存儲芯片，又稱為半導體存儲器，主要用于數據存儲和讀取，是集成電路的三大品類之一（另外兩個分別是邏輯芯片和微處理器芯片），主要應用于內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬盤等領域。根據存儲數據的特性，可分為以下兩類：

· 易失性存儲器（Volatile Memory，斷電后存儲的數據會丟失，主要用于臨時存儲數據），包括DRAM（動態隨機存取存儲器，俗稱內存條）、SRAM（靜態隨機存取存儲器）

· 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory，斷電后存儲的數據不會丟失，主要用于長期存儲數據），主要代表是ROM（只讀存儲器）、Flash Memory（閃存，包括NOR Flash和NAND Flash）

2024年全球存儲市場規模達到1670億美元，創下歷史新高。其中，DRAM占比超過一半（973億美元）。簡單的架構（每個存儲單元僅包含一個晶體管）可實現更高的密度和更低的成本，使其成為大規模存儲器應用的首選（例如筆記本電腦/平板電腦、智能手機等消費電子產品的運行內存）。

隨著人工智能、云計算、物聯網等技術的快速發展，數據中心對內存的需求持續增長，不僅要求大容量的DRAM，還對其性能和穩定性提出更高要求，以滿足海量數據的快速處理和存儲需求。毫不夸張地說，“沒有數據就沒有人工智能”。

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）成為全球關注點，已成為全球人工智能訓練/推理系統的最關鍵組成部分。到2027年，其需求將以每年82%的速度增長。

簡單介紹一下，這是一種高性能的3D堆疊DRAM技術，通過將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起，并利用硅通孔（TSV）技術和微凸點（microbump）技術實現芯片間的高速互連，不僅大幅減少存儲體系空間占比，也大幅降低數據傳輸的能耗。與傳統的平面內存解決方案相比，可以在單個封裝中實現更大的內存容量。

根據Counterpoint Research發布的報告顯示，2025年第一季度全球DRAM行業格局發生了新變化。行業前三名合計占據95%市場份額（按銷售額計算），其他廠商（包括中國的長鑫存儲、長江存儲，臺灣省的華邦、南亞和力晶）僅有5%的份額。

美光科技（Micron Technology）排名第三，市占率為25%。這是美國最大的半導體存儲制造商，成立于1978年，總部坐落于愛達荷州首府博伊西市。2025財年第二財季（截至2025年2月27日的三個月）實現營收80.53億美元，凈利潤15.83億美元，同比分別增長38.22%和99.62%。

2月26日，美光宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設計的1γ(1-gamma) 第六代 (10納米級) DRAM 節點的DDR5內存樣品。這款產品的數據傳輸速率可達 9200MT/s，較上一代提升15%，功耗降低超過20%。

三星電子自1992年起，已連續30多年牢牢占據著行業第一的寶座，不過今年第一季度被擠到第二位，市場份額為34%。SK海力士取而代之，市占率達到36%。事實上，兩家韓國企業的競爭態勢從2023年第四季度起就發生顯著變化，三星電子的份額從45.5%持續下滑，SK海力士則從31.8%穩步攀升。

此消彼長的背后，人工智能浪潮帶來的HBM需求激增是主要推手。作為HBM芯片的開創者（2013年率先量產），SK海力士在該領域占據70%的市場份額，獨家供應英偉達Blackwell Ultra 架構芯片第五代12層 HBM3E。

去年8月，SK海力士成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM，目前良率約為80%，較去年下半年的六成有明顯提升，即將達到大規模生產所需的水平。

去年，SK海力士營收創下歷史新高，同比增長102%至66.1930萬億韓元；凈利潤為19.7969萬億韓元，2023年同期虧損9.11萬億韓元。第四季度，HBM占據整個DRAM銷售額的40%以上。