前言

在全球功率半導體產(chǎn)業(yè)加速向第三代材料氮化鎵遷移的態(tài)勢中，無不時刻上演一場技術(shù)與資本的雙重爭奪戰(zhàn)。近期，業(yè)界動作頻頻，從新品發(fā)布到產(chǎn)能擴張，從資本并購到技術(shù)突破，近年來，氮化鎵賽道呈現(xiàn)出前所未有的活躍態(tài)勢。為助力各位讀者朋友了解最近氮化鎵半導體行業(yè)動態(tài)，充電頭網(wǎng)整理了2024年10月-2025年3月底間的行業(yè)事件，下文小編將為您詳細介紹。

近期氮化鎵半導體行業(yè)動態(tài)

以下排序不分先后，按品牌拼音首字母順序排列。

2024年10月

鎵仁半導體成功制備2英寸氧化鎵單晶和超厚6英寸氧化鎵單晶

2024年10月，據(jù)鎵仁半導體官微消息采用自主研發(fā)設(shè)備采用垂直布里奇曼法首次成功制備2英寸氮化鎵單晶。同月，鎵仁半導體采用自主研發(fā)的第二代鑄造法成功制備6英寸超厚氮化鎵單晶，晶錠厚度達20mm以上。

納微發(fā)布四款基于DPAK-4L封裝氮化鎵參考設(shè)計

2024年10月14日，納微半導體正式發(fā)布了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim系列，并于10月15日在深圳召開了全球發(fā)布會。本次發(fā)布會帶來100W Flyback PFC（100W單級PFC演示板）、75W TV Power demo（針對電視電源適配器設(shè)計的演示板）、70W demo（70W氮化鎵電源適配器方案）、65W demo（65W氮化鎵電源適配器方案）多款參考設(shè)計demo。

1、納微發(fā)布四款基于DPAK-4L封裝氮化鎵參考設(shè)計

英飛凌宣布推出全球最薄硅晶圓

2024年10月29日，英飛凌官微消息。英飛凌宣布在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，推出直徑為300mm，厚度為20μm的硅功率晶圓，厚度僅為頭發(fā)絲的四分之一，厚度僅為40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，本次創(chuàng)新可令基板電阻降低50%，系統(tǒng)功率損耗降低15%以上，能夠有效降低高端AI服務(wù)器功率損耗。

2024年11月

Pi發(fā)布了全球首款1700V氮化鎵功率IC——InnoMux-2系列

在2024年11月份，Power Integrations視頻號發(fā)布了全球首款1700V氮化鎵功率IC——InnoMux-2系列，這一成果標志著氮化鎵技術(shù)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域取得了里程碑式的突破，并重新定義了高壓功率器件的性能標準。依托PI獨有的PowiGaN技術(shù)，InnoMux-2憑借高達1700V的耐壓能力，以及對1000VDC額定輸入電壓的輕松支持，成為業(yè)界在高壓領(lǐng)域的新標桿。

1、Power Integrations InnoMux-2引領(lǐng)高壓氮化鎵技術(shù)突破

2024年12月

忱芯科技完成2億元B輪融資

2024年12月，忱芯科技完成2億元B輪融資，本輪融資由國投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，陽光融匯、蘇創(chuàng)投和其老股東火山石投資跟投。該公司聚焦碳化硅/氮化鎵/硅基功率半導體測試，推出覆蓋全環(huán)節(jié)的測試系統(tǒng)，突破低雜感技術(shù)（6nH），已交付200余臺設(shè)備，服務(wù)海內(nèi)外龍頭企業(yè)。公司同步布局醫(yī)療CT高壓發(fā)生器及精密源表，獲 100 余項專利。團隊由20年碳化硅領(lǐng)域?qū)＜颐惥┦款I(lǐng)銜，獲資本認可其技術(shù)領(lǐng)先性及全球化布局能力，本輪資金將用于研發(fā)、量產(chǎn)及國際市場拓展。

聚芯半導體完成超億元Pre-A輪融資

2024年12月，聚芯半導體完成超億元Pre-A輪融資，由華金資本領(lǐng)投，深圳高新投、深擔創(chuàng)投、國證投資、北京虹石、廣州珩創(chuàng)、北京翰龍知行、深圳云創(chuàng)、半山創(chuàng)投等多家知名創(chuàng)投基金跟投。公司成立于2023年，專注研發(fā)生產(chǎn)納米二氧化鈰CMP拋光液，應(yīng)用于碳化硅、氮化鎵及14n 以下先進制程，系半導體核心工藝材料。其珠海金灣基地已建成年產(chǎn)能6000噸的現(xiàn)代化產(chǎn)線，產(chǎn)品通過國內(nèi)外多家芯片代工廠、封測企業(yè)驗證，覆蓋半導體、光學等領(lǐng)域。資金將用于千噸級產(chǎn)線智能化升級及研發(fā)投入。

羅姆與臺積電合作攜手研發(fā)車載氮化鎵功率器件

羅姆官網(wǎng)消息，12月10日，全球半導體巨頭羅姆與臺積電宣布深化合作，共同開發(fā)車載氮化鎵功率器件。雙方將整合羅姆的器件設(shè)計技術(shù)與臺積電領(lǐng)先的GaN-on-Silicon工藝，重點突破電動汽車的車載充電器和逆變器應(yīng)用。此次合作基于羅姆2023年成功推出的 650V EcoGaN?系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品已用于消費電子及工業(yè)設(shè)備。

安森美買下晶圓廠，業(yè)界猜測可能用于生產(chǎn)氮化鎵器件

外媒消息，2024年12月13日，安森美以及2000萬美元價格購置位于德威特一家空置芯片工廠，并計劃雇傭100+員工，業(yè)界猜測可能用于生產(chǎn)氮化鎵器件。

英諾賽科港股上市

2024年12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”或“公司”）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，股票代碼02577.HK。這是國內(nèi)半導體行業(yè)的一件大事。作為一家專注于氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)，英諾賽科的上市不僅是企業(yè)自身發(fā)展的重要里程碑，更標志著國內(nèi)第三代半導體技術(shù)加速走向國際市場。

2025年1月

德州儀器推出新一代的氮化鎵技術(shù)，助力提升光伏逆變器設(shè)計性能

2025年1月，Ti德州儀器就如何采用氮化鎵技術(shù)來提升光伏逆變器設(shè)計性能開展了一個研討會，在此次研討會中展示了三個基于TI氮化鎵技術(shù)的光伏系統(tǒng)參考設(shè)計，并重點介紹了TIDA-010933和TIDA-010938兩個逆變器設(shè)計。分別可滿足家用儲能系統(tǒng)的需求和更大功率的光伏系統(tǒng)。

另外，德州儀器還推出了兩款100V集成式氮化鎵功率模塊：LMG20004R和LMG3000R017。這些模塊集成了驅(qū)動、欠壓保護和自舉電路，能夠顯著簡化系統(tǒng)設(shè)計并提高功率密度。

1、德州儀器推出新一代的氮化鎵技術(shù)，助力提升光伏逆變器設(shè)計性能

豐田合成開發(fā)出8英寸氮化鎵單晶晶圓

1月8日，豐田合成開發(fā)出8英寸氮化鎵單晶晶圓，企采用Na-flux工藝解決大尺寸單晶生長難題。該襯底用于垂直GaN晶體管，性能優(yōu)于市售襯底。該項目獲日本環(huán)境省支持，此前已量產(chǎn)1500V橫向GaN 器件用于太陽能發(fā)電，此次突破為高功率電子設(shè)備提供核心器件支撐。

MACOM擴建氮化鎵晶圓廠

1月14日，美企MACOM于宣布投資3.45億美元，對馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導體工廠進行全面升級。馬薩諸塞州工廠將擴建潔凈室，升級4英寸晶圓產(chǎn)線并引入6英寸碳化硅基氮化鎵技術(shù)。

2025年2月

龍騰半導體獲西安控股追加投資，加速推進8英寸功率半導體項目二期建設(shè)

據(jù)“西安發(fā)布”消息，2025年2月，西安投資對龍騰半導體追加股權(quán)投資，全力支持其8英寸功率半導體器件制造項目二期晶圓產(chǎn)線建設(shè)進程。

英諾賽科功率TO247-4L E-Mode合封氮化鎵新品

2025年2月，英諾賽科宣布發(fā)布新產(chǎn)品，其采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動和短路保護的 GaN功率IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅(qū)動器、快速短路保護和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

ROHM羅姆推出650V EcoGaN Power Stage IC

充電頭網(wǎng)2月1日消息，羅姆公司推出的650V EcoGaN Power Stage IC是專為數(shù)據(jù)服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備以及消費電子設(shè)備中的AC適配器等一次側(cè)電源開發(fā)的功率級集成電路。該產(chǎn)品集成了650V的GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），并通過專用的柵極驅(qū)動器進一步發(fā)揮GaN HEMT的性能。同時，產(chǎn)品增加了新的功能和外圍元件，能夠滿足不同應(yīng)用場景的需求。EcoGaN IC的設(shè)計不僅提升了整體系統(tǒng)的性能，還在體積和功耗方面表現(xiàn)出色，尤其適用于需要高效功率管理的設(shè)備。

1、高集成度，低功耗，羅姆EcoGaN系列產(chǎn)品亮相PCIM Asia 2024

英集芯推出Eco-Step PFC系列100W氮化鎵電源方案

充電頭網(wǎng)2月14日消息，英集芯推出了一款基于降壓PFC和QR反激架構(gòu)設(shè)計的100W氮化鎵電源DEMO，該DEMO基于自家IP2015+IP2006HT+IP2028+IP2723TH全套方案進行設(shè)計，支持90-264V寬電壓輸入以及100W輸出，待機功耗小于150mW，效率滿足CoC_V5_Tier能效要求。標志著在大功率電源領(lǐng)域，英集芯擁有為客戶提供端到端一站式解決方案的能力。

英飛凌晶圓廠獲9.2億歐元補貼

當?shù)貢r間2月20日，歐盟委員會批準總額為9.2億歐元的《歐洲芯片法案》補貼，用支援于英飛凌在德國德累斯頓建設(shè)的功率半導體和模擬/混合信號組件工廠。

英諾賽科正式進入中國功率器件市值前三強！

截至2025年2月24日，英諾賽科達486.59億元，成功躋身中國功率器件市值前三強。英諾賽科的異軍突起，絕非偶然。在全球半導體產(chǎn)業(yè)加速變革的浪潮中，功率器件市場作為關(guān)鍵領(lǐng)域，競爭本就異常激烈。華潤微憑借深厚的技術(shù)積累和廣泛的市場布局，一直穩(wěn)坐行業(yè)頭部；士蘭微也以持續(xù)的創(chuàng)新和對市場的精準把握，在市場中占據(jù)著重要地位。而英諾賽科能在眾多競爭對手中脫穎而出，成功闖入市值前三，背后是其多年來在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能提升、市場拓展等多方面的精心布局與不懈努力。這不僅是英諾賽科自身發(fā)展的重大里程碑，更是中國功率器件行業(yè)發(fā)展的一個重要轉(zhuǎn)折點，預示著行業(yè)將迎來更為激烈的競爭與全新的發(fā)展格局。

1、英諾賽科正式進入中國功率器件市值前三強！

東科推出200W AI PC一站式氮化鎵電源解決方案，零噪音與高效兼得

充電頭網(wǎng)2月28日消息，東科半導體推出了一站式 200W AI PC電源解決方案，基于PFC芯片DK3603AG、AHB芯片DK8718AD與同步整流芯片DK5V100R10ST1三大核心組件，實現(xiàn)了高效率、高密度與零噪音的突破。其技術(shù)路線直擊行業(yè)痛點，不僅適配AI PC的高算力需求，更為未來智能設(shè)備的電源設(shè)計樹立了新標桿。在AI驅(qū)動的高功率時代，東科憑借全鏈自主技術(shù)，正加速推動電源系統(tǒng)的迭代升級。

1、東科推出200W AI PC一站式氮化鎵電源解決方案，零噪音與高效兼得

英諾賽科推出100V GaN新品，改寫AI與48V電源應(yīng)用規(guī)則！

充電頭網(wǎng)2月28日消息，英諾賽科近期推出的100V增強型GaN功率器件INN100EA035A，不僅是全球首個實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的100V級GaN解決方案，更通過雙面散熱封裝與優(yōu)化設(shè)計，重新定義了電源系統(tǒng)的性能邊界，為AI服務(wù)器及48V基礎(chǔ)設(shè)施的高效能源轉(zhuǎn)換提供了全新解決方案。

En-FCLGA封裝通過雙面散熱架構(gòu)與低寄生參數(shù)設(shè)計，成功解決了高功率密度場景下的效率與可靠性矛盾。從技術(shù)參數(shù)看，3.5mΩ級導通電阻、7nC級柵極電荷以及42nC輸出電荷的組合，使該芯片在48V總線架構(gòu)中展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。相較于現(xiàn)有硅基方案，該器件不僅可以將功率密度提升約20%，更通過零反向恢復特性降低了高頻諧振風險，為AI服務(wù)器電源、太陽能MPPT及電機驅(qū)動等場景提供了更優(yōu)的半導體基礎(chǔ)。

1、英諾賽科推出 100V GaN新品，改寫 AI 與 48V 電源應(yīng)用規(guī)則！

2025年3月

新微半導體推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺

3月10日，上海新微半導體正式推出650V硅基氮化鎵增強型功率工藝代工平臺。該平臺采用先進P帽層柵極與化學機械平坦化鎢栓/鋁集成電路互聯(lián)工藝，實現(xiàn)低表面態(tài)與高可靠性，實現(xiàn)了氮化鎵形貌的精準控制與低表面態(tài)。HTRB/HTGB/DHTOL等關(guān)鍵可靠性指標符合JEDEC標準。采用該平臺制造的器件性能突出，比導通電阻350mΩ?mm2，品質(zhì)因數(shù)300mΩ?nC，兼具低開關(guān)損耗與低導通損耗，有效提升產(chǎn)品性能并控制成本。

英諾賽科 (02577.HK) 正式納入港股通！

3月10日，全球氮化鎵技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（股票代碼：02577）正式納入港股通標的證券名單。這一舉措不僅彰顯了資本市場對氮化鎵產(chǎn)業(yè)前景的堅定信心，更標志著英諾賽科作為“中國芯”代表的國際競爭力獲得廣泛認可。

1、英諾賽科 (02577.HK) 正式納入港股通！

臺灣技術(shù)派GaNrich嘉和半導體GaN on Sapphire 讓硅基用戶秒切氮化鎵方案

充電頭網(wǎng)3月12日消息，臺灣嘉和半導體股份有限公司（GaNrich Semiconductor Corp. 以下簡稱：GaNrich）憑借獨特的藍寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire）技術(shù)，推出可無縫替換傳統(tǒng)硅基與碳化硅組件的氮化鎵功率器件，一舉打破行業(yè)桎梏，為AI服務(wù)器、工業(yè)電源、新能源等領(lǐng)域帶來顛覆性解決方案。

GaNric 推出的“GaN on Sapphire”技術(shù)，采用獨特的垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計，結(jié)合藍寶石優(yōu)異的散熱性能與絕緣特性，可以有效隔離主控芯片與其他封裝元件之間的干擾，實現(xiàn)了：無縫替換，系統(tǒng)升級零門檻、高可靠性，突破散熱瓶頸、成本優(yōu)勢，加速市場化普及、主動保護機制，智能防御異常工況四項技術(shù)創(chuàng)新。

AOS萬國半導體推出GTPAK與GLPAK兩款全新MOSFET封裝方案！

充電頭網(wǎng)3月15號消息，全球領(lǐng)先的功率半導體供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（納斯達克代碼：AOSL，以下簡稱：AOS）宣布推出兩款先進的表面貼片封裝選項 ——GTPAK與GLPAK。該技術(shù)將率先應(yīng)用于 AOGT66909 和 AOGL66901 MOSFET器件中，通過優(yōu)化封裝設(shè)計，助力客戶在提升系統(tǒng)性能的同時降低復雜度與成本。

目前，AOGT66909與AOGL66901已全面投入量產(chǎn)，交貨周期為14-16周，千片單價分別為3.6美元與3.15美元。此次發(fā)布的新型封裝技術(shù)，將為下一代電動車動力系統(tǒng)、工業(yè)伺服驅(qū)動等領(lǐng)域提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速，AOS 將持續(xù)加大研發(fā)投入，以技術(shù)創(chuàng)新推動綠色能源應(yīng)用高效發(fā)展。

1、AOS 萬國半導體推出 GTPAK 與 GLPAK 兩款全新MOSFET封裝方案！

英諾賽科與EPC發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得完全勝利

2025年3月18日，美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利（US’294號專利） 作出最終裁定，判決該專利所有權(quán)利要求均無效且應(yīng)被撤銷，標志著英諾賽科與EPC發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得完全勝利！令英諾賽科旗下產(chǎn)品進口美國不受限制。

1、全球氮化鎵專利第一案，中企獲得重大進展

致能藍寶石襯底技術(shù)的氮化鎵功率器件成功完成高溫CCM 5000小時的嚴苛測試

充電頭網(wǎng)3月26日消息，致能在第三代半導體氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得重大突破，其采用藍寶石襯底技術(shù)的氮化鎵功率器件成功完成高溫CCM 5000小時的嚴苛測試，標志致能半導體在該領(lǐng)域達到了新的高度，為行業(yè)發(fā)展注入了強大動力。

致能高可靠低成本的氮化鎵被國內(nèi)頭部的手機終端廠家、工業(yè)電源、微逆電源、音箱，車載等客戶廣泛使用及量產(chǎn)。同時晶圓也與國內(nèi)頭部IC廠家進行合封批量出貨，650V/900V/1200V晶圓得到了客戶廣泛認可。

1、一文帶您了解為何致能選擇藍寶石襯底氮化鎵路線

以上便是本次氮化鎵半導體行業(yè)事件速遞的全部內(nèi)容，如您需要持續(xù)了解氮化鎵半導體行業(yè)風向，您可以關(guān)注充電頭網(wǎng)，我們將會持續(xù)為您整理業(yè)界最新動向。

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