山東
IT之家 4 月 8 日消息，韓國媒體《hankooki》當?shù)貢r間 3 日報道稱，SK 海力士的 1c nm（IT之家注：即第六代 10 納米級）DRAM 內(nèi)存工藝近期良率約為 80%，較去年下半年的六成有明顯提升。
一般而言 DRAM 內(nèi)存工藝在良率達到 80%~90% 時就可進入正式量產(chǎn)，可以說 SK 海力士的 1c nm 制程即將達到大規(guī)模生產(chǎn)所需的水平。
SK 海力士是在去年 8 月宣布成功開發(fā)出全球首款第六代 10 納米級 DDR5 DRAM 的。該制程節(jié)點是 1b DRAM 平臺的擴展，擁有更高生產(chǎn)率，并在運行速度、能效方面取得了改進。除 DDR5 外 LPDDR6、GDDR7 等也將采用該制程。
不過 SK 海力士的第六代 10 納米級工藝尚需更長時間方能在需求火熱的 HBM 領域得到應用：有消息表示，SK 海力士在今年內(nèi)量產(chǎn)的 HBM4 內(nèi)存上仍將采用更為成熟的 1b nm DRAM。
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