在現代集成電路制造中，正光刻膠（Positive Photoresist）是絕對的主流選擇，尤其在先進制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，絕大多數關鍵層都使用正光刻膠。

1. 分辨率與線寬控制

1. 正膠的成像原理

• 正膠經過曝光后會發生分子鏈斷裂，曝光區域更易溶于顯影液，最后留在晶圓表面的是“未曝光區域”。

• 這種方式最顯著的優勢之一是分辨率高，能夠在更短波長（例如 193nm 甚至 EUV 13.5nm）下成像出更細微的線寬，滿足納米級器件制造需求。

負膠的分辨率極限

• 對于負膠，被曝光的區域會發生交聯或硬化而殘留，分辨率通常不及正膠；其在微納級以下的細節表現力有限，難以滿足先進制程小線寬的要求。

• 在要求不高或宏觀線寬較大的情形（如 MEMS、顯示面板大圖形加工）中，負膠仍有一些應用，但并不適合先進CMOS工藝核心層的極精細圖形。

1. 光源匹配性

• 光刻膠與光源波長緊密關聯。自 i線（365nm）、KrF（248nm）到 ArF（193nm）再到 EUV（13.5nm），正膠的配方與分子設計不斷演進，形成了完善的材料體系與成熟的工藝窗口。

• 負膠也能針對部分波長進行設計，但在主流工藝設備和工藝線中，正膠有著更好的生態體系和量產驗證。

高分辨率需求的推動

• 芯片制程從微米跨入納米時代后，對光刻膠的感光度、分辨率、工藝容忍度等要求越來越嚴苛。成熟的正膠材料可配合多重曝光、浸沒式光刻等工藝，持續延伸至 7nm、5nm 等技術節點。

1. 正膠負顯影（PTD）

• 在先進制程（16nm/14nm 及以下）中的通孔和金屬層，出現了將“正膠”配合“負顯影液”的反向顯影工藝。

• 其基本思路是：對正膠進行曝光后，使用特殊配方的負顯影液溶解未曝光的區域，最終留下的是曝光過的圖形。

• 這一反向操作能在某些工藝層中得到更高的圖形對比度和更好地控制溝槽尺寸，進一步印證正膠體系的靈活性與拓展性。

負膠的應用局限

• 在標準 CMOS 流程中，若需做大面積掩蔽層或粗線寬結構，負膠偶爾也會被考慮。但在工藝的最關鍵層和先進線寬環節，正膠仍是主力。

• 負膠工藝窗口窄、圖形邊緣控制不如正膠精細，大規模推廣受到限制。

• 分辨率

  ：能夠實現更窄線寬，更適合先進制程。

• 材料配方成熟

  ：在主流光源（i線/193nm/EUV）都有完善的正膠家族，產業鏈與設備配套成熟。

• 工藝可擴展性

  ：正膠通過多重曝光、浸沒式光刻以及負顯影等改進手段，能夠滿足日益微縮的線寬要求。

• 應用范圍廣

  ：無論是邏輯工藝（CPU、GPU）還是存儲器（DRAM、NAND）等，對高分辨率和高套準精度的需求都使得正膠成為首選。

綜上所述，在集成電路制造領域，正光刻膠因為其高分辨率、穩定的材料體系以及靈活的工藝擴展性，已成為從微米級到深亞納米級線寬所普遍采用的主流方案。負光刻膠雖然在某些特定領域或較粗線寬的應用中仍然可見，但在先進 CMOS 制程中所占的比重相對很小，難以撼動正膠的主導地位。

歡迎加入半導體知識星球，一起學習進步。