前言

近年來，電動交通、工業自動化等領域正在快速發展，高功率電子設備對電流承載能力與散熱效率越發的看重，而MOSFET的性能直接影響到這些設備的電流承載能力和散熱效率。為此，全球廠商正加速布局：一方面通過碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料降低損耗；另一方面優化封裝結構，結合多芯片集成與智能驅動技術，實現電流均流與高效散熱的協同突破，為高功率場景下的可靠性與能效平衡提供關鍵技術支撐。

近期，全球領先的功率半導體供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（納斯達克代碼：AOSL，以下簡稱：AOS）宣布推出兩款先進的表面貼片封裝選項 ——GTPAK與GLPAK。該技術將率先應用于 AOGT66909 和 AOGL66901 MOSFET器件中，通過優化封裝設計，助力客戶在提升系統性能的同時降低復雜度與成本。

全新 GTPAK與GLPAK封裝技術，破解行業痛點

GTPAK封裝：先進封裝技術帶來熱管理升級

AOGT66909采用的GTPAK封裝通過頂部散熱設計實現了熱管理路徑的全面升級。該封裝表面具有大尺寸裸露焊盤可直接對接外部散熱片，使熱量無需依賴PCB板傳導即可高效消散，有效降低了對基板材料的要求。這一設計可有效為高密度電源模塊節省空間，同時允許客戶采用FR4等低成本基板，在保障可靠性的同時降低整體方案成本。

GLPAK封裝：低阻抗與EMI優化的封裝突破

AOGL66901搭載的GLPAK封裝則通過先進夾片技術實現了超低封裝電阻與寄生電感，該封裝的海鷗翼引腳結構設計有效增強了焊接可靠性，大幅優化了電磁干擾（EMI）表現，為電機驅動、儲能系統等應用提供了更優解決方案。

高可靠性設計與生產標準

GTPAK與GLPAK封裝技術均采用海鷗翼引腳設計，可有效增強IMS電路板及其他對可靠性要求極高的關鍵應用中的溫度循環性能，采用 GTPAK 和 GLPAK 封裝的 AOS MOSFET 均在 IATF16949 認證工廠生產，并支持自動化光學檢測（AOI），確保高質量和高一致性，可滿足汽車電子、工業設備等領域的高耐久性需求。

核心性能參數簡述

從產品核心參數看，AOGT66909 采用 GTPAK 封裝，具備 100V 的漏源電壓、±20V 的柵源電壓，工作結溫達 175℃，連續漏極電流在 25℃時達 366A，100℃時為 258A；脈沖漏極電流在 25℃下可達 1464A，導通電阻最大值為 1.5mΩ。

另一款 AOGL66901 采用 GLPAK 封裝，同樣擁有 100V 的漏源電壓、±20V 的柵源電壓及 175℃工作結溫。其連續漏極電流在 25℃時為 448A，100℃時達 316A；脈沖漏極電流在 25℃下高達 1790A，導通電阻最大值為 1.25mΩ。

技術創新驅動客戶價值

AOS MOSFET產品線市場資深總監Peter H. Wilson強調：“GTPAK與GLPAK的推出，不僅是對封裝技術的突破，更是對客戶需求的深度響應，通過減少并聯器件數量與簡化設計流程，助力客戶在提升效率的同時實現降本增效?！?/p>

目前，AOGT66909與AOGL66901已全面投入量產，交貨周期為14-16周，千片單價分別為3.6美元與3.15美元。此次發布的新型封裝技術，將為下一代電動車動力系統、工業伺服驅動等領域提供關鍵技術支撐。隨著全球能源轉型加速，AOS 將持續加大研發投入，以技術創新推動綠色能源應用高效發展。

充電頭網總結

AOS此次推出的GTPAK與GLPAK封裝技術，以先進的熱管理路徑和低阻抗設計直擊行業痛點，不僅重新定義了高功率MOSFET的封裝標準，更通過"散熱-降本-增效"三位一體的技術融合，為電動交通、工業自動化等領域的能效升級提供了兼具前瞻性與實用性的解決方案。