前言

在全球能源轉型與綠色制造浪潮的推動下，氮化鎵功率組件憑借其高頻、高效、低損耗的特性，成為替代傳統硅基器件的熱門選擇。然而，現有GaN組件受限于水平結構設計，難以實現與傳統硅基或碳化硅組件相同的封裝兼容性，導致系統升級成本高、設計復雜。

臺灣嘉和半導體股份有限公司（GaNrich Semiconductor Corp. 以下簡稱：GaNrich）憑借獨特的藍寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire）技術，推出可無縫替換傳統硅基與碳化硅組件的氮化鎵功率器件，一舉打破行業桎梏，為AI服務器、工業電源、新能源等領域帶來顛覆性解決方案。

GaNrich 藍寶石基氮化鎵

GaNrich 推出的“GaN on Sapphire”技術，采用獨特的垂直結構設計，結合藍寶石優異的散熱性能與絕緣特性，可以有效隔離主控芯片與其他封裝元件之間的干擾，實現了多項技術創新：

無縫替換，系統升級零門檻

傳統GaN組件因封裝與驅動方式差異，需重新設計PCB布局，導致客戶成本激增。GaNrich 藍寶石基板組件通過“Pin to Pin”封裝設計，可直接替換現有硅基或碳化硅MOSFET，完全復用原有驅動系統和PCB布局，無需額外驅動芯片且無需更改系統架構。據了解，GaNrich 推出的 650V GaN FET 采用TO-247、TO-220等標準封裝，兼容 3-4V 的主流驅動電壓，客戶僅需更換組件即可有效提升能效。

高可靠性，突破散熱瓶頸

得益于藍寶石的介電常數低于硅，可有效減少漏電流，搭配TOLL、TOLT等雙面散熱封裝，熱阻較傳統封裝可降低50%。在數據中心電源等高密度應用中，組件可在175°C高溫下穩定運行，滿足AI服務器對高功率密度與散熱效率的嚴苛需求。

成本優勢，加速市場化普及

GaNrich 藍寶石基板制程沿用LED產業成熟工藝，良率高且無需昂貴襯底剝離技術。相較友商的GaN on SiC方案，GaNrich的成本得到了有效的降低，是中高壓市場，如電動汽車充電樁、光伏逆變器等領域的理想選擇。

主動保護機制，智能防御異常工況

憑借藍寶石高度絕緣特性，GaNrich 首創集成過溫保護、短路保護的智能GaN FET。當溫度或電流超過閾值時，組件自動觸發保護電路，避免系統失效。此項技術尤其適用于工業電機驅動與儲能系統，可大幅降低維護成本。

GaNrich 650V GaN FET 產品列表

在具體的產品上，GaNrich 在臺灣率先推出以藍寶石基板制程之氮化鎵組件，可提供GaN on Sap D-mode、GaN on Si E-mode的 GaN FET 及 GaN IC ，是臺灣市場唯一能全面供應此類多元產品的公司。

以上為 GaNrich 650V GaN FET產品列表，支持45 - 231mΩ導通電阻，適用于LLC諧振拓撲與圖騰柱PFC電路，可替代硅基IGBT，有效提升開關頻率。

除此之外，在高壓領域，GaNrich 推出多元選擇，針對不同的應用場景推出多種封裝方案，如TOLL、TOLT、TO-247及TO-220系列等。

而在中低壓領域，針對以往中低壓氮化鎵組件存在散熱不佳與驅動不易等缺點，GaNrich 在臺灣搶先推出40-300V的E-HEMT組件，大幅提升散熱能力與驅動便利性，填補市場空缺，可為未來AI電源、儲能、機器人、無人機及工業等應用提供最高效能與功率密度解決方案。

同時 GaNrich 還計劃在今年第三季度推出雙向導通氮化鎵高壓組件，使用單一組件即可取代傳統四顆獨立器件，大幅提升功率密度與芯片面積利用率，適用于儲能系統與車載OBC，芯片利用率可大幅提升。

關于嘉和半導體

嘉和半導體成立于2020年，公司前身為LED領域的技術先驅，倚仗多年三五族半導體發展經驗，逐步將業務拓展至氮化鎵功率組件領域。作為臺灣唯一提供光罩設計、封裝、系統模塊集成及可靠性驗證的全方位服務商，嘉和擁有多項核心專利，并構建了完整的產業鏈協作體系，涵蓋外延片（EPI）、晶圓代工、封裝測試等環節。

充電頭網總結

在功率半導體領域，每一次材料革新都伴隨著產業鏈的重構與市場格局的洗牌。GaNrich 的藍寶石基板氮化鎵技術，不僅解決了行業長期面臨的兼容性與可靠性難題，更以成本優勢推動高壓GaN組件走向普及，為高功率和高效率應用提供了全新的解決方案。

正如其品牌口號“Let’s GaN access to innovation”，這家臺灣新銳企業正以技術硬實力，重新定義功率半導體的競爭格局，為全球能源轉型注入強勁動力。