國內半導體功率器件市場近年來呈現出蓬勃發展的態勢，隨著科技的不斷進步和電子信息產品的廣泛應用，功率半導體作為現代電子工業的基礎，其重要性日益凸顯。在這個充滿機遇與挑戰的市場中，長晶科技憑借其卓越的技術實力、全產業鏈布局和深厚的行業積淀，在保持二極管、三極管等傳統產品優勢的基礎上，自主研發了MOSFET、IGBT、電源管理IC等產品的關鍵核心技術，正逐步邁向世界一流半導體品牌的行列。

長晶科技自2018年成立以來，始終秉持“創造世界一流的半導體品牌”的發展愿景，專注于半導體功率器件的研發、生產和銷售。公司總部坐落于江蘇南京江北新區研創園，并在深圳、上海、北京、香港等地設有子公司及辦事處，構建了完善的全球研發和銷售網絡。憑借深厚的技術積淀和敏銳的市場洞察力，長晶科技在半導體功率器件領域取得了顯著成就。

在技術創新方面，長晶科技深知這是企業持續發展的核心動力。因此，公司高度重視研發投入，組建了高素質、專業化的研發團隊，不斷攻克技術難關。長晶科技主導的“低功耗高可靠超結MOS器件關鍵技術研究”項目成功入選江蘇省重點研發計劃，而“超低內阻晶圓級封裝功率MOS器件”項目也成功入選南京市江北新區重點研發計劃。這些項目的成功入選，不僅彰顯了長晶科技在半導體功率器件領域的深厚技術底蘊，也為其后續的技術創新和市場拓展奠定了堅實基礎。

同時，長晶科技在自主研發方面也取得了豐碩成果。公司自主研發的CSP MOSFET產品經江蘇省工業和信息化廳鑒定，總體處于國內領先、國際先進水平，并與SGT MOSFET產品共同被南京市工信局認定為“南京市創新產品”。此外，長晶科技還參與制定了半導體產品相關的國標、團標等各項標準，進一步鞏固了其在半導體功率器件領域的領先地位。

另外，長晶科技高度重視研發知識體系建設，通過申請專利、集成電路布圖設計等形成了對公司產品的技術保護。截至 2024年底，公司擁有已授權的專利 220件（其中發明專利75件），集成電路布圖設計專有權97件，合計知識產權數量約365件。

為了進一步提升市場競爭力和抗風險能力，長晶科技積極推進全產業鏈布局。公司從芯片設計、芯片制造、封裝測試到銷售等各個環節進行深度整合，形成了完整的產業鏈體系。通過產業并購、合資合作等方式，長晶科技不斷補全產業鏈環節，實現了從Fabless（無晶圓廠）模式向IDM（垂直整合制造工廠）模式的轉變。

在市場拓展方面，長晶科技積極開拓國內外市場，與眾多知名品牌終端客戶建立了良好的合作關系。公司產品廣泛應用于消費、工業、汽車、新能源等多個領域，并得到了客戶的一致好評。同時，長晶科技還注重深化客戶服務，建立了完善的售前、售中、售后服務體系。通過不斷優化產品性能和服務質量，長晶科技努力為客戶提供更加優質、高效的服務，贏得了市場的廣泛認可。

值得一提的是，長晶科技近期發布了新款FST3.0 IGBT產品。這款產品在性能上實現了顯著提升，不僅具有更低的導通損耗和開關損耗，還具備更高的可靠性和穩定性。FST3.0 IGBT的發布，不僅彰顯了長晶科技在半導體功率器件領域的創新實力，也為其在新能源汽車、工業自動化等高端市場贏得了更多機會。

從始至終，面對國家對于半導體產業發展的高度重視，長晶科技積極響應號召，加速推進半導體功率器件的國產化替代進程。通過加大研發投入，提升產品質量，長晶科技正逐步打破國外企業在高端半導體領域的壟斷，為中國半導體產業的崛起貢獻力量。