（圖片來源：林志佳拍攝）

4月22日消息，市場傳三星電子通知客戶于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲器生產(chǎn)（End of Life），并要求客戶在6月前完成最后買進訂單，預計最遲于10月前出貨，主要原因是國內手機LPDDR4存儲芯片訂單轉到本土工廠制造，三星將聚焦LPDDR5以上的高端產(chǎn)品。

對此傳聞，4月22日中午，三星半導體方面對鈦媒體AGI獨家回應稱：不評論業(yè)界傳言，生產(chǎn)在按序進行。

據(jù)悉，CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，在AI服務器的強勁需求帶動下，2024年，全球DRAM和NAND閃存銷售收入創(chuàng)1670億美元的歷史新高，比上一年漲85.53%，但去年第四季度，全球NAND閃存規(guī)模卻減少8.5%，至174.1億美元。預計2025年，全球存儲市場產(chǎn)值預計僅實現(xiàn)2%的微幅增長。

在DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）方面，2024年DRAM市場規(guī)模達到970億美元，容量達到2500億Gb，其中，HBM熱潮成為DRAM市場的一大亮點。

CFM閃存市場預計，到2025年，隨著三星、美光、SK海力士等多家公司的HBM4將量產(chǎn)落地，HBM產(chǎn)品在全部DRAM產(chǎn)業(yè)中的占比將接近30%，市場將達到2880億Gb當量，并且在服務器內存消耗方面，其應用還在持續(xù)增長。

財報顯示，2024年，三星電子公司實現(xiàn)收入300.9萬億韓元 （約1.52萬億元人民幣），同比增長16%；而歸母凈利潤則飆升至33.6萬億韓元 （約1692.43億元人民幣），同比增長131%。其中，三星內存業(yè)務成為主要增長引擎，銷售額達84.5萬億韓元，同比增長91%，HBM及DDR5產(chǎn)品貢獻顯著。

目前，三星主要瞄向中高端DRAM存儲和NAND閃存芯片市場。據(jù)公開報道，2025年，三星將HBM3E產(chǎn)能提升三倍，并將QLC SSD的市場占比目標設定為30%，相比2024年的15%大幅提高。同時，公司計劃減少超過20%的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能，轉向生產(chǎn)LPDDR5x及HBM等高端產(chǎn)品。

今年1月，HBM4內存已經(jīng)準備采用4nm試產(chǎn)，待完成邏輯芯片最終性能驗證后，三星將提供HBM4樣品驗證。

三星電子表示，這一強勁表現(xiàn)得益于對存儲芯片的強勁需求，包括用于 AI 服務器和固態(tài)硬盤（SSD）的存儲芯片。“HBM、DDR5等以服務器為中心的產(chǎn)品銷售擴大，同時公司積極應對生成式AI服務器用高附加值產(chǎn)品的需求，使得業(yè)績較上季度大幅改善。”

里昂證券(CLSA)分析認為，數(shù)據(jù)中心和 AI 開發(fā)需求推動內存芯片的平均價格較上一季度上漲了15%，這幫助三星最大的部門扭轉了上年同期虧損。美銀預計，三星2025年的HBM3e銷售預計達24億美元，占HBM總銷售額的34%。

（本文首發(fā)于鈦媒體App，作者｜林志佳）