中芯國際是一家純晶圓代工廠，向全球客戶提供8英寸和12英寸芯片代工與技術服務。

中芯國際除高端的制造能力之外，還為客戶提供全方位的晶圓代工解決方案，包括光罩制造、IP研發及后段輔助設計服務等一站式服務(包含凸塊加工服務、晶圓探測，以及最終的封裝、測試等)。全面一體的晶圓代工解決方案,目標是更有效的幫助客戶降低成本，以縮短產品上市時間。

一、技術節點布局

1. 成熟制程（0.35μm 至 28nm）

SMIC在成熟制程方面積累了豐富的經驗，廣泛應用于消費電子、通信和工業控制等領域。

• 高壓BCD工藝：支持從5V到650V的電壓范圍，適用于電源管理和顯示驅動等高壓應用場景。

  中芯國際的電源和模擬技術基于現有的低功耗邏輯平臺可提供模塊架構，為模擬和電源應用提供了較低的成本和優越的性能。該技術包括雙極晶體管、高壓LDMOS晶體管、精密模擬無源器件和eFuse/OTP/MTP非易失性存儲器，同時提供有競爭力的Rds(on)功率器件。中芯國際的8寸廠擁有世界級的缺陷管控，可和全球的合作伙伴一起提供完整的一站式服務。

  
  

• 射頻與嵌入式存儲：提供超低功耗邏輯平臺，結合嵌入式閃存技術，滿足智能家居和可穿戴設備等對低功耗的需求。

  中芯國際提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術，通過與國際領先EDA工具供應商的合作，中芯國際提供精確的RF SPICE模型和完整的PDK工具包，中芯國際提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術，通過與國際領先EDA工具供應商的合作，中芯國際提供精確的RF SPICE模型和完整的PDK工具包。

  
  

  中芯國際提供了完整的嵌入式非揮發性存儲技術與廣泛IP支持，可應用于智能卡、微處理器和物聯網應用。這些工藝可提供客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產品，和更具經濟效益的解決方案。

• 圖像傳感器與功率器件：支持CMOS圖像傳感器（CIS）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等工藝，廣泛應用于安防和新能源等領域。

盡管面臨EUV光刻設備的獲取限制，SMIC通過技術創新，逐步推進先進制程的發展。

• 14nm FinFET工藝：采用鰭式場效應晶體管結構，提升晶體管性能和集成度，適用于高性能計算、人工智能和5G通信等領域。

• N+1工藝：在14nm基礎上優化，性能提升20%，功耗降低57%，通過多重圖形化技術實現更高的晶體管密度，無需依賴EUV光刻設備。

• N+2工藝：進一步提升性能和面積效率，計劃引入EUV技術，目標對標國際先進的7nm+工藝水平。

SMIC提供開放式和封閉式結構的MEMS工藝，支持CMOS-MEMS單芯片集成和晶圓級封裝，廣泛應用于消費電子、汽車傳感器和工業自動化等領域。

2. IGBT與功率器件

采用場截止型（Field Stop）IGBT結構，結合背面減薄和激光退火等工藝，支持600V至1200V高壓應用，廣泛應用于工業變頻、新能源汽車和智能電網等領域。

3. BCD+集成技術

• BCD-SOI工藝：集成嵌入式非易失性存儲和絕緣體上硅（SOI）技術，適用于滿足AEC-Q100標準的汽車電子高可靠性場景。

• 高壓工藝：覆蓋5V至650V電壓范圍，支持面板驅動和電源管理等應用。

SMIC提供超低功耗射頻技術，整合超低功耗邏輯與嵌入式閃存，優化智能卡和傳感器等設備的功耗與成本。

2. 車規級工藝

SMIC的車規級工藝符合AEC-Q100 G0/G1/G2可靠性要求，支持車用MCU、傳感器和電源管理芯片等，12英寸晶圓廠提供鋁/銅后段工藝，滿足車規級芯片的大規模量產需求。

四、技術發展趨勢與挑戰

盡管SMIC在先進制程方面取得了顯著進展，但仍面臨以下挑戰：

• 設備限制：由于無法獲得EUV光刻設備，SMIC需依賴多重圖形化技術實現更小的制程節點，導致制造復雜度增加，成本上升，良率下降。

• 技術自主性：SMIC正在積極與國內設備制造商合作，開發本土EUV技術，以減少對外國設備的依賴。

總體而言，SMIC通過在成熟制程、特色工藝和先進制程方面的多元化布局，逐步實現技術自主化，滿足多樣化市場需求，提升在全球半導體產業鏈中的競爭力。

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