我們手機中使用的存儲空間，以及電腦的SSD硬盤，其核心是3D NAND這種存儲芯片。

與其它邏輯芯片不同，NAND存儲芯片的進步，是不能無限的微縮芯片工藝的，比如不能說從10nm進入5nm、3nm這些。

因為研究表明，當芯片工藝達到一個極限，這個極限大約是15-18nm，然后當工藝越先進，工藝數字越來越小時，存儲芯片越不穩定。

而存儲芯片需要的就是穩定，所以不會無限縮小工藝。

既然不能無限縮小工藝，那如何來提高性能呢，廠商們采用的是3D 堆疊技術，也就是有了32層3D NAND閃存，64層、96層，128層，196層，232層……，堆疊的層數越多，技術越先進，速度越快，存儲密度越高。

曾經中國廠商長江存儲，是全球第一家量產232層 3D NAND閃存的廠商，比三星、美光等還先進。

然后美國害怕了，對長存進行打壓，限制半導體設備廠商們，將先進芯片設備賣給長存，限制其發展。

但是近日，知名機構techinsights對長存的ZhiTai SSD TiPro9000進行拆解時發現，長存再次突破，量產出了294層的3D NAND閃存，這或許也是全球第一家首發294層NAND閃存的廠商。

長江存儲是怎么做的呢？采用的是“Xtacking 4.0”技術，利用混合鍵合技術，將150層和144層的存儲單元混合拼接，直接鍵合(混合鍵合)，使用兩塊晶圓，最終做到了294層。

這種方式，不僅能增加存儲密度，提高存儲速度，還能提升生產效率，更重要的是，不需要依賴先進的設備了，繞開了美國的封鎖。

前段時間，傳出消息稱，三星找長存授權，要使用長存的專利，指的就是這種混合鍵合技術，因為隨著存儲芯片的堆疊層數越來越高，直接在一塊晶圓上疊加多層，越來越難了，都是多塊晶圓進行鍵合，實現更高的層數。

由此可見，中國芯片技術是真的崛起了，美國的打壓，也許短時間確實造成了影響，但從長遠來看，卻逼著中國企業不斷的創新，最后實現了彎道超車，最終全面崛起，擺脫依賴。