機場里，美國調查員很興奮地在一個中國女人身上搜查到一張6800美元的支票，試圖以此要挾中國女人留在美國。然而，中國女人只是看著那張支票，淡淡地說：“扣吧，我還是要回中國”。
在這一年里，38歲的中國女性博士林蘭英做出了一個重大決定，她放棄了在美國優越的研究條件和高薪職位，頂住了美國政府施加的壓力，選擇回國投身于我國半導體行業的發展，為國家貢獻自己的力量。

林蘭英在1957年歸國后，立刻投身于中國科學院，開始了她在半導體材料領域的探索。面對國際專家的斷言，中國至少要到60年代才能研制出硅單晶，林蘭英并未在意。她帶領團隊，日以繼夜地在實驗室中努力研究。
果不其然，僅僅在林蘭英歸國后的第二年，中國就成功研制出了第一根硅單晶，使中國成為全球第三個掌握這一技術的國家，這一成就無疑是對那些質疑聲音的有力回擊。
林蘭英并未止步于此。她又將研究方向轉向了砷化鎵，這是一個因為高熔點和強毒性而被外國科學家放棄的材料。
從1987年開始，林蘭英專注于砷化鎵單晶在太空環境下的生長研究。在接下來的三年中，她的實驗研究取得了三次成功，并且她還額外研發出了半導體激光器，為中國的半導體科學研究開辟了新的道路。
正是她的堅持己見，讓她成為了世界上最早的太空半導體材料砷化鎵單晶的科學家。但是如果不是因為她少年時期的堅持，就不會有之后的林蘭英。

1917年，林蘭英出生在福建省莆田市。從小她就在學習上展現出了極強的天賦，再加上好學上進，小學到中學的這12年里，每學期都能拿第一。
那個時代，即便林蘭英能讀書很優秀，社會上也彌漫的是重男輕女的想法。她的母親并不想讓她讀書，是她用一次又一次的爭辯，一次又一次的堅持，以絕食反抗才讓她的母親松了口。
在1936年的金色秋天，林蘭英以卓越的成績考入了福建協和大學的物理系，她的學術才華在這里得到了充分的展現，以至于畢業后被留校任教，長達8年。
在這段時間里，她以其深厚的物理學知識，編寫了一本名為《光學實驗課程》的教科書，為后來的
學生們照亮了物理學的道路。
1949年，林蘭英又在迪金森學院獲得了數學學士學位。盡管她的導師希望她能繼續深造，但她卻選擇了另一條道路。她渴望學習一個能夠助力祖國發展的專業，于是，她選擇了賓夕法尼亞大學的固體物理專業。
1951年，林蘭英獲得了碩士學位，但她并沒有滿足于此，而是繼續了她的博士學業。1955年，她以一篇關于《離子晶體缺陷的研究》的論文順利完成博士學位，成為了賓夕法尼亞大學首位博士學位獲得者，也是該校歷史上第一位女博士。

畢業后，林蘭英渴望立即回國，但美國并不愿意輕易讓她離開。由于短期內無法回國，林蘭英加入了美國的索菲尼亞公司，擔任高級工程師，專注于半導體材料的研究。
在索菲尼亞公司，林蘭英全身心投入研究，學習最新技術。當時，公司的科學家們在硅單晶研究上遭遇連續失敗。
在這個關鍵時刻，林蘭英挺身而出，不僅找出了問題所在，還提出了有效的解決方案。在她的指導下，硅單晶最終研制成功。基于這次經歷，林蘭英撰寫了一篇論文，并一經發表，該技術就被美國列為專利。
林蘭英的一生是對學術追求和國家繁榮的不懈奮斗。她的堅持、勤奮、創新和無私精神，為我們樹立了學習的典范。