前言

意法半導體與英諾賽科雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議（JDA），攜手構建面向AI 數據中心、可再生能源發電及儲能、汽車等領域的下一代功率電子技術生態。根據協議框架，英諾賽科將依托意法半導體在歐洲的先進制造產能，而意法半導體可借助英諾賽科布局于中國的本土制造資源，通過資源整合形成覆蓋歐亞兩大市場的協同生產網絡。

意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議

全球半導體巨頭意法半導體（紐交所股票代碼：STM）與氮化鎵制造領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK）于2025年3月31日宣布達成戰略合作，雙方將聯合開發高性能氮化鎵功率技術并共享制造產能。根據協議，意法半導體將借助英諾賽科在中國的8英寸硅基氮化鎵產線提升本地化供應能力，同時英諾賽科可使用意法半導體海外前端制造資源拓展國際市場。

此次合作旨在加速氮化鎵技術在消費電子、數據中心、新能源汽車及工業電源等領域的普及應用。通過優勢互補，雙方將強化供應鏈韌性，推出更具競爭力的產品組合。

意法半導體的模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發揮這一模式的優勢，惠及全球客戶。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術路線圖，以補充現有的硅和碳化硅產品供應體系；另一方面，意法半導體還將通過靈活的制造模式服務全球客戶。”

英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場，我們對于與意法半導體達成戰略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力于開發下一代氮化鎵技術。”

氮化鎵功率器件具有低損耗、高效率、輕量化等特性，可顯著提升電源轉換效率并降低系統成本。目前該技術已廣泛應用于快充適配器、服務器電源等領域，并正逐步滲透至新能源汽車三電系統。雙方計劃在未來幾年內共同推動下一代氮化鎵技術研發，進一步鞏固其在功率半導體領域的技術領先地位。

關于意法半導體

意法半導體擁有5萬名半導體技術創作者與制造者，掌握覆蓋半導體全供應鏈的先進制造能力。作為垂直整合器件制造商，我們與超過20萬客戶及數千合作伙伴共同設計開發產品、解決方案與生態系統，應對技術挑戰與市場機遇，助力更加可持續發展的需求。我們的技術驅動智能出行、高效能源管理及云端互聯自主設備的大規模部署。公司計劃于2027年底前實現直接與間接排放（范圍1和2）、產品運輸、商務差旅及員工通勤碳排放（范圍3重點領域）的全面碳中和，并達成100%可再生能源用電目標。

關于英諾賽科

英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK）是全球氮化鎵工藝創新與功率器件制造領導者。英諾賽科的器件設計與性能樹立了全球氮化鎵技術標桿，持續迭代創新的企業文化將加速氮化鎵性能提升與市場普及。公司的氮化鎵產品廣泛應用于低壓、中壓和高壓產品領域，涵蓋了從 15V至1200V的氮化鎵工藝節點。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路（IC）以及模組產品為客戶提供了強勁可靠的氮化鎵（GaN）解決方案。憑借800項已授權及申請中的專利布局，英諾賽科產品以高可靠性、性能與功能優勢，服務于消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源及工業電源領域，開創氮化鎵技術的光明未來。