廣東
【太平洋科技快訊】近日，英特爾在2025年VLSI研討會上公布了更多關于其最新制程節點Intel 18A的細節，展現了其在半導體領域的最新突破，并與臺積電的2nm制程展開直接競爭。
英特爾18A制程采用了兩項關鍵創新技術：RibbonFET環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。RibbonFET技術通過全環繞柵極設計，實現對電流的精確控制，從而提升晶體管性能和能效。而PowerVia技術則是業界首創，將供電線路移至芯片背面，釋放了正面布線空間，提高了單元封裝密度和電力傳輸的穩定性。
在PPA(性能、功耗、面積)方面，Intel 18A制程表現出色。在標準Arm核心架構的芯片上，Intel 18A在1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外，其面積利用率也高于前代Intel 3制程，意味著更高的面積效率和更高密度設計的潛力。
市場分析指出，Intel 18A制程的性能值為2.53，略高于臺積電N2的2.27。盡管在晶體管密度方面可能略遜一籌，但Intel 18A憑借其創新的背面供電技術，在面積效率和電力傳輸穩定性方面扳回一城。TechInsights的分析也顯示，Intel 18A在性能方面具有優勢。
英特爾預計將首先在其Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU中采用Intel 18A制程。這些產品主要面向高性能計算和服務器市場。市場預計，搭載Intel 18A制程的終端產品最早將在2026年問世。如果良率問題得到有效控制，Intel 18A有望成為臺積電2nm制程的有力競爭者，并在云計算、AI等領域推動英特爾市場份額的增長。
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