會增加寄生電容和信號傳輸延遲）和導通電阻。

減薄也需要注意，避免影響晶圓的機械強度，否則可能導致晶圓在后面的工藝中發生破裂。另外，減薄過程中產生的熱應力，也可能導致晶圓彎曲、報廢。

目前減薄所采用的工藝，就是晶圓制造那期說的CMP機械化學研磨那些。

減薄ing

· 切割（劃片、鋸切、劃裂）

減薄之后，要開始正式切割（Dicing）了。

切割前，在晶圓的正面覆蓋一層保護藍膜，以防止在切割過程中晶粒受損。

晶圓非常脆弱。隨著時間的推移，芯片的精密度越來越高，晶圓上芯片的間隙越來越小，對切割技術的要求也就隨之增加。

早期常用的切割方式，是機械切割。通過高速旋轉的超薄金剛石刀片， 沿著晶圓上預先設定的溝槽（即晶圓劃線），就可以完成切割。

切割過程中，會用純水沖洗，進行冷卻，同時去除碎屑。

機械切割比較簡單、成本較低，但是，切割精度不高、速度慢、容易出現崩邊等問題，所以，逐漸被淘汰。

后來，就有了激光切割，也就是通過高能量激光束進行切割。

激光切割也分為全切和隱切兩種。

全切：激光束直接照射在晶圓表面，貫穿整個晶圓厚度，完全切斷晶圓。這種方法切割速率極快，但會產生碎屑和熱量，需要進行清理和冷卻。

隱切：分為兩步，首先使用激光束聚焦于晶圓的內部，在晶圓內部形成微細的裂紋，而表面保持完整。然后，通過機械手段，均勻拉伸貼在晶圓背后的膠帶。隨著膠帶的擴展，晶圓上的單個芯片沿著激光預切割的路徑分離開來，完成切割。

激光隱切避免了傳統激光切割的熱損傷問題，非常適用于超薄半導體硅片的高速和高質量切割。

再后來，又出現了等離子切割。

它通過將氣體等離子化，使等離子與切割道內的硅反應，完成切割。

等離子切割速度快、損傷小，特別適用于超小尺寸芯片的切割。同時，它可以減少切割道的寬度，增加圓片設計的芯片數量，進一步降低芯片成本。

· 貼片（粘連、粘接）

晶粒切割下來之后，需要進行貼片（粘連，Die Attach）。

傳統封裝的貼片，是把 晶粒和封裝基板 （Substrate）粘接起來。

封裝基板，又叫 IC載板，是一種特殊的PCB印刷線路板。

它 具有高密度、高精度、輕薄化的特點，能夠為芯片起到支撐、連接、散熱和保護的作用。

傳統封裝中常用的粘接方式包括膠粘劑粘接、焊接粘接、共晶粘接。

環氧樹脂，是常用的有機膠粘劑。通過熱固化，可以達到粘接目的。

環氧樹脂本身絕緣，如果摻入一定比例的銀粉，就具備了導電的能力，變成導電膠，也稱為銀膠，應用更廣泛。

焊接粘接，是通過熔融焊料實現芯片與基板連接，包括軟釬焊（使用低熔點的焊料，如錫鉛合金）和硬釬焊（使用高熔點的焊料，如金硅合金）。

共晶粘接，利用兩種或多種金屬在共晶溫度下形成共晶合金，來實現連接。連接強度高、導熱性能好，但是工藝復雜、成本較高。

共晶粘接

貼片會用到貼片機。貼片機也有很多種，包括SMT貼片機、先進封裝貼片機等。

貼片對精度的要求很高，如果發生哪怕很小的偏差，都可能導致芯片無法工作。

在貼片的過程中，也需要考慮可能造成的機械損傷，以及貼片材料可能引起的熱傳導問題（無法正常散熱）。

（再次提醒注意：這篇講的是傳統封裝。現在普遍使用的是先進封裝，工藝有很大的區別。大家千萬不要生搬硬套。）

· 焊線

貼片之后，還要將晶粒與基板進行電氣連接。

傳統封裝都是通過金屬線進行連接，所以也叫焊線工藝。

焊線

焊接的時候，需要通過加熱、加壓和超聲波能量，破壞表面氧化層和污染，產生塑性變形，使界面親密接觸，形成電子共享和原子擴散，從而形成穩定的焊點。

熱超聲焊過程

焊線所使用的材料，一般是金、銀、銅、鋁。

黃金具有導電性能好、化學性能穩定、球焊速度快、抗氧化、不與酸和堿發生反應等優點，但價格昂貴，使用占比在不斷下降。

銀比金便宜，但也還是有點貴。

鋁雖然成本較低，但穩定性較差，良率相對較低。

銅的成本和性能比較均衡，目前使用較為普遍（尤其是在中低端產品）。

高密度引線的示例

· 清洗、光檢

清洗就不用說了。

檢測，除了借助低倍放大鏡對產品外觀進行檢查之外，還可以進行AOI（自動光學檢測）。

AOI檢測

AOI具有三大顯著優勢：

一是檢測效率特別高，可實現每分鐘數百個元器件的全檢。

二是具備量化檢測能力，能記錄缺陷尺寸、位置等數據，便于工藝追溯與改進。

三是可以檢測人眼難以識別的微觀缺陷，如焊點虛焊、微裂紋等。

在半導體封測領域，AOI一般有四次（四道）。

第一道光檢是晶圓檢測，第二道光檢是顆粒外觀缺陷檢測，第三道光檢貼片/引線鍵合檢測（就是現在這次），第四道光檢是塑封外觀檢測（待會會做）。

· 模封（塑封、注塑）

下一步，就要進行模封。

這里要說一下，根據材料的不同，封裝可以分為塑料封裝、陶瓷封裝和金屬封裝三種類型。

陶瓷封裝和金屬封裝的密封性好、散熱性好，但價格昂貴、生產周期長，所以主要用于航空航天和軍事領域。

塑料封裝的散熱性、穩定性、氣密性相對較差，但是重量輕、體積小、價格便宜，所以目前仍然是民用商業化領域的主流選擇。

我國半導體封裝中，有90%以上采用塑料封裝。而在塑料封裝中，有97%以上利用環氧塑封料作為包封材料。

環氧塑封料（Epoxy Molding Compound，簡稱EMC），全稱為環氧樹脂（就是前面貼片工藝提到的那個）模塑料，是用于半導體封裝的一種熱固性化學材料。它能夠很好地保護芯片，免受外界環境（水汽、溫度、污染等）的影響，實現導熱、絕緣、耐濕、耐壓、支撐等復合功能。

模封有轉移成型和液態封裝兩種工藝。前者，是 將環氧樹脂塑封料 熔融，在壓力和溫度的作用下，注入模具中，把裸芯片給封起來。后者，主要用于超薄或柔性封裝。

為確保芯片的穩定性和安全性，在一些特殊需求下，會在其上安裝一個金屬保護蓋，這一過程稱為Lid Attach。此保護蓋通常采用散熱性能優異的合金制成。

· 去溢料（去飛邊）

模封之后，還要經過去溢料（De-flash）工藝，目的是去除模封后在芯片周圍的溢料。

去溢料的方法，主要是弱酸浸泡，高壓水沖洗。

· 后固化

去溢料之后，是后固化（Post-Mold Cure）工藝，在150–180°C下烘烤數小時，使塑封材料完全固化，提升機械強度。

· 植球

對于傳統封裝里的BGA（球柵陣列）封裝，還要在芯片表面精確地放置焊料球（錫球 ），以實現芯片與電路板之間的電氣連接。這個工藝叫做植球。

這個球不是直接往基板上焊的，會用到錫膏或者助焊膏。

先用錫膏印刷到焊盤上，再在上面加上一定大小的錫球。這時，錫膏會粘住錫球。通過加熱升溫，可以讓錫球的接觸面更大，使錫球的受熱更快更全面。這就使錫球熔錫后與焊盤焊接性更好，降低虛焊的可能性。

（下期我們講先進封裝Bumping凸點工藝的時候，還會再講到焊球。）

· 電鍍（浸錫）

為了提升管腳的導電性、可焊性并增強其耐腐蝕性，減少 外界環境潮濕和熱的影響，會 利用金屬和化學的方法，在管腳上鍍上一層錫、 鎳、鈀、金等材料。

現在因為歐盟 Rohs的要求，一般都采用無鉛電鍍，用的是99.95%的高純度錫（Tin）。

無鉛電鍍后的產品，會要求在高溫下烘烤一段時間（退火），消除電鍍層潛在的晶須生長（Whisker Growth）問題。

· 切筋、成型（打彎）

切除多余框架材料。對于有引腳的封裝類型（如SOP、QFP），需要將引腳彎折成標準形狀。

· 成品測試

在封裝完成之后，會再次進行測試。

在封裝工藝之前的測試，是 晶圓檢測（CP，Circuit Probing）， 又稱中測。

在封裝工藝之后的測試，是成品測試（ FT，Final Test）， 又稱終測。

成品測試是針對封裝好的芯片，進行設備應用方面的全面檢測。這是一個重要環節， 旨在確保芯片在正式出貨前，其功能和質量均達到預期標準。

與CP測試類似，FT測試同樣依賴于ATE自動測試機臺設備，同時輔以測試版和分選機等工具，共同確保測試的精準度和效率。

為了 彌補ATE測試在復雜度和故障覆蓋率方面的不足，還會引入 SLT系統級測試。

SLT測試基于芯片的實際應用場景進行設計，通過精心打造的測試板和嚴謹的測試流程，力求模擬出真實的業務流環境， 從而將芯片產品的缺陷率降至更低，提升用戶的信任度。

· 打標

測試結束之后，可以打標（ Marking）了。

通過激光打印的方式，在芯片表面印上芯片生產商的Logo、產品名稱、生產批次等信息，方便后續使用過程中的辨識。

· 出廠

根據客戶的要求，將待測品從標準容器內分類包裝到客戶指定的包裝容器內，并粘貼必要的商標，就可以發貨出廠。 要么是零售，要么是發給OEM廠商。

到這里，傳統封裝的流程就全部結束啦！

做好準備，下一期，我們就來看看復雜n倍的先進封裝！

參考文獻：

1、《芯片制造全工藝流程》，半導體封裝工程師之家；

2、《 一文讀懂芯片生產流程》，Eleanor羊毛衫；

3.、《 不得不看的芯片制造全工藝流程》，射頻學堂；

4、《 一文了解引線鍵合》， 失效分析工程師趙工；

5、《 摩爾定律重要方向，先進封裝大有可為》，華福證券 ；

6、《 介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法》，Tom聊芯片智造；

7、維基百科、百度百科、各廠商官網。