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來源：內容編譯自koreajoongangdaily，謝謝。

隨著美國加大“自給自足”力度，日本積極發展先進代工生產，韓國半導體行業面臨多重壓力。

美國總統唐納德·特朗普周四表示，對半導體產品的關稅將“很快”開始，這引發韓國擔憂，擔心存儲芯片可能成為華盛頓在岸化行動的下一個目標。

一天前，特朗普表示，關稅賦予了美國巨大的談判籌碼，這增加了韓國企業被迫在韓國建立存儲芯片制造工廠的可能性。

美國已經在芯片設計方面擁有優勢，并通過正在亞利桑那州建設工廠的臺灣臺積電獲得了前端和后端制造能力。然而，美國仍然依賴韓國的存儲芯片生產。

韓國工業經濟貿易研究院高級研究員金養邦表示：“美國目前只有一家主要的存儲芯片制造商美光，需要擴大國內生產能力。”

盡管隨著人工智能的蓬勃發展，對高帶寬內存 (HBM) 等高性能存儲芯片的需求不斷增長，但美光在技術和生產能力方面仍然落后于三星電子和 SK 海力士。鑒于特朗普一再聲稱美國的半導體領導地位被韓國和臺灣等國家“搶走”，韓國企業跟隨臺積電的腳步并投資美國存儲芯片生產的壓力可能會增加。

盡管 2023 年韓國半導體出口總額中只有 7.5% 流向美國，但其中近 79.6% 是存儲芯片。隨著美國國內芯片產量的增長，關稅可能會進一步加重韓國存儲芯片出口的負擔。

日本也在加速重建其半導體主要參與者的地位。

代工初創公司 Rapidus 得到了日本政府和豐田等大公司的支持，計劃到 2027 年量產 2 納米芯片，目前正在與包括蘋果和谷歌在內的 40 到 50 家全球公司進行談判。

臺積電預計將于今年晚些時候開始自己的 2 納米芯片生產。 Rapidus 首席執行官小池敦義周六告訴日本新聞媒體日經新聞，兩年的差距可以通過提高制造效率來彌補。

小池說：“我們可以將從訂單到芯片生產和封裝的周轉時間縮短至當前標準的三分之一。” “原型改進速度很快，產量也在穩步提高。”

到目前為止，日本政府已向 Rapidus 投資了超過 1.8 萬億日元（123 億美元），包括資本投入。

目前，三星電子所有的 DRAM 芯片都在韓國國內生產，SK 海力士在中國無錫運營著一條 DRAM 生產線，但 HBM 封裝等先進工藝在韓國完成。 分析人士警告稱，將高價值生產即便是部分轉移到美國，也可能導致失業、削弱當地供應鏈，并引發對潛在技術泄露的擔憂。

世宗大學商學院教授金大鐘表示：“三星已宣布計劃在龍仁的半導體產業集群投資 360 萬億韓元（2467 億美元），但電力和供水等挑戰依然存在。”

“為了鼓勵企業在存在關稅風險的情況下繼續在韓國投資，政府必須提供大膽的政策支持，并確保穩定的投資環境。”

https://koreajoongangdaily.joins.com/news/2025-04-06/business/tech/Korea-faces-chip-threats-on-all-sides-with-possible-US-tariffs-Japanese-expansion/2278821

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