~同時(shí)加快車載GaN器件的開(kāi)發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱“ATX”）。

為了實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，“提高用電量占全球一大半的電源和電機(jī)的效率”已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。功率元器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進(jìn)一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn)，并于2023年7月將柵極驅(qū)動(dòng)器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。為了應(yīng)對(duì)大功率應(yīng)用中的進(jìn)一步小型、高效率化的市場(chǎng)要求，ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎(chǔ)上追加的形式來(lái)強(qiáng)化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內(nèi)置第2代元件并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。

新產(chǎn)品在TOLL封裝內(nèi)置第2代GaN on Si芯片，在與導(dǎo)通電阻和輸入電容相關(guān)的器件性能指標(biāo) (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數(shù)值表現(xiàn)達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。這將有助于需要高耐壓且高速開(kāi)關(guān)的電源系統(tǒng)進(jìn)一步節(jié)能和小型化。新產(chǎn)品已于2024年12月投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格 3,000日元/個(gè)，不含稅），并已開(kāi)始電商銷售，通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買。

關(guān)于新產(chǎn)品的量產(chǎn)，ROHM利用其在垂直統(tǒng)合型一體化生產(chǎn)體系中所積累的元器件設(shè)計(jì)技術(shù)和自有優(yōu)勢(shì)，進(jìn)行了相關(guān)的設(shè)計(jì)和規(guī)劃，并于2024年12月10日宣布作為與臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡(jiǎn)稱“TSMC”）合作的一環(huán)，前道工序在TSMC生產(chǎn)，后道工序在ATX生產(chǎn)。另外，ROHM還計(jì)劃與ATX合作生產(chǎn)車載GaN器件。預(yù)計(jì)從2026年起，GaN器件在汽車領(lǐng)域的普及速度將會(huì)加快，ROHM計(jì)劃在加強(qiáng)內(nèi)部開(kāi)發(fā)的同時(shí)，進(jìn)一步加深與這些合作伙伴之間的關(guān)系，以加快車載GaN器件投入市場(chǎng)的速度。

日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司董事兼總經(jīng)理廖弘昌表示：“ROHM擁有從晶圓制造到封裝的全部生產(chǎn)設(shè)備，并擁有非常先進(jìn)的制造技術(shù)，很高興ROHM將部分生產(chǎn)外包給我們。我們從2017年開(kāi)始與ROHM進(jìn)行技術(shù)交流，目前正在繼續(xù)探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的實(shí)際業(yè)績(jī)和技術(shù)實(shí)力得到ROHM的認(rèn)可，從而促成了本次合作。雙方還計(jì)劃針對(duì)ROHM目前正在開(kāi)發(fā)的車載GaN器件也開(kāi)展合作，未來(lái)也會(huì)繼續(xù)加深雙方的合作伙伴關(guān)系，以促進(jìn)各領(lǐng)域的節(jié)能，為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)做出貢獻(xiàn)。”

ROHM Co., Ltd. AP生產(chǎn)本部本部長(zhǎng)藤谷諭表示：“非常高興ROHM 的TOLL 封裝650V GaN HEMT能夠以令人滿意的性能投入量產(chǎn)。ROHM不僅提供GaN器件，還提供其與融入自身模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)的IC等元器件相結(jié)合的電源解決方案，而且還會(huì)再將這些設(shè)計(jì)過(guò)程中積累的專業(yè)知識(shí)和理念應(yīng)用到元器件的設(shè)計(jì)中。通過(guò)與ATX等技術(shù)實(shí)力雄厚的OSAT合作，ROHM不僅能夠跟上快速增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)的步伐，同時(shí)還能不斷向市場(chǎng)推出融入ROHM優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。未來(lái)，我們將繼續(xù)通過(guò)提高GaN器件的性能，促進(jìn)各種應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和效率提升，為豐富人們的生活貢獻(xiàn)力量。”

＜什么是EcoGaN?＞

EcoGaN?是通過(guò)更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

適用于服務(wù)器、AC適配器（USB充電器）、通信基站電源、工業(yè)設(shè)備電源、PV逆變器、ESS（Energy Storage System / 儲(chǔ)能系統(tǒng)）等輸出功率500W～1kW級(jí)的廣泛電源系統(tǒng)。

＜電商銷售信息＞

開(kāi)始銷售時(shí)間：2025年1月起

新產(chǎn)品在電商平臺(tái)將逐步發(fā)售。

?產(chǎn)品型號(hào)：GNP2070TD-ZTR

＜關(guān)于日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司＞

ATX位于中國(guó)山東省威海市，是從事功率元器件的組裝和測(cè)試的OSAT企業(yè)。公司可以生產(chǎn)MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多種封裝，年產(chǎn)能超過(guò)57億枚。目前產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備、可再生能源（太陽(yáng)能發(fā)電等）、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，尤其是在電動(dòng)汽車控制領(lǐng)域，在國(guó)際品牌市場(chǎng)擁有很高的市場(chǎng)份額。

ATX與全球排名前十的功率元器件企業(yè)建立了長(zhǎng)期且緊密的合作關(guān)系，是一家擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)以及基于這些知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)的、下一代半導(dǎo)體元器件開(kāi)發(fā)方面的先進(jìn)企業(yè)。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。

*2) RDS（ON）×Qoss

評(píng)估元器件性能的指標(biāo)，Qoss是指從輸出端看的漏極源極間的總電荷量。另外，RDS（ON）（導(dǎo)通電阻）是使MOSFET啟動(dòng)（導(dǎo)通）時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小，運(yùn)行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。這兩者相乘得到的值越低，開(kāi)關(guān)工作效率越高，開(kāi)關(guān)損耗越少。