前言

氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，有高頻率、高效率、高功率密度等優勢，相比傳統硅材料，能讓電力電子設備性能和可靠性大幅提升，可大幅降低電源適配器發熱和整體體積，可以有效助力廠商提升產品功率密度。

為應對快充行業對氮化鎵器件的市場需求，氮矽先后推出多款氮化鎵開關管以及氮化鎵集成芯片，并獲成功導入多家快充工廠供應鏈。

充電頭網了解到，氮矽科技自成立以來，公司始終專注于研發與銷售全方位氮化鎵產品，以瞄準新能源與國家先進基礎產業為方向，打造全國產氮化鎵產品線。公司分別在成都和深圳設立研發與營銷中心，為各應用領域客戶提供高性能、高可靠性的解決方案。

氮矽科技始終將科研能力作為立身之本，在氮化鎵領域打破國際廠商壟斷。公司先后推出“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產品線，廣泛應用于消費電子、數據中心、鋰電池以及新能源汽車等領域。致力于引領氮化鎵的革命性突破, 共創綠色未來。

2024年度氮矽應用案例

文中出現的應用案例如上表所示，下文小編將為您詳細介紹。

氮化鎵開關管

氮矽DX65F130

氮矽DX65F130是一顆650V耐壓的增強型氮化鎵開關管，導阻130mΩ，采用DFN8*8封裝。 DX65F130支持2.5V-6.5V驅動電壓，相較同行同類型GaN-MOS只能支持大于5V驅動，有很好的寬電壓驅動優勢。

應用案例：

1、拆解報告：樂瑞115W二合一氮化鎵桌面充電器

氮矽DX65F200

氮矽DX65F200是一顆耐壓650V的增強型氮化鎵開關管，導阻200mΩ，最大連續電流為10A。器件具有簡化的柵極驅動要求，只需0-6V驅動電壓，無需負壓驅動。極低的柵極電荷支持10MHz以上的超高開關頻率，具有可控制且快速的上升下降時間，無反向恢復損耗。

應用案例：

1、拆解報告：美富達65W 2C1A氮化鎵快充充電器

2、拆解報告：樂瑞115W二合一氮化鎵桌面充電器

氮化鎵集成芯片

氮矽DXP8001FA

氮矽科技氮化鎵集成芯片DXP8001FA內部集成650V 200mΩ氮化鎵開關管和高頻反激控制器，用于PD快充適配器應用。芯片支持9-85V供電電壓范圍，覆蓋PPS和PD快充的3.3-21V輸出電壓，無需額外的供電繞組和降壓電路。

氮矽科技DXP8001FA采用自適應多模式控制，支持DCM和QR工作模式，并支持突發模式提升能效。芯片內部集成豐富的保護功能，包括輸出過電壓保護，供電過電壓保護，BROWN IN/OUT保護，取樣電阻短路保護。

氮矽科技DXP8001FA采用DFN8*8封裝，有效降低芯片溫升。通過集成氮化鎵開關管和控制器，提升了轉換效率，功率密度，可靠性以及開關頻率，降低寄生參數對系統的影響，并減少元件數量，簡化快充電源設計。

應用案例：

1、拆解報告：Pilot今翔65W 2C1A氮化鎵快充充電器

充電頭網總結

上文中提到的氮矽DX65F130、DX65F200兩款氮化鎵分離器件均具備柵極驅動極簡、開關頻率高、無反向恢復損耗等優秀的特性，可以完美取代傳統硅器件，有效提升整機效率。此外，氮化鎵集成芯片DXP8001FA還在分離器件的基礎上集成了高頻反激控制器，內置多模式控制以及全方位保護等功能，能夠有效減少PCB板空間占用，降低溫升，非常適合PD快充應用。

另外，氮矽科技作為國內首屈一指的氮化鎵功率器件廠商，曾經率先推出PDDFN4x4mm封裝的650V/160mΩ氮化鎵功率器件，成為業內同系列產品中封裝面積最小的產品。最近，氮矽科技還針對TV領域以及工業級領域推出多款氮化鎵器件，致力實現氮化鎵器件的國產化替代。