é‹°ç¡«é›»æ± æ£æ¥µææ–™â€”—基于焦爾熱制備的ZIF-67碳è¡ç”Ÿç‰©èª¿æŽ§ç ”ç©¶é ˜åŸŸ
ææ–™ç§‘å¸èˆ‡å·¥ç¨‹å¸é™¢é …å®ç™¼æ•™æŽˆã€å®‹æ›‰è¼å‰¯æ•™æŽˆåŠå…¶åˆä½œè€…åˆ©ç”¨åŽŸä½æ¶²ç›¸é€å°„é›»å顯微é¡ï¼ˆTEM)和冷å‡é€å°„é›»é¡ï¼Œé¦–次æç¤ºäº†MOFçµæ§‹æ¼”變ä¸ç¶“典和éžç¶“典生長途徑的çµåˆï¼ŒåŒ…括液-液相分離ã€é¡†ç²’附著-èšçµä»¥åŠè¡¨é¢å±¤æ²‰ç©éŽç¨‹ã€‚æ¤å¤–ï¼Œåœ˜éšŠé‡‡ç”¨è¶…å¿«é«˜æº«ç‡’çµæŠ€è¡“ï¼ˆç„¦è€³ç†±ï¼‰ï¼Œå¹¶é€šéŽ3D電忖·å±¤æŽƒæï¼Œè‰å¯¦äº†æ°®æ‘»é›œç¡¬ç¢³ç´ç±³ç± ä¸å‡å‹»åˆ†å¸ƒçš„è¶…å°éˆ·ç´ç±³é¡†ç²’ã€‚é€™ç¨®ææ–™åœ¨é‹°ç¡«é›»æ± ä¸å±•ç¾å‡ºå„ªç•°æ€§èƒ½ï¼Œé¡¯è‘—æå‡äº†é›»æ± 的載硫é‡èˆ‡å¾ªç’°ç©©å®šæ€§ã€‚åŽŸä½æ‹‰æ›¼å…‰èœé€²ä¸€æ¥é©—è‰äº†é«˜æ¿ƒåº¦N摻雜和超細鈷ç´ç±³é¡†ç²’çš„å”åŒä½œç”¨æ˜¯æå‡è©²æ€§èƒ½çš„é—œéµåŽŸå› ã€‚ç›¸é—œçš„ç ”ç©¶ä»¥â€œUnveiling the Dynamic Pathways of Metal-Organic Framework Crystallization and Nanoparticle Incorporation for Li-S Batteriesâ€ç‚ºé¡ŒäºŽ2024å¹´9月24日在線發表在國際å¸è¡“期刊Advanced Scienceã€‚é€šè¨Šä½œè€…ç‚ºé …å®ç™¼æ•™æŽˆå’Œå®‹æ›‰è¼å‰¯æ•™æŽˆï¼Œåˆè‚¥å·¥æ¥å¤§å¸ç‚ºç¬¬ä¸€ç½²åå–®ä½ã€‚
圖1 論文創新點——原ä½å¯¦é©—ç ”ç©¶ZIF-67ææ–™çµæ§‹æ¼”變動力å¸
金屬有機框架(MOF)和共價有機框架(COFï¼‰å› å…¶å„ªç•°çš„è¡¨é¢ç©ã€å¯èª¿ç¯€çš„å”徑和多樣化的化å¸å®˜èƒ½åœ˜è€Œæˆç‚ºå¤šç¨®æ‡‰ç”¨ä¸çš„æ½›åœ¨ç«¶çˆè€…。近年來,MOF碳化å—到越來越多的關注,尤其是在鋰硫(Li-Sï¼‰é›»æ± çš„å„²èƒ½æ‡‰ç”¨ä¸ï¼Œæˆç‚ºç”Ÿç”¢å…·æœ‰å®šåˆ¶ç‰¹æ€§çš„ç¢³åŸºææ–™çš„解決方案。é‡å°ä¸åŒæ‡‰ç”¨éœ€æ±‚ï¼Œç ”ç©¶è€…å€‘è‡´åŠ›äºŽå‰µé€ æ–°åž‹MOF顆粒以具備ç¨ç‰¹å½¢æ…‹ã€‚以沸石咪唑酯框架(ZIFï¼‰ç‚ºä¾‹ï¼Œç ”ç©¶é‡‘å±¬æœ‰æ©Ÿæ¡†æž¶ï¼ˆMOFï¼‰çš„æˆæ ¸å’Œç”Ÿé•·æ©Ÿåˆ¶æ˜¯ææ–™ç§‘å¸ä¸çš„一個關éµå•題。盡管通éŽåŽŸä½æ¶²ç›¸é€å°„é›»å顯微(TEM)ç²å¾—了大é‡ç ”ç©¶æˆæžœå’Œè¦‹è§£ï¼Œä½†å°ZIFæˆæ ¸å’Œç”Ÿé•·çš„å…¨é¢ç†è§£ä»ç„¶é›£ä»¥å¯¦ç¾ï¼Œé˜»ç¤™äº†MOFåˆæˆå’Œæ‡‰ç”¨çš„精確控制ç–略的開發。æ¤å¤–,MOFå‰é©…體在傳統管å¼çˆä¸é€šå¸¸ä»¥è¼ƒä½Žåˆ°ä¸ç‰çš„æº«åº¦ï¼ˆ200-800°Cï¼‰é€²è¡ŒåŠ ç†±ï¼ŒæŒçºŒæ™‚é–“å¾žå¹¾å°æ™‚到幾天ä¸ç‰ã€‚æ¼¸é€²åŠ ç†±çš„éŽç¨‹æœ‰åŠ©äºŽé€æ¥åˆ†è§£å’Œå޻除MOF框架ä¸çš„æœ‰æ©Ÿé…體,形æˆç¢³è¡ç”Ÿç‰©ã€‚é‹°ç¡«é›»æ± ä¸çš„MOFè¡ç”Ÿç¢³å…·æœ‰å¤šç¨®å„ªé»žï¼Œä¾‹å¦‚高導電性ã€è±å¯Œçš„硫附著活性ä½é»žï¼Œä»¥åŠåœ¨é‹°åŒ–å’Œè„«é‹°éšŽæ®µå¢žå¼·çµæ§‹çš„è€ç”¨æ€§ã€‚然而,傳統管å¼çˆåŠ ç†±æ–¹æ³•ä»é¢è‡¨æŒ‘戰。例如,在MOF顆粒表é¢åŠ ç†±åŽå½¢æˆçš„鈷(Co)顆粒,其大å°å’Œåˆ†æ•£æ¨¡å¼é›£ä»¥æŽ§åˆ¶ã€‚
圖2 ZIF-67ä½œç‚ºç¡¬ç¢³ææ–™çµ„è£çš„é‹°ç¡«é›»æ± çš„æ€§èƒ½
åœ¨é€™é …å·¥ä½œä¸ï¼Œç ”究人員深入分æžäº†ZIF-67的生長éŽç¨‹ï¼Œæç¤ºäº†å…¶çµæ§‹æ¼”變ä¸çš„多種機制,包括液-液相分離ã€é¡†ç²’附著-èšçµä»¥åŠè¡¨é¢å±¤æ²‰ç©ã€‚é€™ä¸€ç ”ç©¶ä¸åƒ…通éŽç¶“典和éžç¶“典生長途徑的çµåˆï¼Œæä¾›äº†å°MOFå½¢æˆéŽç¨‹çš„æ–°è¦‹è§£ï¼Œé‚„å½Œè£œäº†ç¾æœ‰æ–‡ç»ä¸å°é€™äº›ç¾è±¡ç†è§£ä¸è¶³çš„缺å£ã€‚該團隊通éŽè¶…å¿«é€Ÿé«˜æº«ç‡’çµæ³•制備了ZIF-67碳è¡ç”Ÿç‰©ï¼Œå¹¶åˆ©ç”¨3D電忖·å±¤æŽƒæã€Xå°„ç·šè¡å°„(XRD)åŠX射線光電å能èœï¼ˆXPSï¼‰ç‰æŠ€è¡“è¡¨å¾äº†å…¶çµæ§‹ã€‚çµæžœé¡¯ç¤ºï¼Œç©ºå¿ƒå¤šå”ç´ç±³ç± çµæ§‹ä¸éˆ·ç´ç±³é¡†ç²’çš„å‡å‹»åµŒå…¥ï¼Œå°é‹°ç¡«é›»æ± æ€§èƒ½ç”¢ç”Ÿäº†é¡¯è‘—å½±éŸ¿ã€‚é›»åŒ–å¸æ¸¬è©¦çµæžœè¡¨æ˜Žï¼Œåœ¨0.5C的放電電æµä¸‹ï¼Œå¾ªç’°200次åŽçš„æ”¾é›»æ¯”容é‡é”785mAh·g?1;在1.0C的放電電æµä¸‹ï¼Œå¾ªç’°200次åŽçš„æ”¾é›»æ¯”容é‡ç‚º718mAh·g?1。這樣的優異性能æ¸å› 于鈷ç´ç±³é¡†ç²’的催化作用以åŠç´ç±³ç± å°å¤šç¡«åŒ–物的å¸é™„é™åˆ¶æ•ˆæ‡‰ã€‚é€™é …ç ”ç©¶ä¸åƒ…å°MOFå½¢æˆå‹•åŠ›å¸æä¾›äº†æ–°çš„ç†è§£ï¼Œé‚„å±•ç¤ºäº†åŽŸä½æ¶²ç›¸TEMæŠ€è¡“åœ¨å„²èƒ½ææ–™è¨è¨ˆä¸çš„廣泛應用潛力,推動了基于MOFè¡ç”Ÿç‰©çš„èƒ½æºææ–™é–‹ç™¼ã€‚
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å…ˆé€²å®¤å…§å…‰ä¼æŠ€è¡“é ˜åŸŸ
電氣與自動化工程å¸é™¢å‘¨å„’èª²é¡Œçµ„åœ¨å…ˆé€²å®¤å…§å…‰ä¼æŠ€è¡“é ˜åŸŸå–å¾—æœ€æ–°é€²å±•ï¼Œç›¸é—œç ”ç©¶æˆæžœä»¥â€œAdditive engineering for Sb2S3 indoor photovoltaics with efficiency exceeding 17%â€ç‚ºé¡Œåœ¨ç·šç™¼è¡¨äºŽNatureåˆä½œæœŸåˆŠã€ŠLight: Science & Applications》,該刊為光å¸é ˜åŸŸåœ‹éš›é ‚ç´šå¸è¡“期刊。
物è¯ç¶²æŠ€è¡“的快速發展帶來å„é¡žæ™ºèƒ½çµ‚ç«¯å¸‚å ´å‘ˆæŒ‡æ•¸ç´šå¢žé•·ã€‚æ¤é¡žçµ‚端節點通常è¨è¨ˆç‚ºå¾ªç’°é‹è¡Œä¸”功耗較低(微瓦到毫瓦é‡ç´šï¼‰ï¼Œå¯æŒçºŒèƒ½æºä¾›çµ¦æ˜¯ç‰©è¯ç¶²æŠ€è¡“æˆåŠŸå¯¦æ–½çš„é‡è¦ä¿éšœã€‚ç›®å‰ï¼Œè‡ªä¸»ç‰©è¯ç¶²çµ‚端節點主è¦åˆ©ç”¨å„²èƒ½é›»æ± ä¾›é›»ã€‚ç„¶è€Œï¼Œä½¿ç”¨å„²èƒ½é›»æ± å£½å‘½æœ‰é™ï¼Œåš´é‡åˆ¶ç´„數據傳輸è·é›¢å’Œé »çŽ‡ï¼Œä¸”æ‡‰ç”¨èŒƒåœä¹Ÿåƒ…é™äºŽå…許更æ›é›»æ± çš„å ´æ™¯ã€‚ç•¶ç‰©è¯ç¶²ç”Ÿæ…‹ç³»çµ±ç™¼å±•到終端數é‡é”è¬å„„è¨å‚™çš„æ°´å¹³æ™‚,æ¯å¤©å°‡éœ€è¦æ›´æ›æˆ–å……é›»æ•¸å„„å¡Šé›»æ± ï¼Œå¾žè€Œç”¢ç”Ÿå¤§é‡çš„é‹ç‡Ÿå’Œç¶è·æˆæœ¬ã€‚室內光ä¼ï¼ˆIndoor photovoltaicsï¼‰å¾žç’°å¢ƒç…§æ˜Žï¼ˆäººå·¥å…‰æºæˆ–æ—¥å…‰ï¼‰ä¸æ”¶é›†èƒ½é‡ï¼Œå¯ç‚ºåŸºäºŽä½ŽåŠŸè€—è—牙ã€RFID標簽ã€LoRaã€ç„¡æºWi-Fiã€Zigbeeã€ANTç‰é€šä¿¡å”è°çš„無線物è¯ç¶²ç¯€é»žæä¾›å¯æŒçºŒé›»åŠ›ä¾›çµ¦ã€‚å®¤å…§ç…§æ˜Žç„¡è™•ä¸åœ¨ï¼Œå®¤å…§å…‰ä¼ä¾è³´äºŽè¼»å°„能é‡å‚³è¼¸ï¼Œä½¿å…¶éƒ¨ç½²èŒƒåœå»£ã€‚æ¤å¤–ï¼Œèˆ‡å…¶ä»–ç’°å¢ƒèƒ½é‡æ”¶é›†æŠ€è¡“相比,室內光ä¼å¯æä¾›ç›¸å°è¼ƒé«˜çš„能é‡å¯†åº¦ã€‚å› æ¤ï¼Œå®¤å…§å…‰ä¼ä½œç‚ºä¸€ç¨®é¢å‘物è¯ç¶²æ‡‰ç”¨çš„坿ŒçºŒç’°å¢ƒèƒ½é‡é‡‡é›†è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆè¶Šä¾†è¶Šå—關注。
為æ¤ï¼Œå‘¨å„’課題組與牛津大å¸ã€ä¸åœ‹ç§‘å¸æŠ€è¡“å¤§å¸ç‰å–®ä½åˆä½œï¼ŒåŸºäºŽç’°å¢ƒå‹å¥½åž‹ç¡«åŒ–銻(Sb2S3)åŠå°Žé«”ææ–™é–‹ç™¼é«˜æ€§èƒ½å®¤å…§å…‰ä¼å™¨ä»¶ï¼Œå¹¶æˆåŠŸå¯¦ç¾é¢å‘自驅動物è¯ç¶²çš„低功耗傳感器應用演示, 展示出Sb2S3å…‰ä¼å™¨ä»¶æ‡‰ç”¨äºŽå®¤å…§ç’°å¢ƒèƒ½é‡æ”¶é›†çš„å»£é—Šå‰æ™¯ã€‚Sb2S3是一種儲é‡è±å¯Œã€ä½Žæ¯’性ã€ç†åŒ–性質穩定的åŠå°Žé«”ææ–™ï¼Œå…¶å¸¶éš™ç´„為1.75 eV,ååˆ†æŽ¥è¿‘å®¤å…§å…‰ä¼æ‡‰ç”¨çš„æœ€ä½³å¸¶éš™å€¼ã€‚ç ”ç©¶åœ˜éšŠåŸºäºŽæ·»åŠ åŠ‘å·¥ç¨‹ç–略有效改善Sb2S3薄膜質é‡ï¼ŒæˆåŠŸé–‹ç™¼é«˜æ•ˆå¹³é¢ç•°è³ªçµSb2S3è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ï¼Œåœ¨ä¸€å€‹å¤ªé™½ï¼ˆAM1.5G,100mWcm-2ï¼‰å…‰ç…§ä¸‹çš„å…‰é›»è½‰æ›æ•ˆçŽ‡ç‚º7.22%ã€‚åŒæ™‚,器件在低照度室內光照下表ç¾å‡ºå„ªç•°çš„室內光伿€§èƒ½ï¼Œåœ¨ç…§åº¦ç‚º1000luxçš„WLED輻照下,器件效率é”17.55%。與å—åˆ°å»£æ³›ç ”ç©¶çš„Ag-Bi-Iã€BiOIã€ç©ºä½æœ‰åºéˆ£éˆ¦ç¤¦ç‰æ–°èˆˆå®¤å…§å…‰ä¼ææ–™ç›¸æ¯”ï¼Œè©²ç ”ç©¶ä¸Sb2S3å¤ªé™½èƒ½é›»æ± è¶…éŽ17%çš„å®¤å…§å…‰ä¼æ•ˆçŽ‡æ˜¯è©²é ˜åŸŸçš„é‡è¦é€²å±•。進一æ¥ï¼Œç ”究團隊首次將高效Sb2S3å¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ‡‰ç”¨äºŽè‡ªé©…å‹•ç‰©è¯ç¶²ã€‚通éŽåé›»æ± ä¸²è¯ç²å¾—Sb2S3å°åž‹æ¨¡çµ„(5×1cm2),在照度為1000 luxçš„WLED輻照下器件效率為12.82%,最大功率點輸出功率為187.17μWã€‚èˆ‡å•†ç”¨æ°«åŒ–éžæ™¶ç¡…室內光ä¼ç”¢å“相比,該Sb2S3å°åž‹æ¨¡çµ„åœ¨å…‰é›»è½‰æ›æ•ˆçŽ‡å’Œè¼¸å‡ºåŠŸçŽ‡æ–¹é¢éƒ½è¡¨ç¾å‡ºç«¶çˆå„ªå‹¢ã€‚在日常辦公室WLED照明æ¢ä»¶ä¸‹ï¼Œåˆ©ç”¨è©²æ¨¡çµ„將室內環境光能轉æ›ç‚ºé›»èƒ½ï¼ŒæˆåŠŸé©…å‹•ä½ŽåŠŸè€—ç‰©è¯ç¶²å¤šå‚³æ„Ÿå™¨å¹³è‡ºç©©å®šå·¥ä½œã€‚傳感器通éŽä½ŽåŠŸè€—è—牙與手機通信,實ç¾å¯¦æ™‚監測和收集環境數據。該工作ä¸åƒ…ç‚ºé€²ä¸€æ¥æå‡Sb2S3å¤ªé™½èƒ½é›»æ± å…‰ä¼æ€§èƒ½çµ¦å‡ºæœ‰ç›Šåƒè€ƒï¼ŒåŒæ™‚也為é¢å‘物è¯ç¶²æ‡‰ç”¨çš„環境能é‡é‡‡é›†æä¾›äº†æœ‰æ•ˆè§£æ±ºæ–¹æ¡ˆï¼Œæœ‰æœ›æŽ¨å‹•å…ˆé€²å®¤å…§å…‰ä¼æŠ€è¡“å¿«é€Ÿç™¼å±•ã€‚
圖1 AM1.5Gæ¨™æº–å…‰ç…§ä¸‹ç¡«åŒ–éŠ»è–„è†œå¤ªé™½èƒ½é›»æ± æ€§èƒ½
圖2 ç¡«åŒ–éŠ»å®¤å…§å…‰ä¼æ€§èƒ½åŠå…¶ç‰©è¯ç¶²æ‡‰ç”¨æ¼”示
åˆè‚¥å·¥æ¥å¤§å¸ç‚ºè«–文第一署åå–®ä½ã€‚åˆè‚¥å·¥æ¥å¤§å¸ç¢©å£«ç”Ÿé™³é©å’Œä¸åœ‹ç§‘å¸æŠ€è¡“å¤§å¸åšå£«ç”Ÿèˆ’曉è±ç‚ºè«–文共åŒç¬¬ä¸€ä½œè€…。åˆè‚¥å·¥æ¥å¤§å¸å‘¨å„’副教授ã€ä¸åœ‹ç§‘å¸æŠ€è¡“å¤§å¸é™³æ½”潔教授ã€ç‰›æ´¥å¤§å¸Robert Hoye副教授為共åŒé€šè¨Šä½œè€…ã€‚ä¸Šè¿°ç ”ç©¶å·¥ä½œå¾—åˆ°åœ‹å®¶è‡ªç„¶ç§‘å¸åŸºé‡‘ã€å®‰å¾½çœè‡ªç„¶ç§‘å¸åŸºé‡‘ã€ä¸å¤®é«˜æ ¡åŸºæœ¬ç§‘ç ”æ¥å‹™è²»å°ˆé …資金ç‰ç¶“費資助。
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雙模å¼å…‰é›»åå™¨ä»¶é ˜åŸŸ
微電åå¸é™¢å…ˆé€²åŠå°Žé«”器件與光電集æˆå¯¦é©—å®¤çš„ç¾…æž—ä¿æ•™æŽˆèˆ‡å®‰å¾½å¤§å¸ææ–™ç§‘å¸èˆ‡å·¥ç¨‹å¸é™¢ä½•剛教授åˆä½œï¼ŒæˆåŠŸç ”ç™¼å‡ºä¸€ç¨®å…·æœ‰å¯¬å…‰èœéŸ¿æ‡‰çš„雙模å¼å…‰é›»å器件,實ç¾äº†å–®åƒç´ æˆåƒå’Œé¡žè…¦è¨ˆç®—的雙模å¼åˆ‡æ›ã€‚ç›¸é—œæˆæžœä»¥â€œDual-Mode Semiconductor Device Enabling Optoelectronic Detection and Neuromorphic Processing with Extended Spectral responsivityâ€ç‚ºé¡Œï¼Œåœ¨ç·šç™¼è¡¨åœ¨åœ‹éš›æœŸåˆŠAdvanced Materials上(DOI: 10.1002/adma.202409406)。
光電探測器在æˆåƒéŽç¨‹ä¸ä¸€èˆ¬å°å…‰è„ˆæ²–的響應速度較快,但無法æŒçºŒä¿ç•™æ‰€ç²å–的圖åƒä¿¡æ¯æˆ–處ç†å¾©é›œçš„æ™‚åºæ•¸æ“šã€‚ç›¸è¼ƒä¹‹ä¸‹ï¼Œç¥žç¶“æ…‹å…‰é›»æŽ¢æ¸¬å™¨çš„éŸ¿æ‡‰é€Ÿåº¦è¼ƒæ…¢ï¼Œé€™ä½¿å…¶é›£ä»¥å³æ™‚éŸ¿æ‡‰é«˜é »ä¿¡è™Ÿã€‚å› æ¤ï¼Œå°‡å…©ç¨®ä¸åŒéŸ¿æ‡‰é€Ÿåº¦çš„器件集æˆäºŽä¸€å€‹åŠå°Žé«”器件ä¸ï¼Œé¢è‡¨è‘—å·¨å¤§æŒ‘æˆ°ã€‚è©²ç ”ç©¶åœ˜éšŠåœ¨æ·±å…¥åˆ†æžäº†ä¸Šè¿°å•題的基礎上,æå‡ºå¹¶åˆ¶å‚™äº†ä¸€ç¨®é«˜æ€§èƒ½PbS/Al2O3/Siæ··åˆç•°è³ªçµå™¨ä»¶ï¼ŒæˆåŠŸå¯¦ç¾äº†å…‰é›»æŽ¢æ¸¬èˆ‡é¡žè…¦è™•ç†çš„雙功能模å¼è½‰æ›ã€‚
在模å¼1ä¸ï¼Œå™¨ä»¶ç•°è³ªçµæœ‰æ•ˆåˆ†é›¢å…‰ç”Ÿé›»å-空穴å°ï¼Œå±•ç¾å‡ºå¾žæ·±ç´«å¤–(265nm)到近紅外(1650nm)波長的超寬光èœéŸ¿æ‡‰ï¼›åŒæ™‚利用單åƒç´ æˆåƒç³»çµ±èƒ½å¤ 復ç¾256×256åƒç´ 的高質é‡åœ–åƒï¼Œåœ¨å…‰å¼·ç‚º8.58μW/cm2時,Q值低至0.00437μW/cm2。而在模å¼2ä¸ï¼Œå™¨ä»¶å…·å‚™å…¸åž‹çš„PPCè¡Œç‚ºï¼Œèƒ½å¤ ä½œç‚ºé¡žè…¦å™¨ä»¶é€²è¡Œæ¨™æº–æ•¸å—分類,準確率高é”96.5%。這一特性充分體ç¾äº†å…¶åœ¨æ™‚åºä¿¡æ¯è™•ç†ä¸çš„æœ‰æ•ˆæ€§ï¼Œç‰¹åˆ¥æ˜¯åœ¨ç²å–æ™‚åºæ€§æ•¸æ“šæ–¹é¢ã€‚è©²ç ”ç©¶ç‚ºé›™æ¨¡å¼å…‰é›»å™¨ä»¶çš„æ§‹å»ºèˆ‡ç™¼å±•æä¾›äº†é‡è¦çš„坦驗便“šï¼Œå°‡æœ‰åŠ›æŽ¨å‹•å¤šåŠŸèƒ½å™¨ä»¶åœ¨æ™ºèƒ½èŠ¯ç‰‡æ‡‰ç”¨ä¸çš„多模å¼å’Œé›†æˆåŒ–快速發展。
圖1(a)基于輸出光電æµè„ˆæ²–(0PP)波形å°å…‰é›»æŽ¢æ¸¬å™¨çš„功能進行分類;(b)在暗態下兩種模å¼çš„I–V曲線;(c)ä¸åŒæ¨¡å¼ä¸‹ï¼Œå™¨ä»¶åœ¨æœ‰å…‰å’Œç„¡å…‰æ¢ä»¶ä¸‹èƒ½å¸¶åœ–çš„ä»¿çœŸçµæžœï¼›ï¼ˆd)在 7.79% 采樣率下,利用單åƒç´ æˆåƒç³»çµ±ç²å¾—復ç¾åœ–;(e)用于標準數å—è˜åˆ¥çš„å…‰é›»å„²å‚™æ± è¨ˆç®—ç¤ºæ„圖;(f)ä¸åŒæ³¢é•·ä¸‹æ¨™æº–數å—è˜åˆ¥çš„æº–確率。
è©²ç ”ç©¶å·¥ä½œå¾—åˆ°äº†åœ‹å®¶è‡ªç„¶ç§‘å¸åŸºé‡‘ã€å®‰å¾½çœé‡é»žç ”發計劃ã€å®‰å¾½çœé«˜æ ¡å”åŒå‰µæ–°é …ç›®ç‰é …目的資助。
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ä¾†æº | ææ–™ç§‘å¸èˆ‡å·¥ç¨‹å¸é™¢
電氣與自動化工程å¸é™¢ 微電åå¸é™¢
編輯 | 勾一霖
責編 | 衛婷婷
投稿郵箱 | hfutxcb404@163.com
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