前言

在能源效率革命與電力電子小型化需求的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）技術正以"第三代半導體"之姿重塑全球功率器件產業格局。2025年，隨著新能源汽車、光伏儲能、AI算力等萬億級市場對高效電能轉換的迫切需求，全球氮化鎵頭部企業掀起新一輪技術競逐。

充電頭網也匯總了近期全球氮化鎵頭部企業推出的各大新品——Power Integrations以1700V氮化鎵開關IC突破電壓瓶頸，納微半導體開創雙向功率芯片新紀元，英諾賽科則在熱管理與系統集成領域樹立新標桿。接下來充電頭網將詳細介紹一下這些新品。

Infineon英飛凌

英飛凌CoolGaN功率晶體管

英飛凌的CoolGaN晶體管是基于氮化鎵技術的高性能功率器件。其采用增強型（E-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）結構，工作電壓覆蓋 40V 至 700V 范圍，具備超快速開關速度、極低的開關損耗（零反向恢復電荷）及出色的動態導通電阻特性。

通過優化柵極電荷和輸出電容，CoolGaN晶體管在硬開關和軟開關拓撲中均表現優秀，可有效提升系統效率和功率密度，同時支持高頻運行，助力設備小型化與輕量化。器件提供多樣化封裝，兼容行業標準，可簡化設計流程并加速產品上市。在音頻放大器中CoolGaN晶體管進一步提高了音頻質量，使總諧波失真（THD）降低70%，實現了更加精準、細膩的聲音體驗，并通過減少40%的待機電流大幅提升了能效。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科 INN100EA035A

英諾賽科推出 100V GaN 功率器件 INN100EA035A，采用先進的雙冷卻 En-FCLGA 封裝，通過優化熱管理將導熱率較傳統單冷卻方案提升65%，有效降低工作溫度并提高系統效率。該器件具備3.5mΩ超低導通電阻、低柵極電荷、低開關損耗及零反向恢復電荷特性，針對AI服務器48V DC-DC電源及高密度應用場景，可較傳統MOSFET方案降低35%以上系統功率損耗，同時提升20%的功率密度。

該產品采用雙面散熱設計通過垂直電流路徑優化PCB布局，減少寄生電阻，簡化了從硅基MOSFET向高性能GaN方案的升級替代。該產品系列覆蓋1.8mΩ至7mΩ導通電阻范圍，適用于AI GPU供電、數據中心電源等場景。

英諾賽科 ISG612xTD

英諾賽科推出的ISG612xTD SolidGaN IC系列是行業首款面向大功率應用的700V E-Mode GaN 功率集成芯片，采用TO-247-4L封裝，集成功率開關管、精密Vgs柵極驅動器及多重保護功能。該系列導通電阻覆蓋22m?~59m?，通過集成米勒鉗位技術支持100V/ns高速開關，無需負壓關斷，并內置去飽和保護、欠壓鎖定及過溫保護，有效提升系統魯棒性。

該產品設計兼容IGBT/SiC/MOSFET引腳布局，可無縫替換傳統器件，簡化設計流程；結合10-24V寬輸入電壓范圍適配主流控制器生態，支持高頻開關及Titanium Plus級能效標準。產品適用于500W-4KW高功率場景，如服務器電源、空調驅動及車載充電機等領域。

Navitas納微

納微半導體650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

納微半導體推出了全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及配套IsoFast高速隔離驅動器，通過單級雙向開關（BDS）拓撲技術革新傳統雙級功率轉換架構。該方案將AC-DC與AC-AC轉換的能效、功率密度和成本優勢推向新高度。

該產品單片集成雙向開關采用漏極合并、雙柵極控制及有源基板鉗位技術，以單一芯片替代4個傳統硅基開關，結合IsoFast驅動器 200 V/ns瞬態抗擾能力及免負壓供電設計，可有效降低系統復雜度、PCB面積及成本，實現典型場景下10%成本縮減、20%能效提升及50%體積壓縮。

目標應用涵蓋電動汽車車載充電、充電樁、光伏逆變器及儲能系統，推動高頻高效單級拓撲替代傳統雙級架構，消除笨重電容與電感，加速能量雙向流動場景的產業化進程。產品已通過認證并量產，評估板面向核心客戶開放，有望重塑數十億美元規模的高效能源轉換市場。

Power Integrations

Power Integrations 推出1700V氮化鎵開關IC，為氮化鎵技術樹立新標桿

Power Integrations推出的InnoMux-2系列單級多路輸出離線式電源IC，是全球首款采用1700V氮化鎵開關技術的產品，該產品基于其專有PowiGaN平臺打造。該器件在反激拓撲中支持1000VDC輸入電壓，通過單級設計實現多路獨立輸出，每路輸出電壓調整精度達±1%，無需后級穩壓器，系統效率提升約10%，整體效率超90%。

該產品具備突破性1700V耐壓，遠超當前市面GaN HEMT水平，并整合三大核心技術：次級側數字隔離通信技術FluxLink、零電壓開關技術，以及多路輸出的精準調控能力，可替代高成本碳化硅方案。應用覆蓋汽車充電、太陽能逆變器、三相智能電表及工業電源系統等領域。

充電頭網總結

氮化鎵技術的快速發展正以前所未有的速度推動功率電子產業的變革。Power Integrations、納微半導體和英諾賽科等企業不斷推出突破性產品，氮化鎵在高電壓、大功率、雙向轉換及高頻高效應用領域的優勢愈發凸顯。從服務器電源到新能源汽車，從光伏儲能到AI計算，氮化鎵正在成為新一代能源轉換的核心支撐技術。

未來，隨著產業鏈的進一步成熟和技術的持續演進，我們有理由期待氮化鎵在更廣泛的應用場景中綻放光彩，為全球能源效率提升貢獻更多可能性。