揚(yáng)杰科技：成立于2000年，已成為國內(nèi)少數(shù)集單晶硅片制造、芯片設(shè)計(jì)制造、器件設(shè)計(jì)封裝測試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體的規(guī)模企業(yè)，同時(shí)在MOSFET、IGBT、第三代半導(dǎo)體等高端領(lǐng)域采用IDM+Fabless相結(jié)合的模式。

揚(yáng)杰科技發(fā)展歷程如下：

揚(yáng)杰科技深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，形成“三大產(chǎn)品系列”： 以功率二極管、整流橋等產(chǎn)品線為主的H1（基礎(chǔ)業(yè)務(wù)）業(yè)務(wù)，以MOSFET、小信號等產(chǎn)品線為主的H2（核心業(yè)務(wù)）業(yè)務(wù)，以SiC、IGBT等產(chǎn)品線為主的H3（成長業(yè)務(wù)）業(yè)務(wù)，構(gòu)建更加全面立體的一站式、全品類解決方案能力。

揚(yáng)杰科技的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、工業(yè)控制等，滿足了從傳統(tǒng)電子到新興技術(shù)領(lǐng)域的市場需求。

揚(yáng)杰科技逐步邁向集團(tuán)化、國際化。目前， 揚(yáng)杰科技在全球多個(gè)國家/地區(qū)設(shè)立了在地化研發(fā)、制造與銷售網(wǎng)絡(luò)，其中研發(fā)中心5個(gè)、晶圓與封測工廠15座，拉晶與外延廠3座，基于本土客戶的定制化要求，將全球最佳實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入本土化產(chǎn)品開發(fā)。

揚(yáng)杰科技實(shí)行“多品牌”+“雙循環(huán)”及品牌產(chǎn)品差異化的業(yè)務(wù)模式，“YJ”品牌產(chǎn)品主攻國內(nèi)和亞太市場，“MCC”品牌產(chǎn)品主打歐美市場，實(shí)現(xiàn)了多品牌產(chǎn)品的全球市場渠道覆蓋。

揚(yáng)杰科技采用垂直整合（IDM）一體化、Fabless 并行的經(jīng)營模式，集半導(dǎo)體單晶硅片制造、功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)制造、器件設(shè)計(jì)封裝測試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體。

揚(yáng)杰科技始終致力于技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)加大研發(fā)投入，尤其是在第三代半導(dǎo)體（如SiC）領(lǐng)域。2024年揚(yáng)杰科技成功推出了650V、1200V等多款SiC MOS產(chǎn)品。在MOSFET、IGBT及以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破，多個(gè)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；實(shí)驗(yàn)平臺也獲批 “江蘇省第三代半導(dǎo)體功率芯片與模塊集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”資質(zhì)。 2024年 揚(yáng)杰科技研發(fā)新品共24款。

2024年揚(yáng)杰科技研發(fā)投入4.23億元，研發(fā)人員占比16.14%。軟件著作累計(jì)數(shù)8個(gè)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)總?cè)藬?shù)1085 人，授權(quán)專利累計(jì)數(shù)647項(xiàng)，國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證9個(gè)。員工總?cè)藬?shù)6723人。

2024年揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入60.33億元，同比增長11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為10.02億元，同比增長8.5%。

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