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根據市場研究公司Counterpoint Research周三發布的一項新分析報告，SK海力士史上首次奪得全球DRAM市場冠軍，超越了長期以來的行業領導者三星電子。

報告指出，今年第一季度，SK海力士占據了全球DRAM市場36%的份額，略高于三星電子的34%和美光的25%。該公司強勁增長的關鍵驅動力在于其在高帶寬內存（HBM）領域的主導地位，據報道，該公司在該領域占據了70%的市場份額。

這是 SK 海力士自 1983 年成立以來首次在全球存儲器市場占據主導地位。

三星電子曾是存儲器領域的霸主，統治市場長達 30 多年，如今卻被擠到第二位，市場份額為 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 緊隨其后，市場份額為 25%。

SK海力士之所以能反超三星，主要原因是人工智能蓬勃發展，對 HBM 芯片的需求強勁。

HBM，助SK海力士登頂

“這一里程碑歸功于SK海力士能夠滿足DRAM領域，尤其是HBM領域的強勁需求，”Counterpoint Research高級分析師崔正九（Choi Jeong-gu）表示。“這對公司來說意義非凡。”

這家韓國芯片巨頭的成功源于其過去10年來對HBM研發的不懈投入。

2013年，SK海力士在全球首次研發出HBM芯片時，市場對這種高性能芯片的需求并不高。

SK海力士在官方博客中也承認，起初，HBM 的復雜性和利基應用令業界心存疑慮。盡管如此，SK 海力士仍憑借對未來計算的大膽愿景，持續投入資金推進HBM技術，因此在AI熱潮來臨時，憑借其領先地位，SK海力士輕松占領了HBM市場。最新資料顯示，SK海力士憑借其最新推出的12層HBM3E芯片，獨家供應給全球市值最高的AI公司英偉達的AI加速器，在1-3月季度占據了全球HBM銷售額的70%以上。

根據SK海力士3月4日提交的文件，其美國銷售子公司SK海力士美國公司去年的銷售額為33.49萬億韓元（約合230億美元），凈利潤為1049億韓元（約合7190萬美元），較上一年的12.54萬億韓元（約合85.9億美元）增長了2.6倍。去年，SK海力士業績創歷史新高，總銷售額達66.19萬億韓元，營業利潤達23.47萬億韓元。HBM產品表現尤為強勁，占第四季度DRAM總銷售額的40%以上。

SK 海力士預計，在人工智能的推動下，該公司預計，到 2027 年，HBM 內存芯片的需求將以每年 82% 的速度增長。

Counterpoint分析師也表示：“SK海力士已經做好了充分的準備，以應對HBM需求的激增。”這和韓國時報的報道一致。因為后者表示，SK 海力士預計其 HBM 銷量將在 2025 年翻一番。

SK海力士管理層在電話會議上表示，今年上半年，HBM3E將占我們HBM的一半以上。此外，我們相信12層HBM4將成為我們2026年的旗艦產品，并將在今年完成12層HBM4的開發和量產，以便我們能夠按時交付給客戶。

“我們的目標是在今年下半年完成HBM4的開發和量產準備，并開始供應。HBM4的供應將從12層芯片開始，然后是16層。預計16層芯片將根據客戶需求在2026年下半年交付。”SK海力士管理層強調。該公司認為，配備人工智能的智能手機和個人電腦的銷量將會擴大，從而在 2025 年下半年推動其消費市場的銷售額增長。

作為對比，三星則更依賴于傳統DRAM。相關報道指出，該公司約80%至90%的芯片銷售額依賴于傳統芯片。然而，由于中國廠商憑借更便宜的替代品迅速崛起，傳統內存芯片的需求正在減弱，價格也在下降，這也是推動擁有HBM領先優勢的SK海力士更上一層樓的原因之一。。

由于HBM需求預計將保持強勁，分析師認為SK海力士很可能在第二季度保持領先地位。盡管人們對美國加征關稅的擔憂日益加劇，但預計其對HBM市場的影響有限。

Counterpoint分析師表示：“短期內，強勁的人工智能需求將使HBM市場免受貿易相關沖擊的影響。HBM主要用于人工智能服務器，該服務器本質上是一個無國界的產品類別，受貿易壁壘的影響較小。”然而，他警告稱，長期風險依然存在，尤其是如果貿易緊張局勢持續導致整體經濟狀況惡化的話。全球經濟放緩最終可能會對HBM市場的擴張造成壓力。

DRAM制程，也在反超？

如果說HBM的領先是SK海力士能夠領先的果，因就是他們在技術上持之以恒的投入。

據韓國媒體 Hanhooki 的一篇新文章中透露，SK 海力士新的 1c DRAM 良率已達到 80%， 2024 年 8 月宣布，SK 海力士宣布已成功開發出全球首款基于 1c 工藝的 16GB DDR5 DRAM。根據電路線寬的不同，DRAM 的開發順序依次為 1x、1y、1z、1a、1b、1c 和 1d，其中 1c 是最先進的技術。1c 大約等于 11納米到12 納米。

考慮到該公司在 2024 年下半年的良率僅為 60%，這在短時間內可謂是一個巨大的進步。由于該公司目前專注于 HBM4 的生產，我們預計“基于 1c”的 DDR5 內存解決方案不會很快上市。不過，我們可以看到 DRAM 技術在 HBM4 上的實際應用，很可能是性能更強大的 HBM4E。

憑借這一成就，可以肯定地說，SK海力士已經超越三星，暫時占據DRAM領域的技術領先地位。盡管三星自主研發1c DRAM模塊已有相當一段時間，但早前，有媒體報道，他們正在重新評估1c DRAM模塊，以提高良率，該公司仍難以掌控局面。

韓媒Zdnet在二月表示，自去年下半年以來，三星一直在重新設計其尖端 DRAM，以增加芯片尺寸。這是一種比生產力和性能更注重“良品率（良品與投入品的比例）”的戰略，被解讀為將能力集中于HBM（高帶寬存儲器）等高附加值存儲器的穩定量產的戰略。

根據最初規劃，三星電子計劃優先將1c DRAM應用于下一代HBM4（第6代HBM）。目的是快速提高 HBM 與 DRAM 的競爭力，使其領先主要競爭對手一代。 SK Hynix、美光等已決定為HBM4采用1b DRAM。

然而，三星電子的1c DRAM自開發初期以來就一直難以提高成品率。據悉，該系列產品于去年下半年產出首批優質產品，但良率并未達到令人滿意的水平。現在，SK海力士將成為首家開始量產HBM4的公司，遙遙領先于競爭對手，而且看起來，這種差距還將繼續擴大。

據Techinsights在最新的報告中指出，三星和 SK 海力士已將 D1a 和 D1b 單元設計產品商業化，包括 DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X。同時，他們也完成了最小的 12nm 級 DRAM 單元設計。

Techinsights表示，兩家公司在采用 EUV 光刻技術方面均處于領先地位，而美光則在其 1α 和 1β 代中繼續使用基于 ArF 和 ArFi 的圖案化技術，并計劃在其 1γ 代中引入 EUV。三星在 D1a 和 D1b 代中將 EUV 光刻擴展到五個或更多掩模。SK 海力士遵循類似的 EUVL 策略，已將其用于 D1a 和 D1b 代，并計劃在未來幾代中增加 EUVL 步驟。

與此同時，高 K 金屬柵極 (HKMG) 技術正日益普及。三星率先將 HKMG 用于D1x GDDR6 芯片的外圍結構，并將其擴展到 D1y DDR5 芯片。美光已在 D1z 圖形 DRAM 中實現了 HKMG，并將從 D1β 代開始將其擴展到所有 DRAM 類型。SK 海力士在 D1y 和 D1a GDDR6 中集成了 HKMG，最近又在 D1b DDR5 器件中集成了 HKMG。

“明年初，各大廠商將推出D1c工藝的量產DRAM，隨后到2026年或2027年，最終的10納米級DRAM器件（D1d或D1δ節點）將問世。到2030年，DRAM技術預計將縮小到個位數納米節點，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。三星正在開發VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光則專注于垂直堆疊DRAM。DRAM技術的未來前景光明，有望滿足高性能應用和新興技術日益增長的需求。Techinsights強調。

回看過去今年的存儲市場，除了三星、SK海力士和美光等高手過招以外，中國的長鑫存儲、長江存儲，中國臺灣的華邦、南亞和力晶也在“猥瑣發育”。最初，大家可能聚焦的產品替代。但隨著廠商技術的進步，無論是先進，還是后來者，都在產品和技術路線圖策略上發生了變化。

尤其是在地緣政治成為既定事實，人工智能也高速崛起之際，這些廠商的競爭尤為激烈，機會也大增。再加上現在DRAM正在技術變革的關鍵期。

未來，是否會冒出又一個DRAM新巨頭，尚未可知。但可以肯定的是，中國DRAM產業，任重而道遠。

https://koreajoongangdaily.joins.com/news/2025-04-09/business/industry/SK-hynix-claims-top-spot-in-global-DRAM-market-for-first-time/2281302

https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202504090006

https://eng.sk.com/perspectives/hbm-technology-the-silent-catalyst-of-the-ai-revolution

https://www.tweaktown.com/news/104512/sk-hynix-has-phenomenal-yield-rate-increase-of-its-1c-dram-modules-for-consumer-hbm-memory/index.html

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250210164808

https://www.techinsights.com/blog/dram-memory-technology-roadmap-update-q2-2024

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