前言
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天,全新USB PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將USB-C快充功率提升到了240W這個(gè)全新高度,為高功率充電帶來(lái)了新的可能性。240W快充的普及將不僅僅局限于消費(fèi)電子領(lǐng)域,它還將推動(dòng)工業(yè)、醫(yī)療、交通等多個(gè)行業(yè)的發(fā)展。
近期充電頭網(wǎng)拿到了泰高技術(shù)的一款重磅DEMO,它基于PFC+AHB+SR電源架構(gòu)設(shè)計(jì),使用了立锜科技RT7333+RT7795+RT7220E+RT7209全套電源方案。不僅如此,核心功率器件——PFC開(kāi)關(guān)管和AHB半橋開(kāi)關(guān)管,均采用了泰高技術(shù)領(lǐng)先的氮化鎵器件,進(jìn)一步提升了效率和功率密度。
更令人振奮的是,它配備了USB-C接口,并真正意義上支持PD3.1 240W快充,成為業(yè)界首發(fā)的240W快充解決方案!這款DEMO的誕生,不僅標(biāo)志著快充技術(shù)邁入了全新的高功率時(shí)代,也為未來(lái)的應(yīng)用場(chǎng)景打開(kāi)了無(wú)限可能。下面就隨小編來(lái)詳細(xì)了解下。
泰高技術(shù)240W氮化鎵電源DEMO外觀
泰高技術(shù)這款DEMO是經(jīng)典電源適配器樣式設(shè)計(jì),主板正面設(shè)有延時(shí)保險(xiǎn)絲、整流橋、PFC升壓電感、變壓器、濾波電容等器件。此外留有富余的空間,以方便后期加裝散熱片和填充導(dǎo)熱膠輔助散熱。
主板背面設(shè)有立锜科技電源方案的核心器件以及泰高技術(shù)的TG65090S、TG65180S兩款氮化鎵功率器件等。板面干凈整潔,整體工藝水準(zhǔn)好。
實(shí)測(cè)DEMO長(zhǎng)度為134.11mm。
寬度為52.61mm。
厚度為24.14mm。
另外測(cè)得DEMO重量約為191g。
泰高技術(shù)240W氮化鎵電源適配器方案解析
輸入端采用梅花接口母座,可接地設(shè)計(jì)同時(shí)可靠性,同時(shí)也為用戶帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)。母座兩側(cè)設(shè)有延時(shí)保險(xiǎn)絲、兩級(jí)共模電感、安規(guī)X電容等器件。
延時(shí)保險(xiǎn)絲來(lái)自華德,規(guī)格為5A250V。
共模電感用于濾除EMI干擾,采用雙線繞制。
安規(guī)X2電容來(lái)自CDSPC成東,規(guī)格為0.68μF。
10D681K壓敏電阻來(lái)自RUILON瑞隆源電子,用于輸入過(guò)壓保護(hù)。
共模電感兩級(jí)設(shè)計(jì),另一顆為扁平銅帶繞制。
一旁是兩顆整流橋。
另一側(cè)設(shè)有兩顆薄膜濾波電容和濾波電感,濾波電感外套熱縮管絕緣保護(hù)。
MPP薄膜濾波電容來(lái)自KYET科雅電子,規(guī)格為1μF450V。
PFC控制器采用立锜科技RT7333,其支持最高130KHz、180KHz、240KHz和400KHz的工作頻率,為不同功率轉(zhuǎn)換需求提供了更多選擇。同時(shí),它支持直接驅(qū)動(dòng)GaN或MOS管,進(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。
RT7333還支持三種主流的PFC輸出方式,包括高電壓、高低壓分段和Linear Boost Follower,滿足高效能應(yīng)用的需求。這使其非常適合用于對(duì)能效要求較高的設(shè)備,如USB-PD充電器、PC、筆記本電腦適配器、電視和顯示器等。
此外,RT7333提供了單獨(dú)的引腳控制PFC的開(kāi)關(guān)功能,使得設(shè)計(jì)更加靈活便捷。在能效需求更高的USB-PD,PC,NB,TV,Monitor電源中,PFC可以作為單獨(dú)的應(yīng)用,搭配后級(jí)的功率轉(zhuǎn)換器,也可以搭配RICHTEK自家的AHB進(jìn)行配套使用,外圍器件的精簡(jiǎn),方便客戶設(shè)計(jì)和調(diào)試,實(shí)現(xiàn)高效率。
PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自泰高技術(shù),型號(hào)TG65090S,這是一款電壓為650V、內(nèi)阻為120m?的增強(qiáng)型GaN HEMT功率器件。其設(shè)計(jì)具有低輸入/輸出電容和低電感QFN封裝,可以實(shí)現(xiàn)高頻率的開(kāi)關(guān)功能。
簡(jiǎn)潔易用的外部接口電路可用于操控該器件,可采用專用的6V GaN驅(qū)動(dòng)器或更傳統(tǒng)的12V驅(qū)動(dòng)器。無(wú)論何種情況下均無(wú)需外部VCC供電。
通過(guò)調(diào)節(jié)門極路徑中的電阻,可以控制開(kāi)關(guān)的上升/下降速率,從而達(dá)到最佳的EMI性能。該器件特別適合于基于GaN的高性能功率應(yīng)用,旨在提升系統(tǒng)性能并降低成本。
PFC升壓電感特寫(xiě)。
PFC整流管來(lái)自Tokmas托克馬斯,型號(hào)CI04S65E3,這是一顆碳化硅二極管,耐壓650V,采用TO-252封裝。
兩顆高壓濾波電解電容采用永銘KCX系列,其工作溫度范圍在-55℃~105℃,3000小時(shí)壽命,并具備抗雷擊、低漏電流(低待機(jī)功耗)、高紋波電流、高頻低阻抗等性能優(yōu)勢(shì)。
兩顆電容規(guī)格均為450V82μF。
第三顆MPP薄膜濾波電容也是來(lái)自科雅電子,規(guī)格為0.68μF450V。
電源主控芯片采用立锜科技RT7795,這是一款專為非對(duì)稱半橋(AHB)轉(zhuǎn)換電源設(shè)計(jì)的PWM控制器芯片,內(nèi)置625V高壓?jiǎn)?dòng)器件,輸出功率可達(dá)300W,支持5-48V輸出電壓,內(nèi)置X電容放電,采用連續(xù)諧振工作模式,可有效地減少次級(jí)側(cè)同步整流器的功耗損失。
RT7795支持130KHz、180KHz、240KHz和300KHz的多種工作頻率,適用于多種功率轉(zhuǎn)換需求。該芯片能夠直接驅(qū)動(dòng)GaN或MOS,并且內(nèi)部集成了High-side Driver電路,使設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔。VCC電壓支持寬范圍10V至63V,增強(qiáng)了應(yīng)用的靈活性。此外,RT7795還支持通過(guò)控制引腳實(shí)現(xiàn)PFC的開(kāi)關(guān)功能,進(jìn)一步提升了設(shè)計(jì)的靈活性和效率。
RT7795通過(guò)專利的抖頻方式有效解決潛在的音頻噪聲問(wèn)題,將噪聲的能量和頻率分散。內(nèi)置多種保護(hù)機(jī)制,采用WQFN-24L封裝,適用于大功率氮化鎵快充電源設(shè)計(jì)。
用于AHB半橋的氮化鎵開(kāi)關(guān)管采用泰高技術(shù)TG65180S,這是一顆耐壓650V的增強(qiáng)型氮化鎵功率器件,導(dǎo)阻為240mΩ。器件所有引腳均設(shè)有ESD保護(hù),開(kāi)關(guān)速度可通過(guò)柵極串聯(lián)的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié),器件具備反向?qū)芰Γ瑹o(wú)反向?qū)〒p耗,具備高頻開(kāi)關(guān)能力。
泰高技術(shù)TG65180S采用低壓絕緣的散熱焊盤(pán),通過(guò)電流采樣電阻連接,具備更好的散熱性能。支持圖騰柱PFC,半橋/全橋LLC應(yīng)用,手機(jī)快充,筆記本電腦電源,LED照明電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng),服務(wù)器和逆變器應(yīng)用。器件采用5*7*0.8mm QFN封裝,節(jié)省占板面積。
另一顆泰高技術(shù)TG65180S特寫(xiě)。
主控芯片供電電容來(lái)自艾華,規(guī)格為100V10μF。
另一顆來(lái)自紅寶石,規(guī)格為50V22μF。
變壓器特寫(xiě)。
兩顆億光EL 1019光耦特寫(xiě),用于輸出電壓反饋和保護(hù)功能。
貼片Y電容來(lái)自四川特銳祥科技股份有限公司,具有體積小、重量輕等特色,非常適合應(yīng)用于氮化鎵快充這類高密度電源產(chǎn)品中。料號(hào)為TMY1222M。
特銳祥專注于被動(dòng)元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,注冊(cè)資本1億元。旗下產(chǎn)品包括:貼片式Y(jié)電容、插件式Y(jié)電容,貼片式中高壓直流電容、以及貼片式NTC。TRX將致力于陶瓷材料的研究,以拓展更多品類的應(yīng)用,為客戶提供更多的解決方案。
充電頭網(wǎng)了解到,特銳祥貼片Y電容除了被倍思高通QC5認(rèn)證100W氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級(jí)閃充氮化鎵充電器、聯(lián)想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數(shù)十款大功率充電器使用外,也可應(yīng)用于海陸通、第一衛(wèi)、貝爾金等品牌20W迷你快充上,性能獲得客戶一致認(rèn)可。
立锜科技RT7220E是一款用于非對(duì)稱半橋(AHB)轉(zhuǎn)換器的同步整流控制器,支持CRM/CSM/BM工作模式。RT7220E通過(guò)檢測(cè)MOSFET的漏極電壓來(lái)控制SR柵極的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。此功能旨在最小化關(guān)斷死區(qū)時(shí)間,并通過(guò)SR柵極脈沖傳遞正弦波能量,從而提升整體效率。
RT7220E支持5-48V寬輸出電壓范圍,并內(nèi)置高壓低壓差線性穩(wěn)壓器,專門用于在低輸出電壓時(shí)為MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器供電。當(dāng)RT7220E與非對(duì)稱半橋控制器RT7795配合使用時(shí),可以啟用雙脈沖功能,以優(yōu)化重載/低輸出電壓條件下的效率。
此外,RT7220E在輕載條件下提供綠色模式操作,將工作電流降低至160μA以下。器件的推薦結(jié)溫范圍為-40°C至125°C,環(huán)境溫度范圍為-40°C至105°C。
兩顆同步整流管來(lái)自芯控源,型號(hào)AGM042N10A,這是一顆100V耐壓的NMOS,導(dǎo)阻4.2mΩ,采用PDFN5*6封裝。
三顆輸出濾波固態(tài)電容來(lái)自NJcon永立,規(guī)格均為63V470μF。
一顆來(lái)自紅寶石的小電容,規(guī)格為50V22μF。
協(xié)議芯片采用立锜科技RT7209,這是一款高集成度的可編程控制器,內(nèi)部集成了反饋補(bǔ)償電路和 V5(用于內(nèi)部MCU的穩(wěn)壓電壓),具備3-55V的寬輸出電壓范圍,非常適合USB-PD和可編程電源應(yīng)用。在整個(gè)電壓范圍內(nèi),RT7209能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的電壓和電流控制。
該芯片通過(guò)內(nèi)置的CV/CC環(huán)路,并通過(guò)軟件設(shè)定,確保3-55V的電壓范圍內(nèi)環(huán)路穩(wěn)定性,有效解決了傳統(tǒng)RC環(huán)路在寬電壓應(yīng)用中難以保持穩(wěn)定性的問(wèn)題。
RT7209支持USB PD3.1 SPR和EPR 48V規(guī)格。內(nèi)置MCU,能夠支持標(biāo)準(zhǔn)USB PD協(xié)議、UFCS以及私有協(xié)議。該控制器專為離線式AC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),旨在實(shí)現(xiàn)高功率密度的快速充電系統(tǒng)。內(nèi)置的反饋補(bǔ)償電路不僅減少了外部元件數(shù)量,還提升了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能。出于安全考慮,RT7209 提供了全面的保護(hù)功能。
器件的推薦結(jié)溫范圍為-40°C至125°C,環(huán)境溫度范圍為-40°C至105°C。RT7209還具備N-MOS輸出驅(qū)動(dòng)功能,增強(qiáng)了其在功率管理中的靈活性。
輸出VBUS開(kāi)關(guān)管來(lái)自芯控源,型號(hào)AGM6035A,這是一顆60V耐壓的NMOS,導(dǎo)阻2.4mΩ,采用PDFN5*6封裝。
USB-C接口母座特寫(xiě)。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
最后附上泰高技術(shù)240W氮化鎵電源適配器DEMO的核心器件清單,方便大家查閱。
泰高技術(shù)的這款氮化鎵電源適配器是業(yè)界首款支持PD3.1 240W快充的氮化鎵解決方案,標(biāo)志著快充技術(shù)正式邁入高功率時(shí)代。它采用PFC+AHB+SR電源架構(gòu),結(jié)合立锜科技的全套控制器方案和泰高技術(shù)的TG65090S、TG65180S氮化鎵功率器件,實(shí)現(xiàn)了高效率、高功率密度和高可靠性。
立锜科技的控制器方案通過(guò)高集成度和全面的保護(hù)功能,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提升了性能;泰高技術(shù)的氮化鎵器件則通過(guò)低損耗和高頻開(kāi)關(guān)特性,進(jìn)一步優(yōu)化了效率和散熱表現(xiàn)。
這款電源的推出不僅突破了現(xiàn)有快充功率瓶頸,還為高性能筆記本電腦、電競(jìng)設(shè)備、工業(yè)工具、醫(yī)療設(shè)備等提供了全新的充電解決方案。未來(lái),隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和快充標(biāo)準(zhǔn)的推廣,這套240W快充解決方案有望在更多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,為高功率設(shè)備的便攜化和高效化開(kāi)辟新的可能性。
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