北京
通信世界網消息（CWW）日前，據外媒報道，SK海力士比預期提前六個月向AI系統開發商提供全球首款12層堆疊HBM4內存芯片樣品。
SK海力士在12Hi HBM4上采用了24Gb DRAM芯片，繼續使用了Advanced MR-MUF（先進批量回流-模制底部填充）鍵合工藝，單封裝容量達36GB，帶寬達2TB/s，運行速度較HBM3E提升了60%以上。
此外，帶寬為2TByte/s的12層HBM4設備將在認證完成后于2025年下半年開始量產。12個芯片的堆疊可存儲36GB的數據。
值得注意的是，Sk Hynix是第一家于2022年量產HBM3的內存制造商，并于2024年量產8層和12層HBM3E設備。HBM3E芯片將在今年晚些時候用于具有288GB內存的Blackwell Ultra GPU。
報道稱，HBM4對英偉達下一代GPU也至關重要，Rubin計劃明年使用8顆芯片堆疊。Rubin Ultra雙GPU將使用16顆HBM4芯片堆疊。
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