隨著 AI 芯片性能的指數級增長，服務器功耗呈現爆發式上升。 以英偉達為例，其 B200 GPU 單芯片功耗達 1000W，GB200 更突破至 2700W，驅動單機柜功率從20kW躍升至120kW以上。 傳統 12V 電源架構在高功率傳輸時正在面臨嚴重瓶頸： 電流激增導致 I2R 損耗劇增，散熱成本攀升，同時線束體積與重量限制了系統擴展性。 這迫使數據中心必須采用更高電壓的電源架構以應對挑戰。

隨著48V電源母線的升級，對于熱插拔（Hot-Swap）技術也有著相應的改變。本文將從48V電源架構變革開始介紹，之后詳細介紹熱插拔技術及新品。

一、48V 架構的核心優勢

選擇48V系統，會有很多優勢，其中包括：

能效提升與損耗降低

48V 系統通過降低 4 倍電流，使傳輸損耗減少 16 倍，顯著提升能源利用率。例如，12V 系統傳輸 12kW 需 1000A 電流，而 48V 僅需 250A，配合母線優化設計，整體效率可提升 10%-15% 。

高密度與空間優化

48V 架構支持更小的導線和元件，減少線束占用空間，同時通過垂直電源流設計（如將 VRM 模塊置于芯片底部），縮短電流路徑，進一步降低損耗并提升功率密度。

兼容性與演進路徑

48V 架構與現有基礎設施（如 48V 備用電池系統）兼容，同時為未來向更高電壓（如 ±400V）過渡奠定基礎。通過模塊化設計（如 PRM 預調節模塊 + VTM 電壓轉換模塊），可靈活適配不同算力需求，支持 5:1、8:1 等多種轉換比。

二、與傳統電源架構的差異

關鍵技術創新

為了48V系統的高功率密度，電源管理需要持續的創新，比如：

高效轉換拓撲

ZSC 零電壓開關技術：實現負載無關的軟開關，支持高頻切換（>1MHz），降低開關損耗。

HSC 混合開關電容技術：結合電容與磁性元件，提升轉換效率與功率密度，適用于 5:1 以上高降壓比場景。

智能電源管理

通過實時監測電壓、電流與溫度，結合預測性維護算法，優化能源分配并降低故障風險。例如，BBU 電池備份單元在市電中斷時，可通過超級電容快速響應（<10ms），確保系統持續運行。

材料與封裝升級

采用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體，提升開關速度與耐壓能力；優化封裝設計（如倒裝芯片），增強散熱效率與可靠性。

三、熱插拔的重要性

在 AI 服務器中，熱插拔（Hot-Plugging）是一種關鍵技術，主要是由于需要保障系統連續性與高可用性，減少停機損失，熱插拔允許在不關閉系統的情況下直接更換，避免整體停機。

但是熱插拔過程中存在著諸多關鍵挑戰。首先是浪涌沖擊，插入時，輸入電容瞬間充電導致高達 4.3kA 的浪涌電流，可能損壞設備或引發系統電壓驟降。

此時，使用 MOSFET 作為電流控制器，通過調節柵極電壓（V GS）限制電流。結合安全工作區（SOA）曲線，確保 MOSFET 在高電壓（如 60V）下的安全運行。

控制器需根據 MOSFET 的 SOA 曲線可以動態調整電流，避免過熱或擊穿。

四、幾款重要熱插拔應用新品

英飛凌科技日前宣布擴展旗下XDP數字保護產品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區域（SOA）控制且專為高功率 AI 服務器設計。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監控與報告功能，精度達 ≤0.4%，還有系統輸入電流監控與報告功能，在全 ADC 范圍內精度達≤0.75% ，可提升系統的故障檢測和報告準確性。

XDP711-001熱插拔控制器采用脈沖 SOA 電流控制技術，即使在未采用最佳場效晶體管（FET）的系統中也能實現更安全的開啟，從而降低系統物料（BOM）成本。這一XDP產品系列的新成員專為驅動多個并聯 MOSFET而設計，支持高功率設計這一AI服務器的關鍵需求。

XDP711-001 采用三區塊架構，該架構結合用于監控和故障檢測的高精度遙測技術、針對功率MOSFET優化的數位 SOA 控制，以及能夠驅動最多8個N型功率 MOSFET的高電流整合式驅動器，支持4 kW、6 kW和8 kW電力傳輸板（PDB）設計。這款新型熱插拔控制器可在 7 V 至 80 V寬輸入電壓范圍內運行，并能承受高達100 V的瞬時電壓長達500毫秒，提供 ≤1.15% 精度的輸入功率監控和報告。它具備兼容高速 PMBus的主動監控功能，可提升系統可靠性。在嚴重過電流（SOC）情況下，可編程柵極關閉功能可于短短1微秒內迅速且確實地執行關閉操作。其他功能包括 IMON、PMON 以及突波抗擾能力，能進一步提高系統可用性。此外，全數字操作模式能大幅減少外部組件需求，實現緊湊的解決方案，使其成為空間受限的設計中兼具成本效益的理想選擇。

通過外部FET選擇和一次性可編程（OTP）選項，XDP711-001可針對各種使用模式，靈活進行故障和警告偵測，以及去抖動（de-glicth）定時器的程序設計。其模擬輔助數字模式（AADM）則可向下兼容傳統模擬熱插拔控制器。

英飛凌科技IC產品線副總裁 Magdalene Boebel 表示：“英飛凌XDP711-001熱插拔控制器憑借功能豐富的高精度模擬前端，以及全面的健康監控、遙測、可編程性和預設MOSFET SOA，將能夠出色應對當前可插拔AI服務器解決方案設計中的挑戰。XDP711-001強大的功能和適應性體現了英飛凌對創新的不懈追求，為AI服務器及其他應用（如網絡路由器和交換機）樹立了系統可靠性的新標桿?！?/p>

近日，羅姆也面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。

不過德州儀器認為，隨著功率需求的增長通常導致解決方案體積增大、設計復雜化，并增加故障檢測與保護的難度。此外，在確保安全運行和最小化功率損耗的同時管理大電流成為關鍵問題。傳統熱插拔控制器與分立FET的組合在高功率應用中面臨顯著限制。

為應對這些挑戰，德州儀器推出集成電源路徑保護的 48V 熱插拔電子保險絲（eFuse）器件，專為數據中心應用設計，具有高可靠性和緊湊性。與需要外部檢測電阻和電流檢測放大器的方案不同，TPS1689 和 TPS1685 通過集成這些功能簡化了設計，在支持高功率無縫擴展的同時，將解決方案尺寸縮減高達 50%。

TPS1689 的差異化特性之一是消隱定時器，它通過使系統區分峰值負載電流和實際故障條件來防止誤觸發。該功能增強了系統可靠性，避免不必要的停機。器件還支持堆疊功能以提升電流處理能力，允許多個器件在高功率應用中協同工作。

集成的故障記錄黑匣子、FET 安全工作區保障、主動均流和健康監測等特性進一步增強了系統彈性。TPS1689 采用行業標準通用封裝，提供確保可靠運行的電源管理解決方案。

五、未來演進趨勢

更高電壓演進：48V 架構作為過渡方案，正推動數據中心向 ±400V 高壓直流系統發展，以支持 500kW 以上單機柜功率需求。

液冷與能效協同：結合液冷散熱技術，進一步提升系統能效比（PUE），目標將數據中心整體能耗降低 30% 以上。

AI 與電源融合：利用 AI 算法動態優化電源分配，預測負載變化，實現全系統智能調度。

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