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來 源：內(nèi)容 編譯自tomshardware，謝謝。

鐵電存儲器公司(FMC) 已與Neumonda聯(lián)手在德國重新建立所謂的 DRAM+ 生產(chǎn)。英飛凌和奇夢達(dá)在德國開發(fā)和生產(chǎn)動態(tài)隨機(jī)存取存儲器已有一段時間了，因?yàn)樵跉W洲生產(chǎn)商品存儲器變得特別無利可圖。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合資企業(yè)將專注于針對特定應(yīng)用的非易失性 FeRAM。

FMC 專注于存儲器，該存儲器使用鐵電氧化鉿 (HfO?) 來創(chuàng)建無需電源即可保留數(shù)據(jù)的 DRAM+。該技術(shù)用非易失性電容器取代了 DRAM 中的典型電容器，在保持高性能的同時提高了能效和數(shù)據(jù)保留率。FMC 認(rèn)為其存儲器可用于廣泛的應(yīng)用，包括人工智能、汽車、消費(fèi)、工業(yè)和醫(yī)療。

較舊的 FeRAM 技術(shù)（通常使用鋯鈦酸鉛 (PZT) 作為鐵電層）容量有限。大多數(shù)商用產(chǎn)品最多只有幾兆字節(jié)，4MB 或 8MB 相當(dāng)常見。PZT 無法隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小而很好地?cái)U(kuò)展，并且與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝的集成既困難又昂貴。因此，像 1T1C（一個晶體管，一個電容器）這樣的單元結(jié)構(gòu)比 DRAM 或 NAND 占用更多的面積。

轉(zhuǎn)向氧化鉿將改變游戲規(guī)則。HfO? 與 CMOS 兼容，可遠(yuǎn)低于 10nm，并可與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝集成。因此，使用氧化鉿可實(shí)現(xiàn)更高的密度和性能，可能達(dá)到千兆位到千兆字節(jié)的范圍，使其更接近 DRAM。

FMC 首席執(zhí)行官 Thomas Rueckes 解釋道：“FMC 成立的目的是利用 HfO2 鐵電效應(yīng)這一顛覆性發(fā)明來開發(fā)半導(dǎo)體存儲器。應(yīng)用于 DRAM 后，DRAM 電容器會變成低功耗、非易失性存儲設(shè)備，同時保持高 DRAM 性能，從而生產(chǎn)出適用于 AI 計(jì)算的顛覆性非易失性 DRAM 存儲器。由于我們的技術(shù)在市場上獨(dú)一無二，因此對我們的存儲器產(chǎn)品進(jìn)行經(jīng)濟(jì)高效的測試對于我們的產(chǎn)品供應(yīng)至關(guān)重要。借助 Neumonda 及其全新的測試方法，我們找到了可以幫助我們加快產(chǎn)品開發(fā)的合作伙伴。我們也很高興與 Neumonda 合作，因?yàn)槲覀冇兄餐脑妇埃蔷褪亲尨鎯ζ髦胤禋W洲。”

Neumonda 將通過咨詢和提供其先進(jìn)測試系統(tǒng) Rhinoe、Octopus 和 Raptor 的使用權(quán)來支持 FMC。這些平臺專為低成本、節(jié)能和獨(dú)立的內(nèi)存測試而設(shè)計(jì)。Neumonda 的系統(tǒng)提供傳統(tǒng)設(shè)備無法實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)分析，并且成本顯著降低。

兩家公司攜手合作，共同開發(fā)一款新型內(nèi)存產(chǎn)品，并為歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)能的全面復(fù)蘇奠定基礎(chǔ)。雙方共同努力旨在重建本地先進(jìn)內(nèi)存設(shè)計(jì)和測試生態(tài)系統(tǒng)。

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech

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