前段時間，我們三易生活在《UFS4.1閃存“偷偷”發布？卻出現了兩套說辭》中“辟謠”UFS4.1閃存標準時曾指出，UFS4.1標準最“壞”的地方，就在于（相比UFS4.0標準）增加了對QLC閃存類型的支持。這樣一來，未來就有可能會出現名義上是UFS4.1“旗艦閃存”，但實際卻用著廉價QLC顆粒“渾水摸魚”的機型。

這絕不是我們在危言聳聽，因為在UFS4.1標準公布之前，市面上那些UFS3.1閃存的手機里，其實就已經有相當一部分是使用QLC閃存了。

更有意思的是，根據我們了解到的實際情況，在這類機型中，許多型號的128GB、256GB“小容量”版本，實際上用的反而會是品質相對較高的TLC閃存，只有在512GB、特別是1TB的版本里，換用QLC閃存的概率才會大幅增加。

QLC閃存機型往往會表現出較低的隨機寫入性能，這其實也是辨別方法之一

其實這也不難理解，一方面閃存技術從最初的SLC一路發展到MLC、TLC、QLC，以及（因為性能太差目前實在沒法上市的）PLC，每一次“改進”理論上都會帶來容量的翻倍提升，以及性能、壽命和成本的大幅降低。

如此一來，對于“小容量閃存顆粒”來說，TLC一方面是已經足夠廉價，另一方面則由于閃存的整體壽命既與類型有關，也和容量成正比，所以這也是為什么現在通常只有大容量的手機閃存才會“敢用”QLC的原因。

當然，有些朋友可能會說，QLC也沒有什么不好的，它畢竟便宜，可以讓更多人買得起大容量存儲的手機。再說了，雖然QLC的壽命只有500-1000次全盤寫入、僅為TLC的三分之一左右，但對于1TB的QLC閃存來說，也意味著至少500TB的寫入壽命，對于一般的用戶來說，得多少年才能用完這500TB的“額度”呢？

盡管道理確實是這樣，但問題就在于，對于任何使用閃存的設備來說，重要的都不只是意味著閃存完全損壞的“壽命”，還有個概念是“緩外速度”，也就是一旦閃存的緩沖區用完之后的“真實寫入性能”。對于智能手機里的閃存芯片來說，它們本身都不帶有額外的緩存芯片，所以一旦容量被用得比較厲害之后，就會不可避免地“掉速”、甚至是進入緩外模式。

對于品質較高的TLC閃存手機來說，閃存掉速之后，用戶可能會覺得日常操作沒過去那么流暢，打開或安裝軟件的速度也都會變慢一些。但大家要知道，QLC的緩外寫入性能，那可是出了名的比機械硬盤還要低。換句話說，使用QLC閃存的機型一旦遭遇閃存掉速問題，可就不只是會“變得有點慢”了，日常卡頓、甚至是卡出各種奇怪的BUG都是常有的事。

正是因為這樣，過去我們就曾建議過大家，謹慎購買廉價機型的大容量版本（特別是當不同容量價差很小的時候，更是格外需要注意）。但那個時候，因為UFS4.0“原生不支持”QLC，所以起碼旗艦機還是可以令人安心的。

但根據我們三易生活最近剛剛獲得的第一手爆料，就在今年下半年，手機行業就會有基于QLC閃存的UFS4.1方案，被用到新發布的機型上。

可以想見的是，屆時各家真正的旗艦機還是肯定會很“自覺”，他們不太可能用QLC閃存砸自家招牌。所以大家真正需要“警惕”的，是屆時一些“次旗艦”或是“高性價比”定位，同時還高調宣稱用了“UFS4.1”，并且能提供廉價高容量版本的機型。當然，除非相關廠商能夠明確保證，沒有使用QLC閃存顆粒才行。

【本文圖片來自網絡】