在進入28納米節點時，半導體邏輯制造工藝出現了分岔。一條路線走向了三維工藝，即大家所熟知的FinFET，代表廠商有臺積電、英特爾和中芯國際等晶圓制造廠商；另一條路線則還在堅持平面工藝，被稱為FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡硅型絕緣體上硅），代表廠商有意法半導體（STMicroelectronics）。三星電子與格羅方德（GlobalFoundries）則兩條腿走路，對FinFET與FD-SOI都有布局，但三星的先進邏輯制造工藝還是以FinFET為主。

由于臺積電與英特爾只選擇了FinFET工藝，三星的重點投入也在FinFET工藝上，因而FinFET工藝成為28納米及以下先進工藝的主流選擇，兩廂比較，FD-SOI雖然也是邏輯制造工藝，但更像是一種“特色”工藝，產業生態還比較小眾，參與廠商也較少，代表性的產品還不多。不過，自意法半導體2012年建成第一條28納米FD-SOI產線以來，歷經多年發展，FD-SOI工藝的“朋友圈”在不斷擴大。

多個節點選擇

2014年，三星獲得意法半導體28納米FD-SOI工藝平臺的授權，開始為業界提供FD-SOI代工制造服務。2015年，格羅方德推出22納米FD-SOI工藝平臺，成為當時最先進的FD-SOI制造工藝平臺。

2024年3月，意法半導體和三星聯合宣布推出18納米FD-SOI工藝，該工藝集成了嵌入式相變存儲器（ePCM），與28納米FD-SOI工藝相比，顯著提高了性能且降低了功耗，支持更大的存儲容量，可實現高的模擬與數字外設集成。基于該工藝的新一代STM32 MCU將于2024年下半年送樣，計劃于2025年下半年正式量產。

所以考慮FD-SOI工藝的芯片設計公司，目前有三個節點可以選擇，即28納米、22納米以及18納米，分別由意法半導體、格羅方德與三星提供代工制造服務。

18納米以下的工藝節點也在規劃中。其中，格羅方德已經把12納米FD-SOI工藝放在自己的發展路線圖中，雖然路線圖顯示是2028年以后落地，不過格羅方德發言在第九屆FD-SOI論壇上表示，預計2026年前后即可推出。

市場研究機構IBS首席執行官Handel Jones在第九屆FD-SOI論壇上發表演講時指出，與FinFET的可比較工藝相比，在28/22/18/12納米等數個節點上，FD-SOI在功耗、成本和射頻性能等方面比較有優勢。而即將推出的12納米FD-SOI工藝平臺，有望借助Chiplet等先進封裝技術，在數據中心市場與低功耗移動處理器市場占據一席之地。

FD-SOI的工藝進度并不會停止在12納米，更先進的工藝節點已經在開發過程中。2024年6月，法國CEA-Leti宣布啟動FAMES試驗生產線，總投資約8.3億歐元，主要研發10納米和7納米FD-SOI工藝在內的五套新技術，此中試線的建設，已經得到了43家公司的支持。

在這次論壇上，參會觀眾也對FD-SOI工藝的發展前景做出了投票，其中八成以上觀眾認為需要引入12納米FD-SOI工藝。但對是否發展10納米FD-SOI工藝則分歧更大。

豐富的IP支持

一種工藝能否被廣泛應用，除了產線建設，IP支持也很重要。作為FD-SOI生態的主要參與廠商之一，芯原股份早在2013年就開始進行基于FD-SOI工藝的IP技術開發，在格羅方德22納米FD-SOI產線22FDX建成以后，芯原也是最早支持該工藝平臺的中國IP供應商。

據芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民博士介紹，芯原在22納米FD-SOI工藝上已經開發了59個模擬和數模混合IP，其中已經授權260多次，客戶有40多家，在量產的項目有25個。

在射頻上，芯原也為用戶提供了包括藍牙、Wi-Fi、Cat-1、NBIoT和GNSS等常用射頻IP，所有IP都進行了實際流片的硅驗證，并配合有相應的基帶IP。

除了芯原，在這次論壇上，來自法國的Dolphin Design和上海昇貽半導體科技有限公司也展示了各自在FD-SOI上的IP產品及設計服務業務。其中Dolphin給出了基于格羅方德22FDX的音頻和電源管理IP，而昇貽則為用戶提供了基于22FDX標準單元庫，并可以為FD-SOI芯片提供定制化開發服務。

實際上，由于和傳統CMOS制造工藝差別較大，FD-SOI芯片的設計對EDA工具也有要求。芯和半導體首席執行官凌峰博士指出，從EDA的角度來看，要支持好FD-SOI的用戶設計芯片，需要EDA/IP廠商與晶圓廠合作，針對FD-SOI工藝做出相應的優化與變更。例如提供針對FD-SOI工藝的PDK、提供相應IP、EDA工具在FD-SOI晶圓廠驗證，以及為FD-SOI與其他工藝異質集成做好相應的工具鏈準備等。

落地產品日漸多樣

FD-SOI工藝能否被更多廠商接受，還要看能否持續推出有市場競爭力的芯片產品。作為最早推出FD-SOI工藝的廠商，早在2013年，意法半導體就開發出過基于28納米FD-SOI工藝的手機移動處理器。此后，意法半導體將FD-SOI工藝應用于車規MCU，其著名的Stellar系列MCU即由FD-SOI工藝制造，與傳統CMOS工藝相比，用FD-SOI工藝制造出來的MCU，工作頻率有顯著提升，高溫時的漏電流下降35%，軟件安全性與可靠性方面也有更好表現。

用FD-SOI工藝的知名MCU產品，還有恩智浦公司的i.MX7與i.MX8系列、瑞薩第一款22納米MCU基于Arm Cortex-M核的 RA系列等。其中瑞薩的這款產品，是由芯原代開發的。另外一款芯原提供設計服務的產品，累計出貨已經超過6000萬顆，采用了自適應體偏置技術（Adaptive Body Bias，ABB），相比28納米體硅CMOS工藝功耗下降55%，只用2節AA電池就可支持設備運行2年。

FD-SOI工藝集成射頻也有優勢。所以，除了MCU/SoC，FD-SOI工藝也常用做通信芯片，例如意法半導體就將FD-SOI工藝應用于調制解調器、波束成形等無線通信產品中，索尼則將FD-SOI工藝應用于GPS芯片中。

很多新公司正在加入到FD-SOI生態圈。在本屆會議上，芯思原微電子介紹了一款基于FD-SOI工藝的BLE MCU，至成微科技（浙江）有限公司則帶來了一顆基于FD-SOI工藝的Wi-Fi 6和雙模藍牙的單芯片，芯港半導體介紹了用FD-SOI工藝開發的一顆物聯網定位芯片。

總結

FD-SOI工藝在低功耗、射頻集成、NVM存儲集成、軟件安全性等方面有比較優勢，在多個節點上與體硅工藝相比也有成本優勢，但是在主流晶圓制造廠商主要走FinFET路線以后，FD-SOI的發展速度相對較慢，尤其是能夠提供制造工藝的晶圓廠還比較少，所以規模效應尚有很大的提升空間。不過伴隨著意法半導體、三星與格羅方德等晶圓廠的下一代路線圖的發布，作為一種“特色”邏輯工藝，FD-SOI的市場還有望持續擴大。

目前能夠按照日程表迭代先進工藝的晶圓廠似乎只剩下了臺積電，英特爾與三星都有點跟不上節奏，在工程極限影響下，先進工藝路線繼續分岔的可能性又增加了。

而考慮到地緣政治影響，中國大陸的晶圓廠，在成本、產能、時間與供應鏈的約束下，走出一條有中國特色的先進晶圓制造技術路線似乎不可避免。FD-SOI發展過程中的經驗與教訓，可以作為有“中國特色”的先進晶圓制造技術路線的參考，這樣看來，FD-SOI發展得好不好，就不是單FD-SOI生態圈的事情，而是整個半導體產業都應該關心的事情。