日前媒體報道指三星已正式與中國存儲芯片企業(yè)長江存儲達(dá)成專利授權(quán)合作，將采用后者的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”，這是三星首次采用中國存儲芯片的技術(shù)，三星作為全球最大的存儲芯片企業(yè)卻需要獲取中國芯片的專利，無疑證明了中國芯片技術(shù)的先進(jìn)性。

據(jù)悉中國芯片的“混合鍵合”可以提升存儲芯片的性能、降低功耗，在當(dāng)下存儲芯片堆疊層數(shù)不斷增加--NAND FLASH存儲芯片已超過300層，該項技術(shù)具有非常重要的意義。

三星為全球最大的存儲芯片企業(yè)，占有存儲芯片市場近四成市場份額；韓國除了三星之外，還有SK海力士，兩家企業(yè)合計占有存儲芯片市場近七成的市場份額，可以說他們在存儲芯片行業(yè)具有壟斷性的市場地位。

三星發(fā)展存儲芯片最早在1980年代，發(fā)展數(shù)十年來，它已積累了大量專利，據(jù)悉它擁有的存儲芯片專利高達(dá)1.2萬項，在全球存儲芯片行業(yè)建立了技術(shù)壁壘。

三星除了在技術(shù)和市場方面有優(yōu)勢之外，它還善于采用逆周期擴(kuò)張技術(shù)，即是在存儲芯片的低谷期大舉采購芯片設(shè)備、擴(kuò)張產(chǎn)能，在存儲價格上漲周期收獲豐厚利潤，它能如此做，在于它當(dāng)時已在電視行業(yè)等取得全球第一名，這些盈利的業(yè)務(wù)持續(xù)支持存儲芯片的擴(kuò)張。

在1990年之前，日本才是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)國，但是日本的存儲芯片企業(yè)沒有得到足夠的支持，在每次存儲芯片低谷期出現(xiàn)巨額虧損而不得不收縮，經(jīng)過數(shù)次周期更替，1990年代日本的爾必達(dá)倒閉后，日本的存儲芯片失去競爭優(yōu)勢，韓國成為全球最大的存儲芯片生產(chǎn)國。

中國的存儲芯片企業(yè)則成立在2016年，作為后來者，中國的存儲芯片企業(yè)當(dāng)時就已非常注重專利的積累，為此長江存儲等芯片企業(yè)選擇了從最古老的32層NAND flash做起，以打造自己的專利基礎(chǔ)。

此后長江存儲又研發(fā)了64層NAND FLASH，但是依然沒有投入大規(guī)模生產(chǎn)；直到數(shù)年后研發(fā)成功128層NAND flash--這已是當(dāng)時的主流技術(shù)，才投入大規(guī)模生產(chǎn)，有了自己的基礎(chǔ)專利，讓中國存儲芯片企業(yè)的發(fā)展更為扎實。

2022年中國存儲芯片企業(yè)量產(chǎn)了當(dāng)時全球最先進(jìn)的232層NAND flash，由此取得了領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢；這也讓海外存儲芯片企業(yè)恐懼，美國拉攏日本和荷蘭的芯片設(shè)備企業(yè)，限制對中國存儲芯片企業(yè)供應(yīng)先進(jìn)的芯片設(shè)備，甚至連已在生產(chǎn)線的光刻機(jī)也停止維護(hù)，這才幫助三星、美光等美日韓存儲芯片重奪技術(shù)優(yōu)勢，2023年他們量產(chǎn)300層NAND flash。

中國存儲芯片企業(yè)并未就此止步，那幾年中國的存儲芯片技術(shù)積極推進(jìn)以國產(chǎn)的芯片設(shè)備和材料替代進(jìn)口芯片設(shè)備，2024年底，中國存儲芯片企業(yè)也量產(chǎn)300層NAND flash，再次追上海外存儲芯片企業(yè)。

到如今三星不得不獲取中國存儲芯片的專利，無疑進(jìn)一步證明了中國存儲芯片已發(fā)展出自己的獨(dú)特專利，而且是無法繞開的核心專利，這是海外芯片企業(yè)首次主動求取中國芯片企業(yè)的專利，絕對是中國芯片的重大突破。

中國存儲芯片的成功，說明中國擁有巨量的科技人才，只要中國各個行業(yè)堅持創(chuàng)新，中國是有可能發(fā)展出自己的先進(jìn)科技，打破海外科技企業(yè)在專利方面的壟斷的，擁有了自己的獨(dú)特專利，將真正具有足夠的核心技術(shù)優(yōu)勢，而無需再受制于人。