作者/星空下的烤包子

編輯/菠菜的星空

排版/星空下的綠豆湯

最近一段時(shí)間，有一個(gè)賽道的產(chǎn)品迎來(lái)了漲價(jià)潮，引來(lái)了眾多投資者的關(guān)注，那就是存儲(chǔ)芯片。

數(shù)據(jù)最能說(shuō)明一切，據(jù)集邦咨詢預(yù)計(jì)，今年第二季度NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）價(jià)格將比第一季度上漲0%至5%，3D NAND Wafers（多層垂直堆疊閃存晶圓）價(jià)格將環(huán)比上漲10%至15%。其中，閃迪之前已率先宣布從4月1日起對(duì)旗下產(chǎn)品實(shí)施超過(guò)10%的漲價(jià)。

一般來(lái)說(shuō)，產(chǎn)品價(jià)格的上漲意味著行業(yè)景氣度的提升。去年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)突破了1600億美元，創(chuàng)下了歷史新高，而今年在AI服務(wù)器部署加快，以及消費(fèi)電子增長(zhǎng)等多重因素推動(dòng)下，投資者們對(duì)這個(gè)領(lǐng)域更是充滿了期待。

而在存儲(chǔ)芯片這個(gè)領(lǐng)域，HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）作為一種基于3D堆棧工藝的高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，本質(zhì)上可以把多塊DRAM堆疊起來(lái)后與GPU芯片封裝在一起，從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和高能效，被產(chǎn)業(yè)玩家視為存儲(chǔ)領(lǐng)域的一次革命。

HBM結(jié)構(gòu)示意圖（來(lái)源：海力士）

那么，HBM目前產(chǎn)業(yè)供需關(guān)系如何？國(guó)內(nèi)玩家能否在這個(gè)領(lǐng)域取得突破呢？筆者今天帶你來(lái)一探究竟。

一、三巨頭壟斷

據(jù)筆者觀察，HBM的發(fā)展階段，正處于從1到10的拐點(diǎn)上。

僅從當(dāng)前的HBM市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，其去年的市場(chǎng)規(guī)模大約有150億美元，規(guī)模不大，但是在AI的驅(qū)動(dòng)下，其最近幾年的增速還是非常值得期待的。據(jù)中信建投證券測(cè)算，2026年HBM市場(chǎng)將增長(zhǎng)到242億美元，最近四年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率將突破80%。

存儲(chǔ)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)（來(lái)源：Yole）

而HBM這個(gè)市場(chǎng)又是高度集中的，幾乎被SK海力士、三星、美光三家企業(yè)壟斷。而且三位玩家還在這個(gè)領(lǐng)域瘋狂加碼。比如SK海力士表示，公司2025年HBM產(chǎn)能已售罄，預(yù)計(jì)今年HBM產(chǎn)品將占公司存儲(chǔ)芯片總銷售額50%以上。

在技術(shù)迭代方面，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并在全球首次向主要客戶提供其樣品。要知道，HBM3還是去年市場(chǎng)主流產(chǎn)品，SK海力士市占率超過(guò)90%，而今年又推陳出新。可以說(shuō)海力士在技術(shù)創(chuàng)新這個(gè)領(lǐng)域“卷”出了新高度。

無(wú)獨(dú)有偶，三星電子正在進(jìn)行HBM3E 8層和12層產(chǎn)品的資格認(rèn)證測(cè)試，其計(jì)劃在今年上半年供應(yīng)12層產(chǎn)品。

其實(shí)，不光是SK海力士，其他玩家也通過(guò)布局HBM領(lǐng)域，獲得了實(shí)在的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。就比如美光的HBM3E堆棧被應(yīng)用于英偉達(dá)的GB200系統(tǒng)中。公司2025財(cái)年第二季度營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)了38%，凈利潤(rùn)則直接實(shí)現(xiàn)了翻倍。

根據(jù)分析師估算，美光在第二財(cái)季的HBM內(nèi)存銷售額為11.4億美元，環(huán)比增長(zhǎng)52%，同比增長(zhǎng)19倍。

二、每個(gè)環(huán)節(jié)，都不可或缺

如果我們把HBM的產(chǎn)業(yè)鏈拆開(kāi)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)不同環(huán)節(jié)的玩家各司其職。

上游設(shè)備商主要提供生產(chǎn)HBM所需的原材料和設(shè)備，如硅晶圓、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，而中游玩家負(fù)責(zé)將原材料加工成HBM芯片（一般包括晶圓制造、切割、封裝等環(huán)節(jié)）。下游則是HBM芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域。

HBM產(chǎn)業(yè)鏈（來(lái)源：智研咨詢）

在上游領(lǐng)域，有部分國(guó)內(nèi)玩家選擇融入全球HBM產(chǎn)業(yè)鏈，成為上游供應(yīng)鏈的一員，成員主要包括做材料、代銷和封測(cè)的企業(yè)。比如雅克科技（002409）作為HBM芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵材料供應(yīng)商，提供半導(dǎo)體前驅(qū)體材。去年?duì)I業(yè)收入和凈利潤(rùn)分別同比增長(zhǎng)了41%和55%。

據(jù)筆者了解，以中游環(huán)節(jié)為例，HBM制造主要包括TSV（硅通孔）、micro bumping（微凸點(diǎn)制作）和堆疊鍵合三個(gè)環(huán)節(jié)，核心壁壘在于晶圓級(jí)先進(jìn)封裝工藝。

假如HBM毛利率為50%左右，去年HBM生產(chǎn)各環(huán)節(jié)合計(jì)市場(chǎng)空間突破了90億美元，還是HBM產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的環(huán)節(jié)。

三、國(guó)內(nèi)玩家，一刻不停

在HBM生產(chǎn)制造這個(gè)環(huán)節(jié)，客觀地講，目前國(guó)內(nèi)受制于DRAM和先進(jìn)封裝量產(chǎn)工藝，國(guó)內(nèi)玩家尚無(wú)大規(guī)模HBM量產(chǎn)的產(chǎn)品，仍主要處于研發(fā)階段。就以先進(jìn)封裝工藝為例，武漢新芯的三維集成工藝涉及了上述HBM生產(chǎn)的核心三大工藝，但目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有HBM的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

在當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦不斷升級(jí)的背景下，盡管HBM國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0，雖然美國(guó)對(duì)中國(guó)HBM芯片及制造設(shè)備的制裁還未正式出臺(tái)，但是國(guó)內(nèi)玩家仍然需要在這個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行大規(guī)模投入，防止哪一天真的被“卡脖子”。

而從當(dāng)前的情況來(lái)看，雖然HBM行業(yè)門(mén)檻極高（要求企業(yè)能做出一流的DRAM，在此基數(shù)上再做3D堆疊），已經(jīng)有一些玩家取得了一定的進(jìn)展。

國(guó)內(nèi)玩家目前也將攻克重點(diǎn)放在了HBM2上。比如通富微電（002156）近期已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)HBM2，并提供給特定客戶，也已經(jīng)開(kāi)始向一些客戶提供HBM2內(nèi)存測(cè)試包。除此之外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了HBM2內(nèi)存的客戶送樣測(cè)試，預(yù)計(jì)今年年內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。

通富微電股價(jià)情況（來(lái)源：百度）

但是進(jìn)入了HBM3階段，國(guó)內(nèi)玩家相較于國(guó)外龍頭的差距還是不小的，需要更多的時(shí)間去實(shí)現(xiàn)自主突破。雖然長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在2026年量產(chǎn)HBM3，隨后于2027年生產(chǎn)HBM3E，但具體能否實(shí)現(xiàn)，還需要時(shí)間去進(jìn)一步檢驗(yàn)。

但是夢(mèng)想還是要有的，萬(wàn)一哪一天實(shí)現(xiàn)了呢？

注：本文不構(gòu)成任何投資建議。股市有風(fēng)險(xiǎn)，入市需謹(jǐn)慎。沒(méi)有買(mǎi)賣(mài)就沒(méi)有傷害。