芯測科技3/25于上海舉辦新產品發布會,此次產品發布會著重于START v5與EZ-BIST v2的說明。START v5是SRAM測試與修復EDA工具,EZ-BIST v2是SRAM測試EDA工具。在性能提升上,START v5與EZ-BIST v2采用了AI工具,包括ChatGPT、OpenAI與DeepSeek強化了RTL語法與各種指令的覆蓋率,對照START v3可以提升50%的執行效率。
START v5與EZ-BIST v2 提升的各類SRAM的辨識效率,對照START v3,可以縮短50%的SRAM辨識時間。此外,START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM時鐘自動搜尋(Auto-Clock Tracing)的功能,讓MCU類的芯片可以透過此功能,自動完成芯片內SRAM時鐘路徑的辨識工作,提升MCU類芯片SRAM測試電路生成的速度。
START v5取得ISO 26262 TCL1的認證,其中幾項功能更是符合車用電子的需求,此次功能強化,包括在POT (Power_On Test)功能中,加入了動態控制SRAM的接口,將原本存在ROM里面的POT 控制命令改存放置SRAM里,以便可以動態調整POT的控制命令。SRAM的修復技術,一直是芯測科技引以為傲之處。所以,START v5在SRAM修復技術上的強化如下:
縮短了SRAM修復時,需要從eFuse或是OTP讀取SRAM錯誤信息到SRAM修復控制器的時間。
在面對AI芯片設計復雜度日益增加與SRAM的使用增加的情況下,START v5增加了SRAM修復需要用的eFuse和OTP的數據壓縮功能,面對SRAM使用量增加的情況,可以大大節省AI芯片的成本。
同樣為了因應AI芯片對于SRAM需求增加的情況,START v5優化了SRAM修復路徑的時序,提升AI芯片整體布局與繞線的彈性度。
START v5在專利化SRAM修復技術上,強化使用Stand-alone SRAM與Redundancy并存的機制。讓許多消費性電子芯片的設計更加彈性化,可以充分利用未使用的SRAM的空間,當作SRAM修復的『備援內存』,大幅降低消費類芯片的設計成本。
START v5為了因應Chiplet的架構,透過Interface的多元設計,強化了模塊化(Bottom-Up)設計流程,讓復雜芯片的SRAM測試與修復電路的生成變的更加簡單,同時也符合Chiplet架構下的SRAM測試準則。
在SRAM錯誤診斷上,START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM錯誤診斷分析功能,可以利用芯片的布局圖搭配診斷功能,明確的指出芯片內錯誤SRAM的位置與為何發生錯誤的原因。
START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM分群的機制,可以搭配芯片的布局圖進行SRAM的分群機制,達到布局與繞線的時序需求。
在SRAM測試算法上,START v5與EZ-BIST v2基于芯測科技的專利化架構UDA (User Defined Algorithms),設計了TEC 2.0 (Testing Element Change)。TEC可以讓芯片在CP階段,只需要透過測試機臺命令的組合,就可以動態改變SRAM的測試算法,無須更改芯片設計,讓DPPM的控制變的更加容易。其原因在于,透過UDA的專利,可以將SRAM的測試算法進行『組件化』設計,如同『樂高』積木的堆棧一樣,透過『組件化』的『重新組合』,產生新的SRAM的測試算法,讓芯片開發商,可以根據芯片的功能與應用,透過TEC設計出獨一無二的SRAM測試算法,降低DPPM。
芯測科技的新產品START v5與EZ-BIST v2,可以協助AI芯片與車用電子芯片,提升芯片良率,降低芯片測試成本,增加芯片的競爭力。
(完)
4月11日,聚焦“AI+智能硬件”,共探行業新局
華強電子網+芯榜+深科技+亞太芯谷:AI眼鏡、DeepSeek、AloT、硬件出海、AI芯片散熱等主題。
歡迎參與芯榜50榜單(金榜獎!微信:105887)
芯榜(ID:icrankcn)中國芯片排行榜。芯榜+(ID:icranktech)
特別聲明:以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布,本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.