制造芯片需要光刻機，芯片制程越先進，對光刻機性能要求越高，其光刻機的制造難度也就越高。

光刻機是芯片制造的重要工具，屬于大國重器之一；它有EUV與DUV之分，其中EUV光刻機制造技術要求很高，是我們的技術短板。這些年國內的科研院所與高校一直在搞科技攻關，在一點點的解決其制造技術上的難題。

EUV光刻機由于技術難點多，目前是國內的技術短板；但是很多科研工作者在默默奉獻，在搞科技攻關，一點一滴的解決先進光刻機制造中遇到的難題。

在2024年年底，哈爾濱工業大學發布的新聞中，提到在黑龍江省高校與科研院所職工科技創新成果轉化大賽中，航天學院趙永蓬教授的“放電等離子體極紫外光刻光源”獲得一等獎。

在“放電等離子體極紫外光刻光源”項目介紹中，提到這項技術可提供中心波長為13.5納米的極紫外光，能夠滿足極紫外光刻市場對光源的迫切需求，為推動我國極紫外光刻領域發展、解決高端制造領域關鍵問題作出了貢獻。

從項目介紹看，這項技術對于我國EUV光刻機制造的技術推進，意義重大，部分解決了EUV光刻機制造中的光源問題，讓整機制造少了一個技術難題！

大家不要高興過早，在2017年長春光機所就有EUV光源的成果，畫出了32nm間距線條。這些技術距離EUV光刻機整機制造還很遠，只是解決了整機制造的一些技術難點。

EUV光刻機制造的難點不僅有極紫外光源的問題，還有能量問題（能量太小搞不動芯片）與引導光線準確打到晶圓上的問題（要精密儀器做極為光滑的多片透鏡反射鏡）；可見制造出EUV光刻機的技術難點有很多，好在有很多科研人員在向前推進。

哈工大在2024搞定“13.5納米的極紫外光”的技術，是對大國重器建設的一個有力支持；讓先進制程芯片的技術難點又少一個，讓國內先進光刻機造成迎來曙光！

在2024年，華中科技大學解決了芯片制造中的光刻膠生產技術。這項技術突破，讓國內可以自主生產這項產品，也少了一項芯片制造中的“卡脖子”問題。此前這項技術一直被日本企業所掌控；華科大與某企業的技術突破，打破了該企業的技術封鎖！

文末總結

芯片制造技術，是我國很少沒有完全自主的行業；在被“卡脖子”后，很多人科研人員都在憋著一股勁，在攻克一些相關技術的難點；哈工大與華科在2024年就為國人帶來了好消息，成功的突破了“它們”的技術封鎖，自主擁有。

哈工大與華科的技術突破，僅是解決先進芯片制造中很多技術難題的幾步；后面還有很多技術問題需要解決；希望我們的科研人員繼續努力，早日實現科技自立自強！