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富士經濟于2025年4月3日對全球功率半導體市場進行了調查,并宣布到2035年將達到7.771萬億日元,市場規模將是2024年的2.3倍。雖然2024年會因電動汽車(EV)需求放緩而出現庫存積壓,但該公司預測,從長遠來看,由于電動汽車的普及等因素,功率半導體市場將大幅增長。
本次調查涵蓋肖特基勢壘二極管(SBD)、MOSFET、智能功率模塊等17個功率半導體項目;硅/氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)晶片、光刻膠、封裝材料等20個組件;以及曝光設備、濺射設備、IC測試儀等20臺制造設備。調查期為2024年10月至2025年2月。
由于電動汽車需求放緩、工廠自動化投資下降以及中國經濟衰退等因素,功率半導體市場在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預計將從2024年下半年開始復蘇,庫存預計將在2025年下半年恢復正常。
預計2025年功率半導體市場規模將達到3.5285萬億日元,其中硅功率半導體規模為3.147萬億日元。由于庫存調整,增幅會很小,但隨著庫存恢復正常,市場將從 2026 年開始擴大。預計到2035年將達到4.5729萬億日元。
下一代功率半導體的市場規模預計在2025年達到5138億日元。與增長率較小的SiC功率半導體相比,GaN功率半導體由于替代了硅半導體而實現了大幅增長。未來對這些下一代功率半導體的需求將持續擴大。預計可處理更高電壓和電流的氧化鎵功率半導體將在2026年左右投入實際使用,從而推動市場擴張。預計2035年下一代功率半導體市場規模將達到3.1981萬億日元。
在本研究報告中,將“SiC功率半導體”、“GaN功率半導體”和“氧化鎵功率半導體”列為下一代功率半導體中特別受關注的產品。
預計2035年SiC功率半導體(SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模塊)的市場規模將達到2.9034萬億日元,而2025年則為4558億日元。預計2035年電動汽車中SiC功率半導體的采用率將超過50%,而2024年僅為10%多一點。我們預計,該技術也將在汽車和電氣設備領域以外的領域得到廣泛采用,例如太陽能發電的電源調節器。
GaN功率半導體市場規模預計2035年將達到2787億日元,而2025年預計為580億日元。受量產效應影響,價格下降,2024年將越來越多地搭載于AC-DC適配器中。服務器電源對硅的替代也取得了進展。展望未來,我們預計該技術在車載充電器、激光雷達、太陽能調節器和其他應用中的應用將會增加。
氧化鎵功率半導體的市場規模目前較小,但預計到2035年將增長到149億日元。其特殊之處在于,與SiC和GaN功率半導體相比,可以處理更高的電壓和電流。預計用于消費設備和服務器電源的 SBD 將于 2026 年左右開始全面生產。預計用于高壓應用的 FET 將于 2030 年左右開始生產。
2024年SiC晶圓將超越硅晶圓市場
功率半導體零部件方面,按照“晶圓”“前段加工材料”“后段加工材料”分類公布了市場規模。預計 2023 年綜合市場規模將達到 1.7408 萬億日元,而 2025 年預計為 6152 億日元。
預計2025年功率半導體晶圓市場規模將達到3009億日元,而2035年將達到9118億日元。到目前為止,硅晶圓一直是關注的焦點。不過,得益于中國企業增加產量,SiC晶圓市場將在2024年超越硅晶圓市場。GaN晶圓也呈現強勁增長。
此外,前端處理材料預計到2035年將達到305億日元,而2025年預計為204億日元。至于后處理材料,預計到2035年將擴大到7985億日元,而2025年預計為2939億日元。
8英寸SiC功率半導體產線投資預期
功率半導體制造設備市場規模預計2035年將達到1.3234萬億日元,而2025年預計為7393億日元。由于2024年下半年起汽車相關資本投資減少,預計2025年的市場規模將比上一年減少5%。不過,中國市場仍在繼續增長,部分原因是功率半導體制造商正在建設新工廠。未來還計劃投資SiC功率半導體的8英寸生產線,預計2027年起市場將再次擴大。我們也期待對GaN功率半導體的量產進行投資。
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2504/07/news056_2.html
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