近日，全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來重大變局。三星電子宣布其第10代NAND Flash產(chǎn)品（V10）將采用中國企業(yè)持有的"混合鍵合"（Hybrid Bonding）技術(shù)專利，這一決策不僅折射出中國存儲芯片技術(shù)的快速崛起，更標(biāo)志著東亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭進(jìn)入新階段。業(yè)內(nèi)人士指出，當(dāng)前3D NAND混合鍵合領(lǐng)域的核心專利已形成中美韓三方角力格局，而中國在技術(shù)研發(fā)和專利布局上的突破性進(jìn)展，正在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分工體系。

一、核心技術(shù)突破引發(fā)產(chǎn)業(yè)地震

在存儲芯片領(lǐng)域，混合鍵合技術(shù)作為3D NAND制造的核心工藝，直接影響芯片存儲密度與能效比。據(jù)ZDNET Korea披露，SK海力士在下一代閃存技術(shù)研發(fā)中同樣面臨技術(shù)瓶頸，亟需與中國廠商達(dá)成專利交叉授權(quán)。這種技術(shù)依賴現(xiàn)象表明，中國在新型存儲技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力已不容小覷。

根據(jù)知識產(chǎn)權(quán)法律公司Mathys&Squire的報告，2023-2024年中國半導(dǎo)體專利申請量同比增長42%，增速遠(yuǎn)超韓國同期水平。而根據(jù)集微咨詢發(fā)布的《2024年中國大陸半導(dǎo)體制造企業(yè)專利實(shí)力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲和長江存儲分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現(xiàn)出積極參與國際行業(yè)進(jìn)步的戰(zhàn)略眼光。這一趨勢表明，中國半導(dǎo)體行業(yè)在中美技術(shù)緊張的背景下，依然保持了強(qiáng)勁的發(fā)展勢頭。

在細(xì)分技術(shù)領(lǐng)域，中國半導(dǎo)體企業(yè)憑借自主研發(fā)的DDR4/DDR5內(nèi)存芯片技術(shù)，專利儲備量躍居全球第三；在3D NAND領(lǐng)域建立起涵蓋介質(zhì)材料、制造工藝、封裝測試的全鏈條專利體系，專利組合的國際影響力持續(xù)擴(kuò)大。

二、韓國企業(yè)的戰(zhàn)略困局與突圍嘗試

面對技術(shù)迭代壓力，韓國半導(dǎo)體企業(yè)正經(jīng)歷前所未有的轉(zhuǎn)型陣痛。權(quán)威機(jī)構(gòu)TechInsights的最新報告顯示，韓國在DRAM領(lǐng)域的市場份額已從2018年的75%降至2024年的62%，NAND Flash市場份額也從58%滑落至51%。更嚴(yán)峻的是，在代表未來方向的高性能計算芯片領(lǐng)域，韓國企業(yè)的專利儲備量僅為中國的68%。

來自美光的強(qiáng)勁爭奪也給韓企帶來壓力。3月6日，美光宣布關(guān)鍵人事變動，臺積電前董事長劉德音加入其董事會備受矚目。業(yè)內(nèi)認(rèn)為，劉德音憑借豐富的經(jīng)驗?zāi)茉谛酒圃臁⒑Ｍ鈹U(kuò)張、AI技術(shù)及市場策略上為美光提供有力支持。近年來，美光面臨市場激烈競爭和復(fù)雜環(huán)境，作為技術(shù)革新與風(fēng)險控制的專家，劉德音能否在美光困境中力挽狂瀾，雖尚需時間驗證，但毫無疑問的是，這一人是變動恐成為美光對韓企發(fā)起進(jìn)攻的利刃。

值得關(guān)注的是，韓國政府近期推出"半導(dǎo)體2030計劃"，擬投入30萬億韓元（約合230億美元）重點(diǎn)攻關(guān)EUV光刻、量子計算等前沿技術(shù)。同時，三星電子加快在得克薩斯州泰勒市的投資步伐，計劃在美新建12英寸晶圓廠，試圖通過全球化布局緩解地緣政治風(fēng)險。

三、全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的三大趨勢

當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)出三大演變趨勢：其一，技術(shù)主權(quán)爭奪進(jìn)入白熱化階段，各國紛紛建立本土供應(yīng)鏈閉環(huán)；其二，專利訴訟成為市場競爭的常規(guī)武器，2024年全球半導(dǎo)體專利糾紛案件同比激增65%；其三，下游應(yīng)用場景正在反向定義上游技術(shù)路線，生成式AI對高帶寬存儲器的需求推動HBM市場規(guī)模突破百億美元。

在這場產(chǎn)業(yè)變革中，中國企業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的戰(zhàn)略定力。某中國半導(dǎo)體企業(yè)日前宣布量產(chǎn)第四代3D NAND芯片，首次在存儲單元密度上超越三星同類產(chǎn)品。這種技術(shù)突破標(biāo)志著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在從跟隨者向并行者轉(zhuǎn)變，全球半導(dǎo)體競爭格局或?qū)⒁虼擞瓉砀顚哟蔚慕Y(jié)構(gòu)性調(diào)整。

面對國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭和專利布局上的劣勢，韓國半導(dǎo)體企業(yè)不得不尋求與中國企業(yè)的合作，以共謀發(fā)展。而中國半導(dǎo)體企業(yè)則通過技術(shù)創(chuàng)新和專利布局的不斷加強(qiáng)，正逐步超越世界領(lǐng)先企業(yè)，迎來屬于自己的時代。